英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSi MOSFET G2

在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。

据了解，与上一代产品相比，英飞凌新一代的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Generation 2技术在保持卓越质量和可靠性的基础上，实现了主要性能指标的大幅提升。具体而言，该技术在能量和电荷储量等关键指标上提高了20%，从而显著提升了整体能效。这一提升不仅有助于减少能源浪费，还为实现更为环保、高效的能源利用提供了坚实的技术支撑。

英飞凌新一代CoolSiC™ MOSFET G2技术充分利用了碳化硅材料的优异性能，通过降低能量损耗来优化功率转换过程。这一技术革新在光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等功率半导体应用领域具有广泛的应用前景。它将帮助这些领域的客户实现更高的能效，进而推动整个行业的低碳化进程。

行业专家表示，英飞凌新一代碳化硅MOSFET技术的推出，是电力电子领域的一次重大突破。它不仅提升了功率系统的性能，还为实现更加环保、高效的能源利用提供了技术支持。随着这一技术的广泛应用，未来电力电子领域将迎来更为广阔的发展空间。

作为电力电子领域的领军企业，英飞凌一直致力于推动技术创新和产业升级。此次新一代碳化硅MOSFET技术的推出，再次展现了英飞凌在电力电子领域的强大研发实力和创新能力。未来，英飞凌将继续致力于研发更加先进、高效的电力电子技术，为推动全球能源转型和可持续发展贡献更多力量。