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电子发烧友网>今日头条>65W氮化镓Switch底座扩展坞方案

65W氮化镓Switch底座扩展坞方案

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CE65H110DNDI 能华330W 氮化方案,可过EMC

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2025-03-31 14:26:10

330W氮化方案CE65H110DNDI

深圳市三佛科技有限公司供应330W氮化方案CE65H110DNDI,原装现货 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47

30W氮化电源IC U8608的工作原理

30W氮化电源ic U8608集成E-GaN和驱动电流分档功能,通过调节驱动电流档位,可以减少电磁干扰(EMI),优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下!
2025-03-28 13:36:48797

氮化快充芯片U8766的主要特点

深圳银联宝科技推出的氮化快充芯片集成高频高性能准谐振模式,显著降低磁性元件体积,同时通过‌同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化快充芯片U8766,拥有超低启动和工作电流,可实现小于30mW的超低待机功耗,势如破竹!‌
2025-03-20 17:41:40835

可以快充投屏,还可做拓展?纳祥科技多功能Switch快充投屏方案来了

想给Switch充电兼投屏玩得更畅快,又不想要复杂的原底座?纳祥科技Switch快充方案应运而生,本方案在设计上充分考虑了用户的实际使用场景,力求为用户带来更便捷与高效的体验。01方案概述纳祥
2025-03-18 15:31:381077

GaN驱动技术手册免费下载 氮化半导体功率器件门极驱动电路设计方案

GaN驱动技术手册免费下载 氮化半导体功率器件门极驱动电路设计方案
2025-03-13 18:06:0046951

氮化系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

氮化系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785

京东方华灿光电氮化器件的最新进展

日前,京东方华灿的氮化研发总监马欢应半导体在线邀请,分享了关于氮化器件的最新进展,引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效率器件的需求不断加大,氮化(GaN)技术逐渐成为新一代电子器件的热点,其优越的性能使其在电源转换和射频应用中展现出巨大的潜力。
2025-03-13 11:44:261527

氮化晶体管的并联设计技术手册免费下载

氮化晶体管的并联设计总结 先上链接,感兴趣的朋友可以直接下载: *附件:氮化晶体管的并联设计.pdf 一、引言 ‌ 应用场景 ‌:并联开关管广泛应用于大功率场合,如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311103

氮化(GaN)充电头安规问题及解决方案

什么是氮化(GaN)充电头?氮化充电头是一种采用氮化(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534

氮化硼散热材料大幅度提升氮化快充效能

什么是氮化(GaN)充电头?氮化充电头是一种采用氮化(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183

5G-6G GaN 28V 100W 氮化射频功率管

U2G5060-140P2 是一款 140W 应用频率在 5.0~6.0GHz 的氮化射频功率放大管。这款放大管 具有高效率、高增益的特性。同时覆盖 5-6GHz 应用的 Demo 板,输出功率
2025-02-25 15:56:49

PMP22322 65W USB Type-C® ZVS反激式参考设计

此参考设计是一款低成本、高密度 USB 适配器,在 ZVS 反激式拓扑中使用 UCC28782 有源钳位反激式控制器UCC5304隔离式驱动器。20V 输出时的最大额定功率为 65W,但可针对
2025-02-25 09:30:47811

40W ACDC系列氮化电源模块 HLK-40Mxx系列

,采用氮化材料,体积小巧,仅为57.5*33.5*23.8mm,极大程度的节省了设计空间。该系列电源模块共有4款,输出功率40W,输出电压分别为9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021

TIDA-050072 基于GaN的65W USB PD3.0 USB-C 适配器参考设计

此参考设计是一个 65W USB PD3.0 适配器 适用于许多充电应用,包括 手机、笔记本电脑和平板电脑。设计 实现高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和电流感应仿真。高效率 通过准谐振反激式实现,该 在简单性和低级之间提供平衡 切换损耗
2025-02-24 09:28:18755

技术资料#UCG28826 集成GaN的自偏置高频QR反激式转换器(65W

UCG28826 是一款高频准谐振反激式转换器,内置 170mΩ GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT),可将交流转换为直流,以实现高达 65W 的功率转换器。它最适合高功率密度应用,例如手机快速
2025-02-21 15:56:06937

混合式氮化VCSEL的研究

在混合式氮化 VCSEL 的研究,2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化 VCSEL,此元件是以磊晶成长 AlN/GaN DBR 以及 InGaN MQW 发光层再搭配
2025-02-19 14:20:431085

办公多屏党必备:HDMI分屏/扩展的隐藏技巧

对于办公多屏党来说,HDMI分屏器和扩展是提升效率的利器。但除了基本的扩展屏幕功能,这些设备还隐藏着许多实用技巧,能够让你的多屏办公体验更上一层楼。
2025-02-17 17:10:231247

垂直氮化器件的最新进展和可靠性挑战

过去两年中,氮化虽然发展迅速,但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时,不少垂直氮化的初创企业倒闭或者卖盘,这引发大家对垂直氮化未来的担忧。为此,在本文中,我们先对氮化未来的发展进行分析,并讨论了垂直氮化器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014

安克Zolo 20W氮化充电器拆解报告

前言 近期充电头网拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充电器,这款产品基于华源智信氮化方案设计,因此整体做到相当小巧,搭配可折叠插脚,便携性很好。充电器支持最高20W PD3.0快充,可满足
2025-02-14 14:46:512073

Dockcase推出USB-C 10Gbps 扩展

2 月 6 日消息,海外厂商 Dockcase 近日推出了一款七合一 USB-C 10Gbps 扩展,为数码设备用户带来了全新的解决方案。 从接口配置来看,该扩展十分丰富。它拥有 1 个
2025-02-07 18:02:551323

氮化电源芯片方案介绍

氮化电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片,内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少
2025-02-07 16:01:021106

深圳银联宝科技氮化芯片2025年持续发力

深圳银联宝科技氮化芯片2025年持续发力氮化芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域,设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能,氮化芯片就能凭借这一特性,满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21919

纳微半导体氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链,为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081234

测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化衬底厚度测量的影响

在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449

UCG28826 中文数据手册 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高频 QR 反激式转换器

UCG28826 是一款高频准谐振反激式转换器,内置 170mΩ GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT),可将交流电转换为直流电,适用于高达 65W的电源转换器。它非常适合高功率密度应用,例如手机
2025-01-21 17:18:141589

测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化衬底厚度测量的实际影响

在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404

不同的氮化衬底的吸附方案,对测量氮化衬底 BOW/WARP 的影响

氮化衬底的优势,确保其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精准测量至关重要,因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异
2025-01-17 09:27:36420

氮化衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化衬底 BOW/WARP 的影响

在半导体领域的璀璨星河中,氮化(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化衬底而言,其
2025-01-16 14:33:34366

氮化充电器和普通充电器有啥区别?

相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化(GaN)”,这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化快充充电器之后,“氮化”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14

氮化电源芯片和同步整流芯片介绍

电能的高效转换。同步整流芯片的加入则有效地解决了能量损耗问题。今天介绍的是35W氮化电源芯片搭配同步整流方案:U8722DE+U7116!
2025-01-15 16:08:501733

PI公司1700V氮化产品直播预告

PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲,介绍新的氮化耐压基准。
2025-01-15 15:41:09899

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