文章总结：光隔离探头在新能源汽车电驱、光伏逆变器和工业变频器测试中，用于抗干扰、精准测量信号，提升系统性能与故障诊断能力。
2026-01-05 09:27:39
19 效应：结温波动速率达200°C/ms，传统热模型失效 案例数据：12V/5A高速无人机电机测试显示，100KHZ PWM下IRF3205开关损耗达导通损耗
2025-12-31 10:54:02198 在之前的文章中，我们为大家介绍了很多开关电源的测试方法/项目、解决方案等，那么本文笔者为大家收集了一些开关电源的测试标准，以帮助没有接触过开关电源测试的伙伴进行测试。 电源模块 一、通用核心标准
2025-12-26 19:33:2281 
本文导读SiC/GaN将开关速度推向纳秒级，800V高压下的损耗怎么测？ZUS示波器自带双脉冲测试功能，通过“两次脉冲”精准量化开关损耗与反向恢复数据。告别模糊的波形观察，用精确数据支撑电路优化
2025-12-24 11:41:34158 
的具体应用，展示其精准捕捉与分析微弱信号的能力。 案例一：电源模块纹波噪声测试 测试目标：评估开关电源输出端的纹波电压，确保其满足设计要求（ 操作步骤： 1.硬件连接：使用DHO814标配的10:1无源探头连接电源输出端，避免探头负载影响测试结果。
2025-12-17 16:13:00112 
模块在高频应用中损耗更低，允许通过提升开关频率（如10MHz以上）缩小电感、变压器等被动元件尺寸，从而直接提升功率密度。应用成果：Neway GaN系列模块功率密度提升至120W/in³，较传统硅基
2025-12-17 09:35:07
PRBTEK PKC7030H高频电流探头用于精准测量GaN快充电源的高频开关电流，配合泰克MSO58B示波器及辅助探头，实现高精度开关损耗分析与磁元件性能评估。
2025-12-15 17:55:29160 文章详细阐述了低VF贴片二极管与MOSFET在服务器电源中的协同优化设计，通过参数对比分析说明了其在降低开关损耗、提升系统能效方面的具体表现。
2025-11-25 17:33:451026 
。这款探头在高压测量领域实现了带宽与精度的卓越平衡，特别适用于对开关电源、电机驱动、功率电子等场景中的高频振荡、快速开关瞬态进行精确观测和诊断，是功率电子工程师进行高效调试和深度分析的理想工具。 二、 核心性能优势分析 高压与高速的完美结合 ： •
2025-11-14 18:43:43146 宽禁带(WBG)半导体材料，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这些材料不仅在耐高温和耐高压方面表现出色，还具备低损耗、快速开关频率等特性。然而，要充分发挥这些先进材料的潜力，精确的测试和测量技术
2025-11-14 16:46:063489 
发电系统的直流侧精确测量方案 技术挑战与测量需求 在1500V组串式光伏系统中，直流母线电压测量面临多重挑战： 高共模电压：组件对地电压可达1000V DC 复杂纹波特性：MPPT算法导致20-100kHz开关纹波 严苛环境：温度范围-40℃
2025-11-11 13:35:50138 云镓半导体乐高化组装，一键式测试|云镓GaN自动化双脉冲测试平台作为一种新型开关器件，GaN功率器件拥有开关速度快、开关损耗低等优点。当前不同GaN工艺平台下器件行为表现差异较大，且GaN器件的静态
2025-11-11 11:47:16610 
专为严苛测试环境打造的高精度开关解决方案
2025-11-07 15:18:50
0 碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET）凭借高速开关特性，大幅降低开关损耗，目前已在各行业应用中加速渗透。然而，其器件特性所伴随的高 dV/dt（电压变化率），易引发寄生开通风险，已成为各行业应用设计中需重点规避的核心挑战。
2025-11-05 09:29:415300 
TE Connectivity（TE）射频开关连接器用测试探头电缆组件用于测量射频传输线路中微波电路的电气特性和测试信号。这些电缆组件具有三种射频开关连接器选项：SWG型、SWD/SWF型和SWJ型
2025-11-03 11:24:07383 开关电源作为电子行业中最为常见的电源类型，其应用领域十分广泛，作为电源模块测试系统的专业供应商，纳米软件接触的用户中，有很大一部的客户需要我们为其提供开关电源的测试流程和方法，作为其自动化测试中
2025-10-31 09:36:31943 
村田电容在高频电路中通过材料创新、结构优化与系列化设计，成为低损耗解决方案的核心选择，其优势体现在高频性能、低损耗特性、温度稳定性及定制化方案四个维度。 一、高频性能：突破GHz级信号传输瓶颈 村田
2025-10-30 16:52:30563 当然，随着器件的进步，开关管开关速度会变得越来越快，特别是在低电压和低功率应用中。仅考虑设备本身的开关速度，开关频率可能会很高，但实际并没有，有开关损耗的限制。
2025-10-30 14:27:532226 
4开关降压升压双向DC-DC电源转换器在很多应用中都有使用。作为一个同步降压或同步升压转换器，其中只有两个开关切换，开关损耗减少到一半。只有当直流母线和电池电压彼此接近，然后转换器作为一个同步降压-升压转换器，其中所有四个开关切换。
2025-10-17 09:29:031616 
在前面的内容中，我们了解了负载开关IC的基本定义、独特优点、实用功能及其操作，今天作为【负载开关IC】系列的最后一篇内容，芝子将带着大家了解一下负载开关IC数据表中相关术语和功率损耗计算方法。
2025-10-15 16:54:501406 
详细介绍了高频电流探头在EMI/EMC测试中的应用方案。 一、测量原理 电磁干扰主要通过传导和辐射两种途径传播，其中传导发射（CE）是EMC测试的关键项目。PKC7000系列高频电流探头采用先进的磁芯材料和结构设计，基于互感器原理工作。当探头钳
2025-10-11 15:44:34305 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:0337 一、应用背景 新能源汽车车载充电机（OBC）是将外部电网电能转换为车载动力电池电能的关键部件。在工作过程中，它需要处理0-300A的电流，而其内部的高频开关电路容易产生干扰信号。因此，对电流测量
2025-10-09 16:15:48311 
是重要的测试指标。Vds在开关过程中会产生高压脉冲，通常在数百伏至1500V之间，而Vgs则是低压驱动信号，约为10-20V。这两种信号均为差分信号，且需要在浮地环境中进行测量。传统的单端探头由于接地限制，无法满足浮地测试需求，而低压探头又难
2025-09-28 14:36:55456 
介电温谱测试技术要深入探究材料在高频条件下的极化机理与弛豫行为，就必须将高频电信号精准无误地传输至待测样品，并接收其微弱的响应信号。然而，随着频率的提升，信号在传输路径中的各种损耗会急剧增大，如同远
2025-09-24 09:28:07278 
RE测试中出现超标情况时，使用近场探头查找干扰源成为解决问题的有效手段。 一、 RE测试简介 RE测试主要用于评估电子设备在运行过程中向周围空间辐射的电磁能量强度，其目的在于确保设备产生的电磁辐射不会对周边其他电子设备或无线通信
2025-09-22 09:26:55545 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在智能化时代，电机应用需求走向高效率、高功率密度、快动态响应。而GaN功率芯片具备低开关损耗、高频等特性，在电机应用中，低开关损耗的功率芯片能够提高系统效率；高频特性
2025-09-21 02:28:007546 在电子测量领域，电流探头的精准度是确保测试数据可靠性的关键因素，而消磁操作则是维持其测量精度的重要环节。消磁的主要目的是消除探头内部磁芯的剩磁，防止其对后续测量造成干扰。然而，在实际操作过程中，电流
2025-09-18 13:46:20508 
泰克P6015A高压探头适用于开关电源高压测量，具备高带宽、高输入阻抗和高压衰减能力，支持开关器件电压应力测试与安全连接。
2025-09-12 09:14:01588 在电子测试与测量领域，示波器是一种极为常见的工具，主要用于测量电压信号。然而，在实际工作中，工程师们有时也需要测量电流信号。那么，普通数字示波器是否可以通过配备电流探头来实现这一功能呢？答案是肯定
2025-09-02 13:43:58804 
在电磁兼容（EMC）测试领域，传导骚扰电流法是评估电子设备电磁兼容性的关键手段之一。而电流探头作为获取准确测试数据的核心工具，其正确选择至关重要。合理的探头选择能够确保测试结果精准反映设备的传导骚扰
2025-08-22 10:43:31725 
泰克探头是泰克科技（Tektronix）推出的一系列测试测量附件，主要用于电子测试领域，如示波器、信号源等设备，以实现对电信号的高精度测量和分析。
2025-08-19 16:54:10524 
IGBT模块的开关损耗（动态损耗）与导通损耗（静态损耗）的平衡优化是电力电子系统设计的核心挑战。这两种损耗存在固有的折衷关系：降低导通损耗通常需要提高载流子浓度，但这会延长关断时的载流子抽取时间
2025-08-19 14:41:232335 一、应用背景 在现代电力电子领域，高频开关电源的设计至关重要。性能测试和动态行为分析是研发与质量控制的关键环节。然而，传统的钳式电流探头（如带宽为DC~3MHz的产品）虽然适用于工频或低频场景（例如
2025-08-18 13:33:09542 
。PKDV508E高压差分探头凭借其出色性能指标，是开关电源测试的得力工具，以下为详细的测试方案。 一、测量原理 开关电源的原理是利用功率半导体器件的高频开关动作，将输入的直流电压转换为高频的脉冲电压，再经过变压器进行信号
2025-08-15 14:04:24624 电子发烧友网为你提供()0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入损耗/高隔离开关相关产品参数、数据手册，更有0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入损耗/高隔离开关的引脚图、接线图、封装手册
2025-08-14 18:31:00
示波器探头连接到测试线路时，之所以能减少甚至避免信号反射，关键在于其设计中对阻抗匹配和信号传输特性进行了优化，从根本上降低了信号在传输过程中因阻抗突然变化而产生反射的可能性。具体原理可以从以下几个
2025-08-04 15:53:50455 受拓扑结构和开关损耗的影响，半桥硬开关电路的重量、体积、噪声及功率等级等技术指标在一定程度上受到限制，因此中大功率开关电源的主电路基本都采用全桥电路结构。
2025-07-11 09:22:1224899 
• 低导通电阻(RDS(ON))与优质优值系数(FOM) • 极低开关损耗 • 卓越的可靠性与一致性 • 快速开关与软恢复特性
2025-07-10 14:58:521 • 低导通电阻(RDS(ON))与优质优值系数(FOM) • 极低开关损耗 • 卓越的可靠性与一致性 • 快速开关与软恢复特性
2025-07-10 14:56:470 • 低导通电阻(RDS(ON))与优质优值系数(FOM) • 极低开关损耗 • 卓越的可靠性与一致性 • 快速开关与软恢复特性
2025-07-10 14:54:530 时间的延长会导致开关损耗增加，不仅会降低电源系统的效率，还会使开关器件发热严重。
3、 引发电磁干扰（EMI）
高频开关器件在工作过程中，由于寄生电感的存在，会产生高频振荡电流。这些高频振荡电流会通过导线
2025-07-02 11:22:49
切换的响应时间越短，意味着更小的开关损耗和更高的工作效率。MOSFET的开关速度主要受以下几个因素的影响：门极电荷（Qg）：门极电荷是MOSFET开关过程中的一个
2025-07-01 14:12:12660 
PKC6053B电流探头是一款非侵入式、宽频带覆盖、高精度与高分辨率的电流测量工具，能够准确捕捉电路中的微小电流变化，适用于开关电源、光伏逆变器等高频设备的调测与测试，同时具有自动消磁、智能调零和报警功能
2025-06-30 15:26:04539 
验证其他电压探头测量结果真实性的可靠标准。
2.超宽频带覆盖，全场景精准测量
MOIP系列探头覆盖100MHz-1GHz超宽频带，能够满足不同行业、多样化场景的测试需求。在常规电路信号检测中，可提供
2025-06-27 18:39:18
纹波噪声探头是电子测试领域中一种重要的测量工具，广泛应用于电子设备中纹波和噪声信号的精确测量与分析。在实际应用中，选择合适的纹波噪声探头对于确保测量结果的准确性和可靠性至关重要。本文将从多个角度
2025-06-19 09:02:43493 ，无惧高共模挑战 PT-6140差分探头，专为高共模电压电路设计，其100MHz的带宽与14000Vp-p的峰值输入电压，确保了在电子功率变换器、逆变器、电机速度控制及开关电源等领域的广泛应用。无论是5000Vrms CAT III的输入端与地测试，还是两输入
2025-06-18 15:22:45390 
，探头还具备5MHz带宽限制功能，这一功能不仅能够满足开关电源中FETs开关频率的测量需求，还能有效滤除更高频率的噪声和干扰。探头配备标准的BNC输出接口，能够与任何厂家的示波器兼容使用。 用户可以进入测试模式，调整偏置电压。这一功能特别
2025-06-18 11:59:56530 
高压隔离探头作为具备浮动测量功能的专业测试工具，以其优异的共模噪声抑制能力、高输入阻抗特性及低输入电容设计，成为高速精准测量差分电压信号的核心组件。该类探头广泛适用于开关电源、变频器、电子镇流器
2025-06-17 16:45:21440 
本文介绍EMI预兼容测试方案。近场测试适用于产品开发阶段辐射发射测试，可定位辐射源、节省成本。辐射发射测试常用频段30MHz - 1GHz，要求频谱仪和探头覆盖该范围、接收机灵敏度低、探头大小多样
2025-06-17 15:54:47586 
MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)在开关过程中易产生电压尖峰，可能引发器件损坏或电磁干扰问题。为有效抑制电压尖峰，需从电路设计、器件选型、布局布线及保护措施等多维度进行优化，以下为具体解决方案
2025-06-13 15:27:101372 本文将介绍如何根据开关波形计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET的损耗。这是一种在线性近似的有效范围内对开关波形进行分割，并使用近似公式计算功率损耗的方法。
2025-06-12 11:22:052161 
本文主要介绍了电流探头的工作原理、应用场景以及其在实际测试中的优势。电流探头是一种非接触式测量工具，可用于检测导体中的电流信号，适用于传导发射、辐射发射和抗扰度测试。
2025-06-06 15:40:51559 
电压开关（ZVS），大幅降低开关损耗，效率轻松做到90%以上，特别适合大功率适配器、服务器电源、LED驱动等场景。这份PDF有38页，从基本原理、设计流程到实际案例，都有讲解！下面我挑重点给大家捋一捋
2025-06-05 13:50:05
在IGBT功率模块的动态测试中，夹具的杂散电感（Stray Inductance,Lσ）是影响测试结果准确性的核心因素。杂散电感由测试夹具的layout、材料及连接方式引入，会导致开关波形畸变、电压尖峰升高及损耗测量偏差。
2025-06-04 15:07:311750 
新能源汽车电机控制器测试面临传统探头带宽不足、操作繁琐、空间适应性差等痛点。普科科技PKC6100A电流探头提供创新解决方案：具备180ns快速响应、710kHz高频捕捉能力；支持三档智能切换，效率
2025-05-30 09:55:26452 
引言 随着第三代半导体SiC器件在工业激光电源中的广泛应用，500kHz以上高频LLC谐振拓扑的测试面临新的挑战。本文针对某80A输出工业激光电源系统，详细阐述采用高频电流探头测试开关波形、谐振腔
2025-05-20 16:44:35489 
本软件可用于配置HS16P1880单片机，搭配数字型人体感应探头(可兼容19bit与22bit两种数据型数字探头)，可配置多种人体感应方案，例如小夜灯、橱柜灯、太阳能三角壁灯,降低方案的开发难度，方便用户进行方案的快速验证。
2025-05-20 16:24:42965 
电子发烧友网为你提供()0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入损耗/高隔离 Sky5® 开关相关产品参数、数据手册，更有0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入损耗/高隔离 Sky5
2025-05-19 18:34:47
一、测试原理与设备选型 安全隔离机制 采用光纤隔离技术的差分探头（如某品牌PKDV5351）可承受±1750V共模电压，其3500V CAT III隔离等级满足GB/T 18487.1-2025标准
2025-05-19 17:53:12532 
功率器件（MOSFET/IGBT） 是开关电源最核心的器件同时也是最容易损坏的器件之一。在开关电源设计中，功率器件的测试至关重要，主要包括开关损耗测试，Vds peak电压测试以及Vgs驱动波形测试
2025-05-14 09:03:011263 
电子发烧友网为你提供()0.4 至 6.0 GHz DPDT 低插入损耗/高隔离开关相关产品参数、数据手册，更有0.4 至 6.0 GHz DPDT 低插入损耗/高隔离开关的引脚图、接线图、封装手册
2025-05-13 18:29:42
，85kV共模电压承受能力，适用于新能源车电驱系统浪涌测试、光伏逆变器绝缘检测等高危场景。
· DP系列高压差分探头：500MHz带宽配合±7000V电压量程，在开关电源环路分析、IGBT开关损耗测试中
2025-05-09 16:10:01
近期深圳某企业送修一台泰克7713电压差分探头，报修故障为接入示波器后，测试值偏小很多只有正常信号的1/3。并且测试状态不稳定。对仪器进行初步检测，故障与客户描述一致。
2025-05-08 17:46:12612 
在功率器件的世界里，开关损耗是一个绕不开的关键话题。
2025-05-07 13:55:181050 的结构如主回路杂散电感会影响IGBT的开关特性，进而影响开关损耗，任何对其开关性能的研究都必然建立在实验测试基础之上，并在实际设计中尽量优化以降低变流回路杂散电感。
2025-04-22 10:30:151796 
在无线通信系统测试环节中，传输路径的异常损耗直接影响测试数据的有效性。本文从工程实践角度，系统梳理导致同轴传输链路损耗异常的五大核心要素，并提出针对性优化策略。 一、线材品质缺陷 技术解析 导体材料
2025-04-18 15:11:07933 
作为某新能源车企的电机控制系统工程师，我的日常总绕不开碳化硅（SiC）器件的双脉冲测试。三年前用传统差分探头测上管Vgs的经历堪称“噩梦”每当开关动作时，屏幕上跳动的±5V震荡波形，让我误以为
2025-04-15 14:14:16
的区别，为工程师们在实际工作中精准选择探头提供有力参考。 为何区分 1x 和 10x 探头如此重要？ 在电路测试中，不同的信号特性需要适配不同的探头设置。1x 和 10x 探头在多个关键方面存在差异，这些差异直接决定了它们的适用场景。了解这些区
2025-04-09 14:57:172247 
异的高温和高频性能。
案例简介：SiC MOSFET 的动态测试可用于获取器件的开关速度、开关损耗等关键动态参数，从而帮助工程师优化芯片设计和封装。然而，由于 SiC MOSFET 具备极快的开关特性
2025-04-08 16:00:57
在高频开关电源中，整流元件的性能直接影响能量转换效率。传统整流二极管由于较长的反向恢复时间（trr），在高频环境下会产生较大的开关损耗，降低整体效率。MDD超快恢复二极管以其短反向恢复时间、低反向
2025-04-08 09:56:12795 
我一直想搞清楚MOS管的开关损耗计算，在只知道驱动MOS管芯片的输出的驱动电压，MOS管的规格书手册，驱动频率的条件下，能够计算出MOS管的功耗大小。这样我们在原理图设计阶段的时候，就能够判断散热
2025-03-31 10:34:07
三部分。 驱动损耗（Pdr） ： 这是指驱动电路在驱动MOS管开关过程中所产生的损耗。驱动损耗的大小与驱动电路的设计、MOS管的栅极电容以及开关频率等因素有关。 开关损耗（Psw） ： 开关损耗是MOS管在开关过程中由于电压和电流的变化所产生的损耗。它
2025-03-27 14:57:231517 
在研究逆变电路的损耗时，所使用的功率器件选型也非常重要。不仅要实现预期的电路工作和特性，同时还需要进行优化以将损耗降至更低。本文将功率器件的损耗分为开关损耗和导通损耗进行分析，以此介绍选择合适器件的方法。
2025-03-27 14:20:361765 
二极管（FRD）因其短反向恢复时间（trr）和低开关损耗，成为提升开关电源效率的关键元件。本文MDD将探讨快恢复二极管在开关电源中的作用及如何优化其应用来提高转换效率
2025-03-25 09:39:56848 
。
为了满足节能和降低系统功率损耗的需求，需要更高的能源转换效率，这些与时俱进的设计规范要求，对于电源转换器设计者会是日益严厉的挑战。为应对前述之规范需求，除使用各种新的转换器拓扑(topology
2025-03-24 15:03:44
目录 什么是光隔离探头？ 1. 新品探头介绍 2. 高压差分探头 vs 光隔离探头 3. 光隔离探头的应用场景 宽禁带半导体市场前景 光隔离探头的典型测试案例——上管测试（high-side
2025-03-19 09:09:161614 
损耗、开关损耗
针对目前能源越来越紧张，各国政府针对空载损耗(即输出为空载时的输入功率消耗，又称待机损耗)都相继出台了相关的法律法规，如美国的”能源之星”(Energy Star)，联邦政府采购指令
2025-03-17 15:25:45
本文档基于作者多年从事开关电源设计的经验，从分析开关变换器最基本器件：电感的原理入手，由浅入深系统地论述了宽输入电压DC-DC变换器（含离线式正、反激电源）及其磁件设计、MOSFET导通和开关损耗
2025-03-17 14:15:11
，但在本文中我们将主要讨论 AC 和 DC 损耗。
开关电压和电流均为非零时，AC 开关损耗出现在开关导通和关断之间的过渡期间。图 2 中高亮部分显示了这种情况。根据方程式 4），降低这种损耗的一种
2025-03-17 13:38:38
基于LTSpice的GaN开关损耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318 
辅助设备： 准备好万用表或电位测试仪等测量仪器，并确保仪器能正常工作，电量充足或连接好电源，量程选择合适。 现场测量操作 插入探头 ：将探头插入被测体附近的土壤中，若土壤干燥，应在探头周围的土壤中浇入纯净水湿润，以保证良
2025-03-11 19:55:27453 是德科技（NYSE: KEYS ）开发了一种光隔离差分探头系列，专门用于提高宽禁带 GaN 和 SiC 半导体等快速开关器件的效率和性能测试。新的电压探头将在 2025 年应用电力电子会议（APEC）上展示，是德科技的展位号为 829，同时展示的还有是德科技的 MXR B 和 HD3 系列示波器。
2025-03-11 17:15:531045 本书介绍了开关电源的基本原理，DC-DC变换器设计与磁学基础，离线式变换设计与磁学技术，拓步FAQ，开关损耗和导通损耗，反馈环路分析及稳定性，EMI基础从麦克斯韦方程到CISPR标准，传导EMI限值及测量，实际的电源输入EMI滤波器，开关电源的DM和CM噪声，电磁难题的数学基础知识。
2025-03-08 16:21:41
和 DC 损耗。开关电压和电流均为非零时，AC 开关损耗出现在开关导通和关断之间的过渡期间。图 2 中高亮部分显示了这种情况。根据方程式 4），降低这种损耗的一种方法是缩短开关的升时间和降时间。通过选择一个
2025-03-08 10:27:46
在电动汽车电驱动系统中，逆变器中的高频开关动作是产生开关损耗影响逆变器效率的主要因素，特别是为适应驱动电机高速化的趋势，不得不采用较高的开关频率，从而在低速时产生不必要的开关损耗，使逆变器效率偏低
2025-03-07 14:57:35
LLC谐振转换器的核心优势在于 软开关实现的高效率、宽输入适应性及高功率密度 ，其典型应用涵盖消费电子、工业电源、新能源、医疗等高要求领域。与SiC MOSFET结合后，LLC在高频、高温、高可靠性
2025-03-07 07:30:51843 
扩大。为了满足节能和降低系统功率损耗的需求，需要更高的能源转换效率，这些与时俱进的设计规范要求，对于电源转换器设计者会是日益严厉的挑战。为应对前述之规范需求，除使用各种新的转换器拓扑(topology
2025-03-06 15:59:14
老款2000V器件两电平MPPT升压方案。结合飞跨电容三电平拓扑，可降低50%以上的开关损耗，提升系统效率至98%以上。 零反向恢复电流 ：B3D80120H2 SiC二极管无反向恢复电
2025-03-03 17:01:16935 
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET开关损耗
1 开通过程中
2025-02-26 14:41:53
在硬件电路设计领域，每一个细微的环节都对产品的性能起着至关重要的作用，尤其是在高频介电常数及介质损耗测试仪这样的高精度设备中。为了确保测试仪能够稳定、精准地运行，在硬件电路设计上采用了一系列先进且
2025-02-25 09:08:36636 
BASiC基本半导体(BASiC Semiconductor)SiC模块BMF240R12E2G3并联ANPC拓扑在225kW储能变流器PCS中的损耗分析及方案优势 1. 损耗分析 1.1 导通损耗
2025-02-25 06:58:421063 
KDYD-JZ介质损耗因数测试仪是武汉凯迪正大设计用于测定无机金属氧化物、板材、瓷器、云母、玻璃和塑料等材料介质损耗和介电常数的多用途测试仪器。
2025-02-21 17:09:32690 
MOS管损耗的8个组成部分在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用
2025-02-11 10:39:334786 
在电力电子领域，同步整流DC-DC变换器因其高效能和低损耗而得到广泛应用。然而，在实际应用中，死区损耗成为影响变换器性能的重要因素。本文将深入探讨死区损耗的概念、分类及其影响。
2025-01-29 16:31:001493 (Si) 二极管而言，这些开关损耗来自二极管关断时二极管结内存储的电荷产生的反向恢复电流。要将这些损耗降到最低，通常需要一个具有更高平均正向电流的 Si 二极管，但这会导致更大的尺寸和更高的成本。 在 CCM PFC 电路中，碳化硅 (SiC) 二极管是更好的选择，因其反向恢复电流本质上只是
2025-01-26 22:27:001634 
HVAC系统是现代建筑中不可或缺的一部分，它负责维持室内环境的舒适度，确保空气质量，并节约能源。温度探头作为HVAC系统中的一个关键组件，通过精确测量和控制温度，帮助系统高效运行。 温度探头的作用
2025-01-20 10:04:06957 、开关损耗、电压和电流波形等关键参数，进而优化电机控制器的设计。但在双脉冲测试中，上管Vgs的测量是一个技术难点，它要求我们的测量系统不仅需要具有高带宽特性，还需要更高的共模抑制能力。
测试实例 ● 被
2025-01-09 16:58:30
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