电子发烧友网综合报道 随着大算力AI芯片的爆发式发展,单颗GPU功耗突破1kW、供电电流达1000A +级别,不仅将传统 PSU 功率推向新高度,更对板载电源设计提出三重严峻挑战:一是空间集约化要求下,电源转换器需实现更高功率密度;二是第三代宽禁带半导体的普及,虽通过极低开关损耗支撑了 MHz 级高频运行,却带来更复杂的控制逻辑与更快的实时计算需求;三是高频开关与宽禁带器件导致 dv/dt 数量级提升,电磁干扰(EMI)强度激增,对控制器的抗干扰能力提出严苛要求。
AI 数据中心引发的功率膨胀,正推动供电架构全面优化,而数字电源控制器作为核心枢纽,成为破解上述难题的关键突破口。
最近上海海思推出新一代数字电源 MCU 产品 Hi3071,针对高功率密度电源进行了多方面的适配。Hi3071 搭载成熟的高性能 Cortex-M7 内核,采用超标量双发射 6 级流水线架构,具备强大的并行任务处理能力。为满足开关电源环路控制的极致实时性要求,产品配置了 4KB 指令缓存(I-Cache)、4KB 数据缓存(D-Cache),并创新性引入 64KB 指令紧耦合内存(I-TCM)与 64KB 数据紧耦合内存(D-TCM),大幅提升程序运行速度,为高频场景下的精准控制提供底层支撑。
随着开关电源迈入 MHz 时代,数字控制器的环路计算时间需压缩至 1us 以内。Hi3071 搭载 3 路独立硬化环路控制单元,每路均配备 15.6MSPS 高速误差采样 ADC 与硬件 PID 滤波单元,实现 400ns 级数字 PID 控制环路更新,远超行业常规水平。
该模块支持灵活配置:可按需设定为电压外环 + 电流内环、三环取小或双环取小模式,适配电流型控制、电压型控制及充电电路的恒压恒流控制;同时支持 1 路硬件滤波环路前馈配置,搭配 7 组可配置 PID 参数及区间动态平滑切换功能,实现四开关 Buck-Boost 拓扑不同模式的自动平滑过渡。仅需寄存器配置即可启动硬化环路工作,大幅降低软件编程工作量,缩短产品上市周期。
高频开关带来的极限环振荡问题,核心症结在于 PWM 分辨率与输出电压精度的失配。Hi3071 提供 6 组共 12 路高精度 PWM 输出,分辨能力达 125ps,完美满足 MHz 级高频下脉冲宽度调制(PWM)与脉冲频率调制(PFM)的精度要求。
模块支持多 PWM 通道内部同步或外部信号同步,可实现多相控制的错位移相发波;结合缓存寄存器与多种加载模式,确保复杂电磁干扰环境下波形稳定输出。其灵活适配性覆盖 Buck、Boost、Buck-Boost、PSFB、LLC 等多种定频 / 变频控制拓扑,为电源设计提供充足自由度。
逐波限流(CBC)是电源过载保护的核心方案,Hi3071 在此基础上实现功能革新:支持硬件信号源或软件触发 fault 信号启动 CBC,配备可编程计时 / 计数滤波功能;创新推出 CBC 封波 match 功能,当主开关管故障斩波时,从开关管将同步进行同等宽度斩波,避免主从管脉冲宽度不对称导致的磁性器件电流累积过大、关断损耗激增等问题。
该功能支持主从固定与主从切换两种模式,切换模式下先发生 fault 斩波的通道自动成为主通道,另一通道同步跟随斩波与缓展,显著提升电源进入 CBC 状态时的可靠性。
针对开关机、故障保护的复杂发波逻辑及同步整流死区时间自适应调整需求,Hi3071 集成 6 路小型可配置逻辑单元(CLC)。每路 CLC 支持 4 组输入,每组输入为 8 选 1 通道,可接入数字比较器输出、模拟比较器输出、PWM 输出及其他 CLC 模块输出信号,实现灵活的逻辑组合与时序控制。这一设计可替代外部逻辑器件或 CPLD,降低系统成本,助力客户实现创新控制方案。
面对宽禁带半导体带来的传导 / 辐射电磁干扰激增问题,Hi3071 从设计源头强化防护能力:pin 脚端口 HBM ESD 防护等级超 ±2000V,闩锁触发电流超 ±100mA;采用金线键合工艺提升电气性能与抗弯折性;封装选用超低 α 粒子 ULA 材料,降低存储器单粒子翻转错误发生率。这些设计大幅减少外围防护器件成本,显著提升电源系统在恶劣电磁环境下的长寿命与高可靠性。
Hi3071 通过硬件 PID 环路与 Cortex-M7 内核的深度融合,结合高精度 PWM、智能 CBC、可配置逻辑单元、集成高精度运放等核心元素,形成全方位技术优势。其适配图腾 PFC、交错 LLC、移相全桥、Buck-Boost、Hybrid Switched Capacitor 等主流拓扑,可作为服务器电源、工业定制电源、砖模块电源及中间母线转换电源的平台性控制器,为数据中心、工业控制等领域的高功率密度电源设计提供一站式解决方案。
从 AI 数据中心的功率挑战到宽禁带半导体的技术革新,海思 Hi3071 以精准的功能定义、硬核的性能参数与灵活的适配能力,成为高功率密度数字电源控制的标杆产品,为电源行业的效率提升与可靠性升级注入强劲动力。
AI 数据中心引发的功率膨胀,正推动供电架构全面优化,而数字电源控制器作为核心枢纽,成为破解上述难题的关键突破口。
最近上海海思推出新一代数字电源 MCU 产品 Hi3071,针对高功率密度电源进行了多方面的适配。Hi3071 搭载成熟的高性能 Cortex-M7 内核,采用超标量双发射 6 级流水线架构,具备强大的并行任务处理能力。为满足开关电源环路控制的极致实时性要求,产品配置了 4KB 指令缓存(I-Cache)、4KB 数据缓存(D-Cache),并创新性引入 64KB 指令紧耦合内存(I-TCM)与 64KB 数据紧耦合内存(D-TCM),大幅提升程序运行速度,为高频场景下的精准控制提供底层支撑。
随着开关电源迈入 MHz 时代,数字控制器的环路计算时间需压缩至 1us 以内。Hi3071 搭载 3 路独立硬化环路控制单元,每路均配备 15.6MSPS 高速误差采样 ADC 与硬件 PID 滤波单元,实现 400ns 级数字 PID 控制环路更新,远超行业常规水平。
该模块支持灵活配置:可按需设定为电压外环 + 电流内环、三环取小或双环取小模式,适配电流型控制、电压型控制及充电电路的恒压恒流控制;同时支持 1 路硬件滤波环路前馈配置,搭配 7 组可配置 PID 参数及区间动态平滑切换功能,实现四开关 Buck-Boost 拓扑不同模式的自动平滑过渡。仅需寄存器配置即可启动硬化环路工作,大幅降低软件编程工作量,缩短产品上市周期。
高频开关带来的极限环振荡问题,核心症结在于 PWM 分辨率与输出电压精度的失配。Hi3071 提供 6 组共 12 路高精度 PWM 输出,分辨能力达 125ps,完美满足 MHz 级高频下脉冲宽度调制(PWM)与脉冲频率调制(PFM)的精度要求。
模块支持多 PWM 通道内部同步或外部信号同步,可实现多相控制的错位移相发波;结合缓存寄存器与多种加载模式,确保复杂电磁干扰环境下波形稳定输出。其灵活适配性覆盖 Buck、Boost、Buck-Boost、PSFB、LLC 等多种定频 / 变频控制拓扑,为电源设计提供充足自由度。
逐波限流(CBC)是电源过载保护的核心方案,Hi3071 在此基础上实现功能革新:支持硬件信号源或软件触发 fault 信号启动 CBC,配备可编程计时 / 计数滤波功能;创新推出 CBC 封波 match 功能,当主开关管故障斩波时,从开关管将同步进行同等宽度斩波,避免主从管脉冲宽度不对称导致的磁性器件电流累积过大、关断损耗激增等问题。
该功能支持主从固定与主从切换两种模式,切换模式下先发生 fault 斩波的通道自动成为主通道,另一通道同步跟随斩波与缓展,显著提升电源进入 CBC 状态时的可靠性。
针对开关机、故障保护的复杂发波逻辑及同步整流死区时间自适应调整需求,Hi3071 集成 6 路小型可配置逻辑单元(CLC)。每路 CLC 支持 4 组输入,每组输入为 8 选 1 通道,可接入数字比较器输出、模拟比较器输出、PWM 输出及其他 CLC 模块输出信号,实现灵活的逻辑组合与时序控制。这一设计可替代外部逻辑器件或 CPLD,降低系统成本,助力客户实现创新控制方案。
面对宽禁带半导体带来的传导 / 辐射电磁干扰激增问题,Hi3071 从设计源头强化防护能力:pin 脚端口 HBM ESD 防护等级超 ±2000V,闩锁触发电流超 ±100mA;采用金线键合工艺提升电气性能与抗弯折性;封装选用超低 α 粒子 ULA 材料,降低存储器单粒子翻转错误发生率。这些设计大幅减少外围防护器件成本,显著提升电源系统在恶劣电磁环境下的长寿命与高可靠性。
Hi3071 通过硬件 PID 环路与 Cortex-M7 内核的深度融合,结合高精度 PWM、智能 CBC、可配置逻辑单元、集成高精度运放等核心元素,形成全方位技术优势。其适配图腾 PFC、交错 LLC、移相全桥、Buck-Boost、Hybrid Switched Capacitor 等主流拓扑,可作为服务器电源、工业定制电源、砖模块电源及中间母线转换电源的平台性控制器,为数据中心、工业控制等领域的高功率密度电源设计提供一站式解决方案。
从 AI 数据中心的功率挑战到宽禁带半导体的技术革新,海思 Hi3071 以精准的功能定义、硬核的性能参数与灵活的适配能力,成为高功率密度数字电源控制的标杆产品,为电源行业的效率提升与可靠性升级注入强劲动力。
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