车规级功率模块封装的现状，SiC MOSFET对器件封装的技术需求

1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求；2、车规级功率模块封装的现状；3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装；4、未来模块封装发展趋势及看法

编辑：黄飞

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MOSFET(230975) MOSFET(230975)
封装技术(69202) 封装技术(69202)
SiC(68650) SiC(68650)
功率模块(46728) 功率模块(46728)

三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用（2）

随着市场需求的不断增长，SiC MOSFET在电动汽车中的应用日益广泛，已经成为推动电动汽车电气化和高效能的重要技术之一。上一篇我们介绍了三菱电机SiC MOSFET模块的芯片、封装和短路保护技术，本章节主要介绍三菱电机车规级SiC MOSFET产品，包括模块及芯片。

2025-08-08 16:14:21

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SiC功率模块封装技术及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联

2023-01-07 10:24:37

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碳化硅功率器件封装技术解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂

2023-09-24 10:42:40

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意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置

充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有

2023-10-31 15:37:59

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AOS推出采用 TOLL 封装技术的80V 和 100V 车规级MOSFET

应用的80V 和 100V MOSFET，这两款车规级器件是TO-Leadless (TOLL) 封装。AOS TOLL 封装旨在优化功率半导体器件成为电动汽车发展中的重要组件，尤其是在两轮和三轮及其

2023-12-14 16:55:24

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多款产品通过车规认证，国产SiC MOSFET加速上车

潮，令800V平台、SiC电驱开始打进20万内的市场，SiC也进一步能够加速在市场上普及。最近两家国内厂商又有多款SiC MOSFET产品通过了车规级认证，这将继续推动SiC功率器件量产上车。瞻芯电子瞻芯电子3月8日宣布，由公司开发的三款第二代650V SiC MOSFET产

2024-03-13 01:17:00

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SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较

SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜相关产品信息＞MOSFETSiC-DMOS

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件结构和特征

另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。　　因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。　　如果

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么优点

，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体

2019-04-09 04:58:00

SiC MOSFET的器件演变与技术优势

一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。　　碳化硅或碳化硅的历史

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：经济高效且可靠的高功率解决方案

家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性

2019-07-30 15:15:17

SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾

2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件的封装技术研究

不具备足够的坚固性。当前对大功率、高温器件封装技术的大量需求引起了对这一领域的研发热潮。　　SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上

2018-09-11 16:12:04

SiC功率元器件的开发背景和优点

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点

2018-11-29 14:35:23

车规级GPS模块有哪些特征？

2021-05-18 06:54:02

车规级的器件选型

`各位今天聊聊车规级的芯片选型。如果需要的芯片没有车规级别的，但又工业级别的。从稳定性，可靠性方面考虑，应该要层元器件的那些特性为主要的考虑因素呢，是温度？`

2015-10-15 14:22:18

车用SiC元件讨论

个月的研发合作。本文将讨论本专案中与车用电子的相关内容，并聚焦在有关SiC技术和封装的创新。WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家（意大利、法国、德国和捷克共和国）的20个合作伙伴组成，包括大型企业

2019-06-27 04:20:26

CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE

CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工业级全碳化硅（SiC）半桥功率模块，专为高功率密度、极端高温环境

2025-03-17 09:59:21

CYNTEC车规级功率电感VCGA052T：高性能替代Eaton SDCHA1V50

在汽车电子领域对高可靠性元件需求日益增长的背景下，CYNTEC推出的车规级功率电感VCGA052T凭借卓越性能成为Eaton SDCHA1V50的理想替代方案。VCGA052T电感采用创新磁芯材料

2025-11-05 13:59:25

GW1NZ系列车规级FPGA产品封装与管脚手册

GW1NZ系列车规级FPGA产品封装与管脚手册主要包括高云半导体GW1NZ系列FPGA产品（车规级）的封装介绍、管脚定义说明、管脚数目列表、管脚分布示意图以及封装尺寸图。

2022-09-28 11:05:08

MEMS器件的封装级设计

MEMS器件有时也采用晶圆级封装，并用保护帽把MEMS密封起来，实现与外部环境的隔离或在下次封装前对MEMS器件提供移动保护。这项技术常常用于惯性芯片的封装，如陀螺仪和加速度计。这样的封装步骤是在MEMS

2010-12-29 15:44:12

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装

) MOSFET功率模块的极低电感封装这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列而开发，经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率。美高森美将在德国

2018-10-23 16:22:24

PQFN封装技术提高性能

标准(与线性电源相比具有更好的功率密度和效率)，组件设计人员设法通过芯片级创新和改进封装来不断提升功率MOSFET的导通和开关性能。芯片的不断更新换代使得在导通电阻(RDS(ON))和影响开关性能

2018-09-12 15:14:20

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

技术领域都拥有强大的优势，双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后，通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与Apex Microtechnology的模块技术完美结合，双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案，从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。

2023-03-29 15:06:13

SiLM27531HAC-7G车规级单通道 30V, 5A/5A 高欠压保护阈值的高速低边门极驱动解析

的 VDD 供电，轻松满足20V+驱动需求（如IGBT、SiC）。UVLO阈值13.5V~30V，适配高驱动电压应用。卓越鲁棒性与可靠性：车规级认证：符合 AEC-Q100 标准，满足汽车电子

2025-08-09 09:18:36

SiLM27531H面向宽禁带器件的高性能车规级低边驱动器

在高效开关电源、车载充电机等应用中，驱动电路的性能直接影响着GaN、SiC等新一代功率器件的潜力发挥。为满足高频、高压驱动的严苛要求，SiLM27531H——一款通过车规认证的单通道低边门极驱动器

2025-12-26 08:20:58

为何使用 SiC MOSFET

要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断

2017-12-18 13:58:36

了解一下SiC器件的未来需求

Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共24颗，拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速导入。不过，市场估算，循续渐进采用SiC后，平均2辆Te.

2021-09-15 07:42:00

什么是车规级芯片

`　　谁来阐述一下什么是车规级芯片？`

2019-10-18 10:55:55

全SiC功率模块介绍

从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC

2018-11-27 16:38:04

全SiC功率模块的开关损耗

SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET，使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值，对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代

2018-11-27 16:37:30

分立器件封装技术及产品的主要发展状况

和双极型功率晶体管的特点，现已开发出第5代技术的产品，在600V以上中等电压范围内成为主流功率器件，从模块化封装转向分立单管封装，做成塑封器件，应用于空调器、洗衣机、微波炉、电饭煲、电磁灶等白色家电中

2018-08-29 10:20:50

基于EDT2技术及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块

英飞凌科技股份公司于近日推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。根据逆变器的具体条件，这款750V的模块最大可以支撑50kW

2021-11-29 07:42:30

归纳碳化硅功率器件封装的关键技术

摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战

2023-02-22 16:06:08

搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块

2019-03-12 03:43:18

有知道国内生产车规级器件的吗？求大神

求可靠的生产厂家，车规级器件。求推荐

2017-05-12 10:21:28

浅析SiC-MOSFET

，一直被视为“理想器件”而备受期待。然而，相对以往的Si材质器件，SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求，将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。近年来，随着国内多品牌的进入，SiC技术

2019-09-17 09:05:05

深度解析车规级低边单通道门极驱动SiLM27531H

、变频器中的隔离或非隔离驱动电路。总结在功率半导体技术快速迭代向GaN、SiC演进的时代，门极驱动器的性能已成为决定系统天花板的关键一环。SiLM27531H以其车规级的可靠性、对标先进功率器件的超高速

2025-12-12 08:39:51

深爱半导体代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能单相IPM模块

深爱半导体推出新品IPM模块 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模块）是集成了功率器件、驱动电路、保护功能的“系统级”功率半导体方案。其高度集成方案可缩减 PCB

2025-07-23 14:36:03

满足供电需求的新型封装技术和MOSFET

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代

2012-12-06 14:32:55

罗姆成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装

方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电阻降低了约30％，实现了芯片尺寸的小型化。另外，通过独创的安装技术，还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装，使SiC-MOSFET的体

2019-03-18 23:16:12

采用第3代SiC-MOSFET，不断扩充产品阵容

%。这非常有望进一步实现应用的高效化和小型化。全SiC功率模块的产品阵容扩充下表为全SiC功率模块的产品阵容现状。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的产品阵容中也增添了

2018-12-04 10:11:50

SiC功率器件的封装技术要点

SiC功率器件的封装技术要点　　具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与S

2009-11-19 08:48:43

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晶片级封装技术应用手册

国际整流器公司的晶片级封装(Wafer Level Package)器件将最近的芯片设计与最新的封装技术结合使具有最可能小的体积。首先使用WLP 技术的产品是HEXFET 功率MOSFET 器件的FlipFET 系列，FlipFET

2011-05-19 18:18:46

满足供电需求的新型封装技术和MOSFET

满足供电需求的新型封装技术和MOSFET

2012-08-29 14:52:06

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SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景

本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。

2018-05-28 15:33:54

12108

中科同志获2021年中国国际车规级功率器件封装优质供应商奖

2021年11月4日-5日举办的2021年中国国际车规级功率半导体年会上,中科同志获得2021年度中国国际车规级功率器件封装服务类年度优质供应商奖。由旺材新媒体和中国国际车规级功率半导体组委会共同

2021-11-10 09:18:31

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派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线

自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。

2021-12-08 15:55:51

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安森美推出采用TOLL封装的SiC MOSFET

晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。

2022-05-11 11:29:33

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瞻芯电子1200V大电流MOSFET获车规级认证

值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。

2022-11-08 14:45:16

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SIC功率器件的发展现状！

近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。

2022-11-24 10:05:10

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“合作共赢·智行天下”华润微电子重磅发布车规级系列产品

。会议主要围绕华润微电子在车规功率器件与模块、车规工艺等方面的布局展开，其中在车规级功率器件技术及市场方面，公司针对车规级中低压MOS、高压超结MOS、IGBT以及SiC MOS单管与模块等器件芯片制造、模组封装、可靠性提升等关键技术进行分享；发

2022-12-14 17:22:28

1060

低杂感模块封装内部是如何设计的

大家好，我们都知道无论是**功率半导体模块封装设计**还是**功率变换器的母线**设计，工程师们都在力求 **杂散电感最小化** ，因为这样可以有效减小器件的 **开关振荡及过压风险** ，今天我们结合主流功率半导体厂商的SiC MOSFET模块，聊一下低杂感模块封装内部是如何设计的？

2023-01-21 15:45:00

2218

ST推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装

™ SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、一个 600V超快二极管整流桥、一个 1200V 半桥全波整流模块和一

2023-01-18 15:40:29

1253

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。

2023-02-10 09:41:08

2522

SiC功率器件的封装形式

SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底，因为它具有合理的热导率（60W/m-K）和低热膨胀系数（2.7ppm/℃），与SiC的热膨胀系数（3.9ppm/℃）十分接近。

2023-02-16 14:05:57

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如何辨别车规级电子元器件

车用电子元器件，也称为车规级电子元器件，它以国际汽车电子协会(Automotive Electronics Council，简称AEC)作为车规验证标准。其测试条件比消费型类电子元器件更加

2023-02-23 11:24:49

4596

国产SIC MOSFET功率器件推出1200V大电流MOSFET获得车规认证

2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。

2023-03-22 16:47:33

3850

全面详解车规级芯片封装技术

按功能种类划分，车规级半导体大致可分为主控/计算类芯片（MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等）、功率半导体（IGBT和MOSFET）、传感器（CIS、加速传感器等）、无线通信及车载接口类芯片、车用存储器等。

2023-04-08 11:24:22

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深度解析车规级芯片封装技术

2023-04-18 11:52:03

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赛晶首款车规级SiC模块进入测试阶段！

近日，赛晶首款车规级SiC模块——HEEV封装SiC模块亮相德国纽伦堡电子展（PCIM Europe 2023)，引发国内外与会专家、客户的广泛关注。HEEV封装SiC模块来自高效电动汽车模块平台

2023-05-31 16:49:15

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国产车规级功率电感厂家科普功率电感封装不同能用吗

国产车规级功率电感厂家科普功率电感封装不同能用吗编辑：谷景电子功率电感作为一款应用非常广泛的一种电感产品，大家在使用功率电感的时候会遇到很多问题。关于功率电感使用的问题我们已经给大家分享了很多，本篇

2022-11-08 15:19:37

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浅谈车规级功率模块测试

，中车时代电气，练就了多年各路英豪，在当下车规级功率半导体器件领域各显其能，在一定程度上，我们想借用英飞凌Hybridpack模块封装形式，切入标准化电驱应用领域

2023-01-17 09:28:02

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科普:车规级芯片封装技术

贞光科技从车规微处理器MCU、功率器件、电源管理芯片、信号处理芯片、存储芯片、二、三极管、光耦、晶振、阻容感等汽车电子元器件为客户提供全产业链供应解决方案汽车芯片的基本概况车规级半导体，又俗称

2023-03-07 17:03:24

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车规级芯片封装技术

2023-04-04 17:45:34

1623

SiC功率模块封装技术：探索高性能电子设备的核心竞争力

随着电子技术的不断发展，硅碳化物（SiC）功率模块逐渐在各领域获得了广泛应用。SiC功率模块具有优越的电性能、热性能和机械性能，为高性能电子设备提供了强大的支持。本文将重点介绍SiC功率模块的封装技术及其在实际应用中的优势。

2023-04-23 14:33:22

2623

瞻芯电子TO263-7封装SiC MOSFET量产，助力高密高效功率变换

瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET产品（IV1Q12160D7Z），该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。

2023-06-27 11:29:48

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TMC2023-车规级功率半导体论坛剧透丨SiC在NEV中的创新型应用

，电驱动系统引入SiC模块如何进一步降低杂散电感，功率器件与模块可靠性如何提升等。以上话题将在SiC在NEV中的创新型应用版块一一研讨。第十五届汽车动力系统技术年会（TMC2023）暨第二届车规级功率半导体及应用技术论坛将于7月13-14日在青岛重磅推

2023-06-27 16:06:52

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车规级功率器件可靠性测试难点及应用场景

车规级功率器件未来发展趋势材料方面: SiC和GaN是必然趋势，GaAs在细分领域有可能 ●封装方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●评测方面:多应力综合测试方法、新型结温测试方法和技术 ●进展方面:国产在赶超进口(参数和性能)，可靠性还需要时间沉淀

2023-07-04 10:48:05

1221

车规级IGBT功率模块散热基板技术

散热基板是IGBT功率模块的核心散热功能结构与通道，也是模块中价值占比较高的重要部件，车规级功率半导体模块散热基板必须具备良好的热传导性能、与芯片和覆铜陶瓷基板等部件相匹配的热膨胀系数、足够的硬度和耐用性等特点。

2023-07-06 16:19:33

2261

SiC MOSFET器件技术现状分析

对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。

2023-08-08 11:05:57

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赛晶科技发布一种车规级HEEV封装SiC模块

赛晶科技表示，为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

2023-09-02 09:42:41

1247

SiC功率器件的封装技术

传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，而且不具备足够的坚固性。

2023-10-09 15:20:58

1207

国产车规级芯片发展现状、问题及建议

近年来，国产汽车产业蓬勃发展，成为全球最大的汽车市场之一。然而，汽车电子系统在车辆中的应用越来越广泛，对高性能、可靠的车规级芯片需求也随之增加。本文将探讨国产车规级芯片发展的现状，面临的问题以及可能的解决方案和建议。

2023-10-21 15:43:14

3624

国星光电SiC-MOSFET器件获得AEC-Q101车规级认证

继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后，近日，国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件也成功获得了

2023-10-24 15:52:32

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SiC MOSFET的封装、系统性能和应用

，能够像IGBT一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中，我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性和如何优化SiC栅极驱动电路。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封装、系统性能和应用。封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近

2023-11-09 10:10:02

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芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证，成功进入新能源汽车供应链！

近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V

2023-12-06 14:04:49

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AOS｜80V和100V车规级TOLL封装MOSFET

2023-12-15 11:26:49

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瞻芯电子1200V/650V SiC塑封半桥模块获车规认证

出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技术的SMPD塑封半桥模块产品，并顺利通过了车规级可靠性认证（AQG324）。

2024-03-07 09:37:27

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瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

近日，瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z，该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。

2024-04-07 11:37:32

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基于NX封装的低杂感SiC MOSFET模块设计

功率模块从硅IGBT技术过渡到基于SiC MOSFET技术是不可避免的。然而，从硅IGBT时代留下来的外形尺寸偏好仍然阻碍着SiC技术的商业化，因为它们已经被认为具有较高的寄生电感。

2024-05-08 17:43:58

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TMC2024丨车规级功率半导体论坛剧透一丨SiC模块特色封装与半导体制造技术创新

聚焦车规级功率半导体与应用技术创新及发展趋势 21+创新技术与战略报告 15+车规级SiC相关企业产品展示 1场高层闭门会 SiC在新能源汽车上的应用进展远超行业预估，降本增效，提升可靠性，突破

2024-06-18 15:26:46

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瞻芯电子SiC MOSFET技术新突破，车规级产品正式量产

Ω SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）成功通过了车规级可靠性（AEC-Q101）测试认证，这一里程碑式的成果标志着瞻芯电子在SiC MOSFET领域的技术实力达到了新的高度。

2024-06-24 10:05:43

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TMC2024丨车规级功率半导体论坛剧透二丨全球技术趋势与主驱功率半导体应用创新

聚焦车规级功率半导体与应用技术创新及发展趋势 21+创新技术与战略报告 15+车规级SiC相关企业产品展示 1场高层闭门会随着新能源汽车快速发展，应用于主驱逆变器的功率半导体竞争愈演愈烈，紧跟

2024-06-26 16:18:27

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SiC MOSFET模块封装技术及驱动设计

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优良特性，需要通过模块封装以及驱动电路系统，才能得到完美展现。

2024-10-16 13:52:05

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下一代主流SiC IGBT模块封装技术研发趋势——环氧灌封技术

的影响引线框架氧化对模块分层的影响去溢料的过程对模块分层的影响在之前，国内绝大多数功率器件IGBT SiC模块厂家采用传统硅胶灌封方式；随着国内客户在新能源车用电网电力风电方面（1200V以上领域）对模块封装的要求越来越高，硅胶灌封有不足之处，

2024-12-30 09:10:56

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SiC模块封装技术解析

较多的阐述，比如IGBT模块可靠性设计与评估，功率器件IGBT模块封装工艺技术以及IGBT封装技术探秘都比较详细的阐述了功率模块IGBT模块从设计到制备的过程，那今天讲解最近比较火的SiC模块封装给大家进行学习。 SiC近年来在光伏，工业电

2025-01-02 10:20:24

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SiC MOSFET分立器件及工业模块介绍

BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍

2025-01-16 14:32:04

碳化硅功率器件的封装技术解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性，在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而，要充分发挥SiC器件的性能，封装技术至关重要。本文将详细解析碳化硅功率器件的封装技术，从封装材料选择、焊接技术、热管理技术、电气连接技术和封装结构设计等多个方面展开探讨。

2025-02-03 14:21:00

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三菱电机高压SiC模块封装技术解析

SiC芯片可以高温工作，与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持175℃工作结温，其封装技术相对传统IGBT模块封装技术做了很大改进，本文带你详细了解内部的封装技术。

2025-02-12 11:26:41

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SiC器件封装技术大揭秘：三大“绝技”让你惊叹不已！

半导体碳化硅（SiC）功率器件作为一种宽禁带器件，以其耐高压、高温、导通电阻低、开关速度快等优异特性，在电力电子领域展现出了巨大的应用潜力。然而，要充分发挥SiC器件的这些优势性能，封装技术起着

2025-02-21 13:18:36

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会展动态｜TMC2025车规级功率半导体论坛「初步日程+展览」首发

将聚焦车规级功率半导体前沿技术，汇聚全球顶尖企业与行业领袖。两天议程覆盖四大核心板块： >第三、四代车规级功率半导体全球发展趋势 >主驱功率半导体应用需求 >SiC/GaN模块封装技术革命 >SiC器件创新设计与制造创新比亚迪、吉利、汇川、舍弗勒、采埃孚、

2025-04-17 13:50:46

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车规级封装的优势有哪些

封装技术不仅是芯片的保护壳，更是决定芯片工作稳定性的核心要素，普通封装芯片在汽车电子领域使用时，可能会因为一次颠簸或高温罢工，而车规级封装却能在15年寿命周期内耐受极端环境。

2025-05-07 10:27:42

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扬杰科技SiC车规级功率半导体模块封装项目盛大开工

2025 年5月9日上午，中共扬州市委副书记、秘书长焦庆标，邗江区委书记张新钢，扬州市财政局局长杨蓉、副局长徐军，扬州市邗江区副区长陈德康等领导齐聚扬杰科技，出席扬杰科技SiC车规级功率半导体模块

2025-05-10 09:16:20

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闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET

，闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET，为电动汽车行业注入强劲新动能。

2025-05-14 17:55:02

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森国科推出SOT227封装碳化硅功率模块

碳化硅（SiC）功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。

2025-08-16 13:50:09

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商用车电驱动SiC模块选型返璞归真：从DCM/HPD封装回归ED3封装碳化硅功率模块的市场报告

工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，代理并力推BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET功率模块，SiC模块驱动板等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。倾佳电子杨茜致力于推动国产S

2026-01-03 17:30:48

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车规级功率模块封装的现状，SiC MOSFET对器件封装的技术需求

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