探索HMC - ALH482：2 - 22 GHz GaAs HEMT MMIC低噪声放大器 在当今的电子工程领域，低噪声放大器（LNA）在众多应用中都起着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨一款
2025-12-31 10:30:02
145 德州仪器TB5D1M与TB5D2H：高性能四通道差分PECL驱动器解析 在电子设计领域，高性能的差分驱动器对于数字数据和时钟信号的传输至关重要。德州仪器（TI）的TB5D1M和TB5D2H四通道差分
2025-12-30 10:05:06102 探索TB5D1M与TB5D2H：高性能四通道差分驱动器的卓越之选 在电子设计领域，选择合适的驱动器对于确保信号的高效传输和系统的稳定运行至关重要。今天，我们将深入探讨德州仪器（TI）的两款四通道差分
2025-12-30 10:05:0299 SCAN921025H和SCAN921226H高速LVDS串并转换芯片深度解析 在硬件设计领域，高速数据传输与处理一直是关键挑战。德州仪器（TI）的SCAN921025H和SCAN921226H芯片
2025-12-29 14:50:1384 TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET：高效开关的理想之选 在电子工程师的日常工作中，不断寻找高性能、高可靠性的电子元件是提升设计水平的关键。今天，我们就来深入
2025-12-29 14:45:1077 CG2H40025F型号介绍 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40025F。 它具备高效率、高增益和宽频带能力，这使
2025-12-29 11:28:30
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN® GaN FET：高效能与可靠性的完美结合 引言 在当今电子技术飞速发展的时代，功率半导体器件的性能和可靠性对于各种电子设备的运行
2025-12-29 10:05:2292 050G4YS 650 V SuperGaN® FET.pdf 一、产品概述 TP65H050G4YS是一款650V、50mΩ的氮化镓（GaN）FET，采用了Transphorm的Gen IV平台，属于常关型器件。它将先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结
2025-12-29 10:05:1576 CG2H40045F型号介绍 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40045F。 它展现出了 GaN 技术的典型优势
2025-12-24 10:57:35
244x/P3H284x I3C Hub，为我们提供了一种强大的解决方案，能够满足多种设备连接的需求。今天，我们就来深入了解一下这款产品。 文件下载： NXP Semiconductors P3H2x4xHN多端
2025-12-24 10:20:02167 在消费电子快充领域，300W USB-C PD快充因适配笔记本、便携式储能等高频需求，成为市场增长核心赛道。而650V GaN HEMT作为快充方案的核心器件，长期被英诺赛科INN650D02等进口型号主导，存在成本高、供货周期不稳定、技术支持滞后等痛点。
2025-12-23 14:50:05885 
™双通道隔离式栅极驱动器IC.pdf 产品概述 EiceDRIVER™ 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列双路隔离栅极驱动器IC，专为驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关而设
2025-12-21 09:30:03543 IC.pdf 1. 产品概述 EiceDRIVER™ 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列双通道隔离栅极驱动器IC，专为驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关而设计。所有产品都采用
2025-12-20 20:35:051020 市面上现有的GaN电源适配器和充电器能够为笔记本电脑提供功率充足的电能，还能解决USB-C快充对功率的需求，而且能效很高，能够满足即将到来的环保要求严格的生态设计标准。意法半导体最新的GaN芯片让这项技术能够惠及洗衣机、吹风机、电动工具、工厂自动化设备内的电机驱动装置。
2025-12-19 16:01:04873 ，并在 “GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices” 分会场首个亮相，标志着氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术在移动终端通信领域实现历史性突破。 当前移动通信正
2025-12-18 10:08:201760 
DK8045是一款高度集成了700V/330mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK8045检测功率管漏极电压 V D， 当 V D 达到其最低值时开启功率管，从而减小
2025-12-17 09:04:57
1 （HPA）单片微波集成电路（MMIC），主要面向 4.5-6.8GHz 频段应用，采用 GaN-on-SiC HEMT 工艺并带湿度保护，封装为 QFN 塑封。具备高功率输出、高效率及宽电压工作范围等
2025-12-12 09:40:25
GA-H81M-DS2的CPU PWM芯片ISL95812HRZ-T电路图
2025-12-10 14:42:081 Class D功放芯片改I2S数字输入，分两种情况，一种是芯片原生支持I2S，另一种是仅支持模拟输入，具体改造方法如下：
原生支持I2S的Class D功放芯片（如ACM8625、TAS5805
2025-12-06 16:39:59
P3H2x4xHN是一款多端口I3C集线器设备，一端通过I3C / I2C / SMBus总线连接主机CPU，另一端则连接多个外围设备。
2025-12-04 10:46:47782 
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。
2025-12-04 09:28:281692 
电子发烧友网站提供《CG65140DAA_datasheet_V1.pdf》资料免费下载
2025-11-30 22:00:030 。FLA系列光纤链路分析仪850nm波段的高性能测量产品参数如下：测量长度：500m空间分辨率：2mm中心波长：850nm回损动态范围：70dB回损重复精度：±0.5d
2025-11-27 17:30:441778 
一、GaN（氮化镓）与硅基材料的核心差异及优劣势对比 GaN（氮化镓）属于宽禁带半导体（禁带宽度 3.4 eV），硅基材料（硅）为传统半导体（禁带宽度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573101 LED灯具的核心LED灯具最核心的是芯片，直接决定了灯具的性能。然而某些不良商家利用客户的不专业，从成本上面考虑，使用工艺不够稳定的厂家的芯片，然后号称Cree、欧司朗、日亚或晶元的芯片，使客户用高
2025-11-12 14:35:26311 
云镓半导体应用指导CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名规则以CG65030TAD产品为例，"C"为公司名CloudSemi,"G"
2025-11-11 11:46:48350 
SiMOSFET较小。若采用传统MOSFET驱动器来驱动GaN器件，需要增加额外的外围R/C元件（如下图所示），造成一定的驱动复杂度以及可靠度问题。另一种解决方案——
2025-11-11 11:46:33687 的标杆。 在全球 AI 数据中心、电动汽车等高能耗应用推动能源需求激增的背景下，功率半导体的能效与功率密度已成为技术升级的核心瓶颈。而垂直GaN与目前市面上主流的横向 GaN 器件不同，该技术采用单芯片 GaN-on-GaN 设计，让电流垂直贯穿芯片本体而非
2025-11-10 03:12:005650 STMicroelectronics VIPERGAN65高压转换器是一款先进的准谐振离线高压转换器，设有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN65设计用于中等功率准谐振ZVS（开关导
2025-10-29 09:11:48475 
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经过优化，可驱动高压增强模式GaN HEMT。该器件具有集成自举二极管，可提供高达20V的外部开关，并具有专为GaN HEMT定制的欠压保护。
2025-10-24 14:11:19398 
Leadway GaN系列模块以120W/in³的功率密度为核心，通过材料创新、电路优化与封装设计，实现了体积缩减40%、效率提升92%+的突破。其价值在于为工业自动化、机器人、电动汽车等空间受限
2025-10-22 09:09:58
。这款控制器在同一封装中集成了低压PWM控制器芯片和700V GaN HEMT。该器件集成了一整套特性，有助于以较短的物料清单设计出高效、低待机功耗的开关模式电源，从而实现经济高效的快速设计。这些设计包括具有动态消隐时间的ZVS准谐振操作、前馈补偿、谷值同步调整、低静态电流和先进的轻负载管理。
2025-10-16 15:36:38480 
5PS1G63JFP-Y5CR、K4B4G1646B-HCK0、NT5CB256M8GN-CG、H5TQ4G63AFR-H9C、H5TQ4G63MFR-PBC、H5TQ2G83FFR-PBC、SD5D28B-8G、SD7DP24C
2025-10-09 14:15:34
9月16日，移远通信正式宣布，已完成多款主力LTE模组的重大技术升级——通过集成卫星直连蜂窝（Direct-to-Cell, D2C）技术，为各类物联网终端赋予“地面+卫星”连接能力，打破传统物联网
2025-09-18 17:37:25739 
率能SS6548D-DFN5*5，广泛用于智能窗帘 智能晾衣架 智能升降桌项目上，H桥驱动芯片
2025-09-05 17:08:130 继上一篇屏蔽栅MOSFET技术简介后，我们这次介绍下GaN HEMT器件。GaN 半导体材料是一种由镓元素与氮元素组成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，在消费电子领域，特别是快速充电器产品的成功商用，昭示了其成熟的市场地位与广阔应用前景。
2025-09-02 17:18:334522 
升降压H5228外围电路简洁低辉负载调整率PWM调光芯片
2025-08-23 10:10:550 600-650V功率器件是Si SJ MOS(又称Si 超结MOS)，SiC MOS和GaN HEMT竞争最为激烈的产品区间，其典型应用为高频高效高功率密度电力电子。通过对比分析Infineon
2025-08-16 16:29:143566 
1)+20W(C2)的情况。关于USBP D协议部分,H USB380B外围只有一颗贴片电容，集成了VBUS MOS和采样电阻以及环路RC，能实现零外围设计，PCB Layout更简单。
2.双
2025-08-13 13:22:57
增强型GaN HEMT具有开关速度快、导通电阻低、功率密度高等特点，正广泛应用于高频、高效率的电源转换和射频电路中。但由于其栅极电容小，栅极阈值电压低（通常在1V到2V之间）、耐受电压低（通常-5V到7V）等特点，使得驱动电路设计时需格外注意，防止开关过程中因误导通或振荡而导致器件失效。
2025-08-08 15:33:512705 
以下完整内容发表在「SysPro电力电子技术」知识星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封装技术全维解析》三部曲系列-文字原创，素材来源：TMC现场记录、Horse、Hofer、Vitesco-本篇为节选
2025-08-07 06:53:441553 
这不，今天又从实验室“顺”了一款最新的A+C快充芯片HUSB382D，听说它能做到极简的零外围设计，更能支持20V PDO。
2025-08-06 18:15:431380 
我有 CY7C65223D-32LTXI 芯片，将 2 个 UART 连接到该芯片，但设备没有响应，RX1_LED 和 RX0_LED 一直亮着。我一直尝试在 Windows 和 Linux 上进行配置，但无法连接到设备。
2025-08-04 07:56:07
的垂直GaN HEMT功率器件技术。 致能半导体全球首次在硅衬底上实现了垂直的GaN/AlGaN结构生长和垂直的二维电子气沟道(2DEG)。以此为基础，致能实现了全球首个具有垂直2DEG的常开器件(D-mode HEMT)和全球首个垂直常关器件(E-mode HEMT)。通过去除生长用硅衬底并在
2025-07-22 07:46:004783 
GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管)，此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中，如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
DK8065 是一款高度集成了 700V GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK8065 检测功率管漏极电压 V D， 当 V D 达到其最低值时开启功率管，从而减小
2025-07-05 15:50:005 E-GaN电源芯片U8733L集成外置温度检测和恒功率功能Yinlianbao开关电源NTC传感器能够感知微小的温度变化，一旦温度超过预设的安全阈值，便会触发保护机制，如降低电流或切断电源，以防
2025-06-19 16:31:37692 
SGK5872-20A
类别：GaN 产品 > 用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
外形/封装代码：I2C
功能：C 波段内部匹配 GaN-HEMT
高输出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
R&S D波段宽带信号产生与分析方案，是市面上最为紧凑及易用的解决方案，信号源可直接对上变频器进行参数设定，频谱与信号分析仪或示波器也可直接对下变频器进行参数设定，无需复杂的上位机。
2025-06-16 14:46:461524 
一种用于重掺杂n型接触的选择性刻蚀工艺实现了AlN/GaN HEMT的缩小 上图：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆叠示意图 俄亥俄州立大学的工程师们宣称，他们已经打开了一扇大门，有望制备出
2025-06-12 15:44:37800 
功耗极低，有助于延长电池寿命，特别适合用于便携式设备或长时间运行的系统。此外，8563芯片还具备闹钟与定时器功能，通过I2C通信接口与外部设备进行通信，具有高速率的特点，使得数据交换更加高效。因此，它在智能家居系统中可用于控制设备
2025-06-11 15:11:47988 
铅”（Lead-Free），AM206541TM-SN-R-TF采用先进的GaN HEMT技术，具备宽频带响应（覆盖S至C波段）、高功率增益（典型值>60dB）和卓越的线性度
2025-06-06 09:06:46
目录
1，整机线路架构
2，初次极安规Y电容接法
3，PFC校正电路参数选取及PCB布具注意事项
4，LLC环路设计注意事项
5，GaN驱动电路设计走线参考
6，变压器输出整流注意事项
一，整体线路图
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2025-05-28 16:15:01
电压(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis衬底技术(QST®)硅基氮化镓(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首选技术，其主流最高工作电压范
2025-05-28 11:38:15669 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模块/模组 一、核心器件定义 IGBT（绝缘栅双极型晶体管） 电力电子领域核心开关器件，通过栅极电压控制导通状态： 结构特性 ：融合
2025-05-26 14:37:052284 NPT2022 是一款由 MACOM 生产的宽带 GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管），专为高频、高功率射频应用而设计。以下是其主要特性、参数和应用信息：### 主要特性- **工作频率
2025-05-22 15:40:33
1. 如何从 Microsoft Visual C++ 应用程序 (CyAPI.h) 访问 CYUSB3014 芯片组的 i2c 接口？ 我在定制相机中使用 CYUSB3014。 当我开发我的相机
2025-05-19 07:21:58
GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。
2025-04-22 17:03:121040 
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000™ 实时微控制器系列的成员，该系列是可扩展、超低延迟的器件，旨在提高电力电子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高开关频率，并支持使用 GaN 和 SiC 技术。
2025-04-14 14:10:231440 
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000™ 实时微控制器系列的成员，该系列是可扩展、超低延迟的器件，旨在提高电力电子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高开关频率，并支持使用 GaN 和 SiC 技术。
2025-04-14 09:44:271208 
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2025-03-25 18:31:46
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2025-03-24 18:42:34
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2025-03-19 18:49:22
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2025-03-18 18:52:22
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2025-03-18 18:29:59
介绍如何将GaN Systems的GaNPX® 和PDFN封装下的E-HEMT器件焊接到PCB。
2025-03-13 17:38:071200 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例总结 本文档基于GaN HEMT的实测特性描述了当前版本的模型。该模型专为与PSpice和LTspice配合使用而开发。本文档首先介绍该模型，然后提供将
2025-03-11 17:43:112142 
该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G015MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和Si驱动器集成于ROHM自有封装，与以往的分立
2025-03-09 17:37:36736 
该产品是工业设备市场的一流产品。这是在这些应用中使用的最佳产品。BM3G115MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将650V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成
2025-03-09 16:38:10731 
1MHz的高频段，电源效率也可达到96.5%以上。另外，通过采用通用性高的DFN封装，不仅散热性能出色，还非常易于安装。 *附件：GNE1008TB 150V GaN HEMT 封装DFN5060 数据手册
2025-03-07 17:40:40847 
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 16:45:55748 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
基本半导体碳化硅MOSFET B3M013C120Z与二极管B3D80120H2组合大组串逆变器MPPT升压方案优势分析以及全面取代老旧的2000V器件两电平MPPT升压方案成为趋势 一、方案
2025-03-03 17:01:16935 
爱普生推出的SG-8200CG是一款高性能高精度的可编辑晶振，支持1.2MHz至170MHz的宽频率范围，具备低相位抖动和高稳定性（在-40°C至+105°C宽温范围内频率公差低至±15×10
2025-03-01 15:18:24754 
高速GaN E-HEMT的测量技巧总结 一、概述 重要性 ：GaN E-HEMT（氮化镓增强型高电子迁移率晶体管）具有极高的开关速度，因此准确的测量技术对评估其性能至关重要。 内容概览
2025-02-27 18:06:411061 硅基半导体经过多年发展，其性能逐渐接近极限，在进一步降本增效的背景下，第三代宽禁带半导体氮化镓功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48904 
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:251002 此参考设计展示了高性能 GaN 如何为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。 *附件：PMP23340C2K 采用C2000™ MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 18 砖型电源模块
2025-02-21 10:20:05705 
在科技飞速发展的当下，电子元件的创新成为推动各领域进步的关键力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），以其卓越性能在功率半导体领域掀起波澜
2025-02-18 16:47:25949 
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03:531191 电机驱动芯片 - SS6809A是一款2通道H桥驱动芯片。适合12V系统产品的电机驱动。
2025-02-18 09:35:23937 
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热
2025-02-17 15:42:22673 
~同时加快车载GaN器件的开发速度，以尽快投入量产~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779 
RF3932D宽带放大器现货库存RF-LAMBDARF3932D专门为商业基础设施建设、蜂窝网络和WiMAX基础设施及其通用型宽带放大器应用需求设计。使用最先进的高功率密度氮化镓（GaN）半导体
2025-01-22 09:03:00
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