产品应用多面性氮化镓是半导体领域后起之秀中的“六边形战士”,综合性能全面,而射频应用作为氮化镓的“王牌分支”,凭借出众的“高频、高功率、高效率、抗造”性能表现,在高频高功率场景中让传统硅基、砷化镓
2025-12-24 10:23:54
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双向器件,GaN BDS 的出现可以大大降低元器件的成本:无需工艺调整和 MASK 变动,通过合并漂移区和漏极及双栅控制,即可实现单片集成的氮化镓双向器件(Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化镓模块电源,正式上市!这不仅是一次产品升级,更是为高密度、高性能应用量身打造的动力解决方案,重新定义15W级电源的尺寸、效率与可靠性标准。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:02
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CHA8107-QCB两级氮化镓(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款两级氮化镓(GaN)高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
PMOS 管(P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)以 P 型半导体为衬底,通过栅极施加负电压调控源漏极间空穴迁移,实现电路开关控制或信号放大,是拓展坞电路中的关键基础器件,专为其多接
2025-12-04 11:12:41
30W氮化镓全电压认证方案1.方案介绍及产品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW
2025-11-28 17:18:04
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在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步,打破车规级功率半导体性能边界 近日,镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管(GaN FET
2025-11-27 16:17:13
1736 在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下,电力电子领域正经历一场变革。安森美(onsemi)凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮,推出的高能效系统重新定义了性能与可靠性的行业标准。本文将解答关于 vGaN 的核心疑问,并阐释该技术对能源与电源解决方案未来发展的影响。
2025-11-20 14:57:24
2050 近日,绿联新推出了一款速显充160W多口氮化镓充电器,这款充电器具备4个USB-C接口和1个USB-A接口,总输出功率为160W。机身一侧设有LCD屏幕,支持总输出功率显示和功率分配显示,支持充电协议显示。机身设有触摸按键,可以旋转屏幕显示角度和内容,同时还支持充电器温度显示,使用更加安心。
2025-11-17 15:08:41
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中的性能差异源于材料物理特性,具体优劣势如下: 1. GaN(氮化镓)功放芯片 优势: 功率密度高:GaN 的击穿电场强度(3.3 MV/cm)是硅的 10 倍以上,相同面积下可承受更高电压(600V+)和电流,功率密度可达硅基的 3-5 倍(如 100W 功率下,GaN 芯片体积仅为硅基的 1/3)。 高
2025-11-14 11:23:57
3101 现在氮化镓材料技术比较成熟,芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛?
2025-11-14 07:25:48
,其内部搭载了东科DK8710BD合封氮化镓芯片,分别支持100W和30W输出,还支持45W+45W、65W+30W等输出策略,满足包括米系用户在内的消费群体对高性
2025-11-13 10:27:08
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STMicroelectronics EVLONE65W USB Type-C™供电板是用于高密度、大功率65W USB供电 (USB-PD) 电路的参考设计,支持可编程电源 (PPS
2025-10-29 13:56:04
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STMicroelectronics EVLVIPGAN65DF参考设计(用于VIPERGAN65)是一款24V/65W参考设计,基于VIPERGAN65D高压转换器,采用隔离式QR反激拓扑进行设置
2025-10-16 15:36:38
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STMicroelectronics EVLSTACF01-65WU USB-PD演示板STACF01是一款65W有源钳位反激式 (ACF) 转换器,设计用于评估STACF01 ACF控制器
2025-10-16 15:10:17
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在快充技术飞速发展的今天,65W功率档位已成为市场主流,而氮化镓技术的出现,正在重新定义充电器的尺寸与效能边界。仁懋电子推出的MOT1145GMOSFET,以其卓越性能为65W氮化镓快充方案注入
2025-10-15 17:41:29
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不同的电源适配器来提供正确的电力供应。因此,设计一个优秀的电源适配器方案变得极为重要。今天要给大家介绍的是基于思睿达主推的CR6891A65W适配器方案,能效方面,
2025-09-29 10:21:48
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芯朋微PN8215主控芯片140W氮化镓充电器芯片
2025-09-26 11:36:58
33W氮化镓电源芯片U8733L布局合理减少干扰散热优化电源芯片的引脚在布局布线时,应当避免与其他信号线路平行敷设,以降低电磁干扰。根据芯片引脚功能和信号流向合理安排位置,减少交叉和迂回,降低布线
2025-08-28 16:18:50
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01.扩展坞加充电宝 方案一 1.支持绝大多数智能手机同屏或者扩展屏。 2.内置电池,随时给手机充电(通过type-c)。 3.支持全功能TYPE_C设备,可以做接口扩展。 4.支持
2025-08-28 11:35:07
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氮化镓电源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗。
2025-08-26 10:24:43
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,如何在有限体积内实现更高功率密度、更低成本与更强协议兼容能力,成为PD充电器方案设计中的核心命题。 本文拆解的是一款绿联的 65W GaN 三口输出的电源适配器,其内部采用三块板构成. 整体实现了交流输入整流与滤波、初级开关控制与功率变
2025-08-19 11:56:14
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近日,应充电头网邀请,在行业目光聚焦之际,京东方华灿多位专家围绕氮化镓材料与技术展开深度分享,为行业发展勾勒清晰且充满希望的蓝图。其中,京东方华灿副总裁、首席技术官王江波博士值此世界氮化镓日之际,发表了他对氮化镓材料发展的寄语。
2025-08-14 15:31:22
3004 Buck+HUSB380B+HUSB382D 2C1A固定分配功率方案
双Buck_65W 2C1A_降功率方案,采用慧能泰HUSB380B+HUSB382D级联,单独使用时任意C口都可以输出65W,且单插
2025-08-13 13:22:57
65W PD 快充几乎已经成为智能手机的标配了,但是快充所面临的高效率、小体积、不烫手需求矛盾,仍然是工程师面临的主要问题。传统的快充同步整流方案效率不仅低,封装体积也太大,很难满足消费者对超便携快
2025-08-08 16:51:45
1783 采样走线,避免了复杂曲折的电流路径设计,一马平川的铺个地平面即可实现功能。
3.灵活高压输出,协议高兼容:HUSB382D支持5V、9V、12V、15V和20V FPDO,具备最高65W的输出功率,能兼容市面上主流的充电协议,以及拥有更高的充电效率。能够满足平板,笔记本,手机等多种电子设备的充电需求。
2025-08-07 10:43:09
设计大电流,高开关频率同步降压电路时,要想设计一个稳定可靠的系统,PCB布局显得尤为重要。同步整流ic U7110W设计同步整流电路时建议参考下图的内容。图为PCB布局设计参考,包含U7110W、变压器副边引脚和输出滤波电容等。
2025-08-06 11:39:34
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制造氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有一定难度,这主要归因于材料本身以及制造工艺中的多项挑战。
2025-07-25 16:30:44
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英集芯IP6551是一款为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供完整的充电方案支持双路DCP协议的65W输出DC-DC降压芯片,集成同步开关降压转换器,内置双NMOS驱动器,转换效率高。
2025-07-24 11:13:43
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深圳市永阜康科技有限公司现在大力推广国内首款氮化镓D类音频功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化镓,48V供电时,驱动到4Ω可以在10%THD+N内输出1×340W的功率,QFN-48贴片封装,不需要外接散热器辅助散热。
2025-07-21 15:05:10
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氮化镓充电器的高功率密度,能在很小的体积里给出更高的功率,所以氮化镓充电器个头更小,重量也更轻。且能把电能转换得更有效,能量损失也少,充电速度就能变得更快。推荐一款快速启动功能和超低的工作电流氮化镓快充芯片——U8725AHE,可实现小于30mW的超低待机功耗!
2025-07-18 16:08:41
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#Prisemi扩展坞市场趋势据统计,2023年全球扩展坞市场规模达到了115.06亿元人民币。预测到2029年,全球扩展坞市场规模将以6.9%的年复合增长率增长至173.32亿元人民币。中国市场
2025-07-08 11:33:15
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炎热的夏天,总是需要一些冲散酷暑的小电器,给生活制造惊喜。客户最近热卖的制冷杯,被称为夏日“行走的小冰箱”,受到了许多上班族和户外一族的喜爱,充电部分采用的正是我们深圳银联宝科技研发生产的氮化镓电源芯片。今天就带你一起看看氮化镓电源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧!
2025-07-05 15:25:00
3437 新品TOLL和DFN封装CoolGaN650VG5第五代氮化镓功率晶体管第五代CoolGaN650VG5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效,符合业界最高质量标准,助力打造兼具超高效率与卓越
2025-06-26 17:07:33
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PD40W氮化镓快充电源方案:U8725AHE+U7110W芯片替代方案在选型时,需要选择比原芯片参数更多或一样的芯片。如果封装能做到pintopin,则无需更改PCB设计,否则就要重新设计PCB板
2025-06-26 16:11:11
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A+C口兼容双接口电路,可满足多设备充电需求,还可以兼容传统USB-A设备,接口互补,场景覆盖广,依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推出的PD快充A+C口:30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W,最大程度简化设计方案,易上手,低成本!
2025-06-17 17:53:33
1380 CMPA0527005F 是一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器,由CREE公司生产。这款功放器在50V电源下工作,适用于0.5到2.7GHz
2025-06-17 16:08:25
CGH35060P1 是一款由Wolfspeed 生产的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率、高增益和宽带宽能力而设计。这款晶体管非常适合3.3-3.6 GHz WiMAX
2025-06-17 15:50:48
同一套电源芯片方案,可直接应用于不同的电压输出上,这不仅有效节省成本,更是大大缩短了开发时间,使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B,输出可选5V、9V、12V,注重空间布局和兼容性问题,通过了认证测试,低耗高效,值得推荐!
2025-06-16 15:40:17
1592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化镓 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的频率范围内提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:00
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氮化镓(GaN)器件在高频率下能够实现更高效率,主要归功于GaN材料本身的内在特性。
2025-06-13 14:25:18
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版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元启版 等多款笔记本电脑,均INBOX标配 65W 49cc氮化镓快充充电器 ,这是迄今为止联想笔记本电脑 最小体积的65W INBOX电源
2025-06-13 14:00:13
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氮化镓电源芯片U8722CAS打嗝模式实现噪音和纹波最优化打嗝模式本质为电源保护机制(如短路保护),优化需在保障可靠性的前提下进行。高频噪声问题需协同芯片设计、封装工艺及PCB布局综合解决。氮化镓
2025-06-12 15:46:16
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恒压恒流PSR12V2A氮化镓电源方案U8608+U7613A在手机充电器的应用中,电池与充电器之间一般会通过一定长度的电缆相连,由此也将导致输送到电池端的电压产生一定的电压降。氮化镓电源
2025-06-05 16:16:15
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半导体器件作为现代电子技术的核心元件,广泛应用于集成电路、消费电子及工业设备等场景,其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体,凭借高功率密度与能效优势,正推动电子设备技术革新。
2025-06-05 10:33:56
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45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE,同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能!
2025-06-04 16:56:20
1070 前不久,纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:50
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氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比,性能遥遥领先。它支持多种快充协议,如PD、QC等,能够智能识别设备所需的充电功率,实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机,还是笔记本电脑、平板电脑,氮化镓
2025-05-23 14:21:36
883 全电压!PD20W氮化镓电源方案认证款:U8722BAS+U7612B上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案,立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应,PD20W氮化镓
2025-05-22 15:41:26
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谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术,其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57
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深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案:U8607/U8609+同步整流芯片U7613,推荐输出功率12V2A、12V3A,非标共板,方案成熟,性能可靠,可满足更高性能要求、更低成本需求!
2025-05-13 16:28:04
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深圳银联宝科技推出的PD 20W氮化镓单电压应用方案,主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,协议338E。输入规格:180V-264V 50Hz,输出规格:C口,PD20W:5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:49
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打造的GaNSense™氮化镓功率芯片 系列,面向 功率至 600W的家电及工业电机驱动应用。 该全集成解决方案专为电机驱动应用设计, 将两个氮化镓FET与驱动、控制、检测及智能保护功能集成在半桥里。 相较于传统硅IGBT方案,其 效率提升4%,PCB占用面积减少40%,系统
2025-05-09 13:58:18
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在65W氮化镓快充设计中,输入欠压保护与过压保护协同工作,保障充电头在电网波动时仍能稳定输出,并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766,输入欠压保护(BOP),采用ESOP-10W封装!
2025-05-08 16:30:14
1015 30~65W快充应用CCM同步整流芯片U7106同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封装,是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关,典型应用于30~65W快充,无需辅助绕组供电可稳定工作,可以在
2025-05-08 16:17:14
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关键作用。本文介绍了一种用于碳化硅升压转换器的氮化镓谐振栅极驱动器。该方案不仅能实现高效率,还能在高开关频率下保持良好控制的开关转换特性。谐振栅极驱动器原理转换器
2025-05-08 11:08:40
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氮化镓凭借高频高效特性,具备了体积小、功率高、发热低等优势,但小型化虽好,散热才是硬道理,选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765!
2025-04-29 18:12:02
943 供应CR6520B 65W 离线式开关电源 IC,提供CR6520B20v3a电源适配器方案关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向启臣微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2025-04-29 11:44:40
25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AHYLB芯片内置Boost电路将功率开关器件(如MOSFET)、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装,省去分立元件布局,显著降低PCB面积需求。深圳
2025-04-24 16:20:38
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700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766,推荐功率为65W,代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17
776 蕞近经常有小伙伴问我:MacBook接口太少了,要怎么选扩展坞才不会踩雷? 作为一名用了几代Mac的老用户,今天就来聊聊我选扩展坞的一点小心得 一、你真的需要扩展坞吗? 先问自己三个问题: 你是不是
2025-04-21 16:01:00
1024 电子发烧友网报道(文/章鹰)4月15日到17日,在慕尼黑上海电子展上,功率器件大厂英诺赛科带来了数字能源、消费电子、汽车电子、机器人领域最新的氮化镓器件方案。 图:英诺赛科展台新品和氮化镓晶圆 电子
2025-04-21 09:10:42
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如何实现高性能与低功耗的完美结合?在现代电子设备中,电源适配器的性能和效率至关重要。onsemi推出的NCP1341B1反激式控制器,为设计高性能离线功率转换器提供了创新解决方案。本文将详细解析基于NCP1341B1的65W适配器电源方案,揭示其核心技术优势及应用场景。
2025-04-16 17:24:29
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氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号功率65WYINLIANBAO深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U8722X家族,喜提“芯”成员——U8722FE,推荐最大输出功率65W,集成MOS
2025-04-10 16:30:58
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氮化镓20WPD快充方案
2025-04-10 11:06:04
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)快速充电器,最大输出功率可达65W,输入电压为通用电网电压。 这款准谐振离线变换器集成一个700V GaN(氮化镓)晶体管和优化的栅极驱动器及典型的安全保护功能,降低了利用宽带隙技术提高功率密度和能效的技术门槛。GaN功率晶体管的最高开关频率为240kHz,开关损耗极小,可以搭配使
2025-04-01 10:01:26
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深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓(GaN)FET是常关器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供应330W氮化镓方案CE65H110DNDI,原装现货 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
30W氮化镓电源ic U8608集成E-GaN和驱动电流分档功能,通过调节驱动电流档位,可以减少电磁干扰(EMI),优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下!
2025-03-28 13:36:48
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深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式,显著降低磁性元件体积,同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766,拥有超低启动和工作电流,可实现小于30mW的超低待机功耗,势如破竹!
2025-03-20 17:41:40
835 想给Switch充电兼投屏玩得更畅快,又不想要复杂的原底座?纳祥科技Switch快充方案应运而生,本方案在设计上充分考虑了用户的实际使用场景,力求为用户带来更便捷与高效的体验。01方案概述纳祥
2025-03-18 15:31:38
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GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案
2025-03-13 18:06:00
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氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:05
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日前,京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请,分享了关于氮化镓器件的最新进展,引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效率器件的需求不断加大,氮化镓(GaN)技术逐渐成为新一代电子器件的热点,其优越的性能使其在电源转换和射频应用中展现出巨大的潜力。
2025-03-13 11:44:26
1527 氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接,感兴趣的朋友可以直接下载: *附件:氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 :并联开关管广泛应用于大功率场合,如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:31
1103 什么是氮化镓(GaN)充电头?氮化镓充电头是一种采用氮化镓(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:33
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什么是氮化镓(GaN)充电头?氮化镓充电头是一种采用氮化镓(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:49
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U2G5060-140P2 是一款 140W 应用频率在 5.0~6.0GHz 的氮化镓射频功率放大管。这款放大管 具有高效率、高增益的特性。同时覆盖 5-6GHz 应用的 Demo 板,输出功率
2025-02-25 15:56:49
此参考设计是一款低成本、高密度 USB 适配器,在 ZVS 反激式拓扑中使用 UCC28782 有源钳位反激式控制器UCC5304隔离式驱动器。20V 输出时的最大额定功率为 65W,但可针对
2025-02-25 09:30:47
811 ,采用氮化镓材料,体积小巧,仅为57.5*33.5*23.8mm,极大程度的节省了设计空间。该系列电源模块共有4款,输出功率40W,输出电压分别为9V、12V、1
2025-02-24 12:02:32
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此参考设计是一个 65W USB PD3.0 适配器 适用于许多充电应用,包括 手机、笔记本电脑和平板电脑。设计 实现高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和电流感应仿真。高效率 通过准谐振反激式实现,该 在简单性和低级之间提供平衡 切换损耗
2025-02-24 09:28:18
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UCG28826 是一款高频准谐振反激式转换器,内置 170mΩ GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT),可将交流转换为直流,以实现高达 65W 的功率转换器。它最适合高功率密度应用,例如手机快速
2025-02-21 15:56:06
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在混合式氮化镓 VCSEL 的研究,2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化镓 VCSEL,此元件是以磊晶成长 AlN/GaN DBR 以及 InGaN MQW 发光层再搭配
2025-02-19 14:20:43
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对于办公多屏党来说,HDMI分屏器和扩展坞是提升效率的利器。但除了基本的扩展屏幕功能,这些设备还隐藏着许多实用技巧,能够让你的多屏办公体验更上一层楼。
2025-02-17 17:10:23
1247 过去两年中,氮化镓虽然发展迅速,但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时,不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘,这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此,在本文中,我们先对氮化镓未来的发展进行分析,并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:36
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前言 近期充电头网拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充电器,这款产品基于华源智信氮化镓方案设计,因此整体做到相当小巧,搭配可折叠插脚,便携性很好。充电器支持最高20W PD3.0快充,可满足
2025-02-14 14:46:51
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2 月 6 日消息,海外厂商 Dockcase 近日推出了一款七合一 USB-C 10Gbps 扩展坞,为数码设备用户带来了全新的解决方案。 从接口配置来看,该扩展坞十分丰富。它拥有 1 个
2025-02-07 18:02:55
1323 氮化镓电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片,内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少
2025-02-07 16:01:02
1106 深圳银联宝科技氮化镓芯片2025年持续发力氮化镓芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域,设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能,氮化镓芯片就能凭借这一特性,满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21
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近日,GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链,为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:08
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在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化镓(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37
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UCG28826 是一款高频准谐振反激式转换器,内置 170mΩ GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT),可将交流电转换为直流电,适用于高达 65W的电源转换器。它非常适合高功率密度应用,例如手机
2025-01-21 17:18:14
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在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化镓(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50
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氮化镓衬底的优势,确保其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精准测量至关重要,因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异
2025-01-17 09:27:36
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在半导体领域的璀璨星河中,氮化镓(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言,其
2025-01-16 14:33:34
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相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓(GaN)”,这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后,“氮化镓”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14
电能的高效转换。同步整流芯片的加入则有效地解决了能量损耗问题。今天介绍的是35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案:U8722DE+U7116!
2025-01-15 16:08:50
1733 PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲,介绍新的氮化镓耐压基准。
2025-01-15 15:41:09
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