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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>IR推出 AUIRF8736M2 车用DirectFET2功率 MOSFET

IR推出 AUIRF8736M2 车用DirectFET2功率 MOSFET

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2022-01-23 09:40:113

英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,树立技术新标准

英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:162199

LFPAK中的N沟道 30 V2mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30YLE

LFPAK 中的 N 沟道 30 V 2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30YLE
2023-02-16 20:02:440

I2PAK中的N沟道 40V,2.1 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40PS

I2PAK 中的 N 沟道 40 V、2.1 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40PS
2023-02-23 18:38:430

英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm²封装的MOSFET器件的产品阵容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品IXTY2P50PA

Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:251341

规级功率模块封装的现状,SiC MOSFET对器件封装的技术需求

1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求 2规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:522610

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSi MOSFET G2

在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出,标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑,为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:291432

TLC696x2/4/8-Q1扫描MOSFET控制器TLC696x0-Q1数据表

电子发烧友网站提供《TLC696x2/4/8-Q1扫描MOSFET控制器TLC696x0-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-26 10:13:530

CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

这款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。2mm × 2mm SON 为封装尺寸提供出色的热性能。
2025-04-15 17:08:38701

‌STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA SiC功率模块技术解析

电源模块集成了六个第二代碳化矽功率MOSFET。凭借其广受业界认可的尖端芯片技术,STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA能够最大限度地减少能量损失,并在高频切换频率模式下运行。该模块使得用户可以构建满足超大功率密度于高效率要求的复杂拓扑结构。
2025-10-15 09:44:08496

解析 onsemi SiC 功率MOSFET模块NVXK2PR80WXT2

作为一名电子工程师,在为电动汽车(xEV)应用设计 DC - DC 转换器和车载充电器时,合适的功率 MOSFET 模块至关重要。今天就为大家详细解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模块 NVXK2PR80WXT2
2025-12-03 16:13:24633

探索IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2:高性能与多功能的完美结合

探索IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2:高性能与多功能的完美结合 在电子工程领域,功率半导体器件的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天
2025-12-18 13:50:02215

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半桥栅极驱动器的卓越之选

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半桥栅极驱动器的卓越之选 在电力电子领域,对于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程师们关注的焦点。今天,我们就来
2025-12-20 11:30:021309

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