技术资料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半桥，集成驱动器、保护和电流感应

LMG2650 是一个 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半桥。该LMG2650通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，简化了设计，减少了元件数量，并减少了电路板空间。

可编程导通转换速率提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻器相比，低侧电流检测仿真降低了功率耗散，并允许将低侧导热垫连接到冷却 PCB 电源接地。
*附件：LMG2650 650V 95 mΩ GaN 半桥，集成驱动器和电流感应仿真 数据表.pdf

高侧 GaN 功率 FET 可通过低侧参考栅极驱动引脚 （INH） 或高侧参考栅极驱动引脚 （GDH） 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器将 INH 引脚信号可靠地传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，避免了对高侧电源的过度充电，并且反向恢复电荷为零。

LMG2650 支持转换器轻载效率要求和突发模式作，具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括 FET 导通互锁、欠压锁定 （UVLO）、逐周期电流限制和过温关断。超低转换速率设置支持电机驱动应用。

特性

• 650V GaN 功率 FET 半桥
• 95mΩ 低侧和高侧 GaN FET
• 集成栅极驱动器，具有 <100ns 的低传播延迟
• 可编程导通转换速率控制
• 具有高带宽和高精度的电流感应仿真
• 低侧参考 （INH） 和高侧参考 （GDH） 高侧栅极驱动引脚
• 低侧 （INL） / 高侧 （INH） 栅极驱动联锁
• 高侧 （INH） 栅极驱动信号电平转换器
• 智能开关自举二极管功能
• 高边启动 ： <8μs
• 低侧/高侧逐周期过流保护
• 过热保护
• AUX 空闲静态电流：250μA
• AUX 待机静态电流：50μA
• BST 空闲静态电流：85μA
• 8x6 mm QFN 封装，带双导热垫

参数

方框图

应用
•<400W LLC转换器
•<300W AHB/ACF转换器
•<600W 3-Φ电机驱动逆变器
•<140W CrM图腾柱PFC