拯救摩尔定律 IBM 9nm工艺碳纳米晶体管
根据最新消息，IBM成功利用碳纳米材料，在单个芯片上集成了上万个9nm制程工艺的晶体管，相信大家对于著名的摩尔定律都略知一二，但是随着集成电路晶体管尺寸越来越小，CPU内存等
英特尔开发48核智能手机平板电脑芯片
英特特尔研究人员在开发面向智能手机和平板电脑的48核芯片，但距离真正上市销售可能还需要5至10年时间。英特尔实验室科学家恩瑞克·赫雷罗（Enric Herrero）说，目前，他们已经开发了
意法半导体（ST）与Soitec携手CMP提供28纳米FD-...
意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
DRAM成长率明年恐创新低
根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查数据指出，在台系厂商逐步退出标准型DRAM市场下，TrendForce预估，2013年DRAM的位元供给增长仅有22.2%，为历年来最低水位。
摩尔定律等待跨越微影障碍
专家们一致认为，过去几十年来一直扮演半导体创新引擎的摩尔定律（Moore“s Law ），正由于下一代超紫外光（EUV）微影技术的延迟而失去动力。
MCU市场快速增长 差异化成制胜关键
从去年到2016年，MCU市场每年都会增长，基于ARM核的MCU市场份额是13%到23%，其中采用Cortex-M核的市场最大。
LED芯片收购绯闻爆破 晶电未考虑让陆厂入股
对于今年以来不断传出陆厂欲以参股方式与台厂合作，晶电董事长李秉杰直言，晶电私募案并未考虑让陆厂入股，倾向持续与陆厂采合资方式合作。
适用于下一代移动设备的高电流IHLP电感器
电子发烧友网核心提示 ：日前，Vishay宣布推出2020外形尺寸的新款IHLP低高度、高电流电感器。小尺寸的IHLP-2020AB-01具有1.2mm的超低高度和低至0.10H的感值。新IHLP电感器的频率范围达5MHz，
组合芯片 未来发展趋势
目前，将调制解调器与移动处理器相集成已成为一股新兴风潮，正如Marvell公司联合创始人戴伟立女士指出的那样，这是未来的发展趋势。 戴伟立女士表示：将调制解调器与应用处理器
TDK打破单盘密度限制 新技术将可制造超大容量硬盘
电子发烧友网核心提示 ：虽然传统硬盘在速度与厚度上很难与SSD 竞争，但这个老朋友仍然是提供价位、容量与速度三者兼具最好的选择。在这次日本 CEATEC 展场上，TDK 展出仅改变磁头
DDR4：速度加倍，能耗更低
微电子产业标准机构JEDEC固态技术协会终于发布了下一代同步DDR内存的技术标准：DDR4，它的数据传输速度将比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技术标准的公布是数年来世界各地的内存
电子元件：产量全球第一 创新步伐加快
为应对复杂多变的国际国内市场环境，在科学发展观的指引下，在战略性新兴产业的促进下，中国电子元件重点骨干企业在结构调整、转型升级的道路上迈出了新的步伐。
半导体显示:促进产业内涵式整合
经过十多年的发展，TFT-LCD已成为显示领域绝对主流。随着TFT-LCD和电致发光（EL）技术的进步，有源有机发光显示（AMOLED）也开始产业化。
“IMPROVE”提升欧洲半导体业的全球竞争力
参与欧洲 IMPROVE 研究计划的 35个成员成功提升了欧洲半导体业的全球竞争力。在 2009 年时，由数家全球知名的欧洲半导体公司加入了由英飞凌负责技术管理的专案计划，他们的目标是开
2012-09-25 标签：英飞凌 1119
格罗方德推出优化新世代行动装置的FinFET电晶体架构
GLOBALFOUNDRIES推出专为成长快速的行动市场所设计的新技术，加速其顶尖的发展蓝图。该公司推出的14nm-XM技术，将为客户提供3D「FinFET」电晶体的效能及能源优势，不仅可降低风险，更能
haswell处理器解析:高性能与低功耗并重
按照注明的IntelTick，Tock计划，2013年我们将迎来22纳米更新架构的haswell处理器系列。以Intel以往的惯例，haswell将在性能上比Ivy Bridge有所增强，无论从CPU还是核芯显卡方面。如果不出意外
2012-09-14 标签：处理器CPU22nmIvy Bridgehaswell处理器 4189
芯片竞争向产业链更深层次加速延伸
近来，英特尔、三星、台积电等国际半导体大公司纷纷大幅增加研发费用，并开始进军半导体设备制造领域。他们或自投资搞设备研发，或共同合作进行设备研发，或以入股入资等方式
科锐公司推出两项新型GaN工艺技术
科锐公司（CREE）宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50VG50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统的技术相比
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