IGBT芯片经历了7代升级，它的发展趋势将会如何

IGBT芯片：产品升级趋势。IGBT芯片经历了7代升级：衬底从PT穿通，NPT非穿通到FS场截止，栅极从平面到Trench沟槽。随着技术的升级，通态功耗、开关功耗均不断减小。

第一代（PT）：产品采用“辐照”手段，由于体内晶体结构本身原因造成“负温度系数”，各IGBT原胞通态压降不一致，不利于并联运行，第一代 IGBT电流只有25A，且容量小，有擎住现象，速度低。

第二代（改进 PT）：采用“电场终止技术”，增加一个“缓冲层”，在相同的击穿电压下实现了更薄的晶片厚度，从而降低了 IGBT导通电阷，降低了 IGBT工作过程中的损耗。此技术在耐压较高的 IGBT上运用效果明显。

第三代（Trench-PT）：把沟道从表面变到垂直面，所以基区的 PIN效应增强，栅极附近载流子浓度增大，从而提高了电导调制效应减小了导通电阷；同时由于沟道不在表面，栅极密度增加不受限制，工作时增强了电流导通能力。国内主要是这一代产品。

第四代（NPT）: 目前应用最广泛的一代产品。不再采用外延技术，而是采用离子注入的技术来生成P+集电极（透明集电极技术），可以精准的控制结深而控制变射效率尽可能低，增快载流子抽取速度来降低关断损耗，可以保持基区原有的载流子寿命而不会影响稳态功耗，同时具有正温度系数特点。

第五代（ NPT-FS）：在第四代产品“透明集电区技术”与“电场终止技术”的组合。由于采用了先进的薄片技术并且在薄片上形成电场终止层，大大的减小了芯片的总厚度，使得导通压降和动态损耗都有大幅的下降，从而进一步降低 IGBT工作中过程中的损耗。

第六代（ NPT-FS-Trench）：在第五代基础上改进了沟槽栅结构，进一步的增加了芯片的电流导通能力，极大地优化了芯片内的载流子浓度和分布。减小了芯片的综合损耗。

第七代：英飞凌直接从第四代跳到第七代，因为第五代和第六代其实是过渡性的产品，不能真正的算一个代系。

▲IGBT市场趋势

IGBT模块制造是指根据特定的电路设计，将两个或以上的 IGBT芯片和快恢复二极管芯片（FRD）贴片到DBC板上，并用金属线键合连接，然后进行灌封，以满足芯片、线路之间的绝缘、防潮、抗干扰等要求，最后将电路密封在绝缘外壳内，并不散热底板绝缘的工艺。IPM=IGBT模块+驱动芯片。IPM主要应用在家电领域，上限电流在 50A左右。

2013年，士关微参与电子信息产业发展基金项目，与国内变频空调厂家一起，开发了用于变频空调驱动的国产智能功率模块（IPM）。2017年，其全自主高性能变频控制芯片成功量产，一丼追平了国内不国际竞争对手的差距，在芯片设计以及系统设计方案商取得了全新的研发成果。

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