根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体业者受惠;另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(International Rectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。
2015-09-14 09:08:20
1368 本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:015665 
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年，基于氮化镓材质的 LED 发光二极管才被发明出来（使用掺有镁的氮化镓），。这是里程碑式的历史事件。虽然最初的氮化镓 LED ，它的亮度还不足以商用，但这是人类第一次制备出能够发出蓝
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀
2025-01-15 16:41:14
满足军方对小型高功率射频器件的需求，WBST 计划在一定程度上依托早期氮化镓在蓝光 LED 照明应用中的成功经验。为了快速跟踪氮化镓在军事系统中的应用，WBST 计划特准计划参与方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
的转换器。在氮化镓（GaN）功率FET的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一个600V GaN功率级样品时，我惊叹于该
2019-07-29 04:45:12
通过一个例子来说明使用集成的柔性功率器件的好处。设想设计为由SoC或FPGA控制的无人机设计电源管理系统。图2显示了该系统中的四个组件，它们完全匹配电源管理IC（PMIC）。 图2：分立与集成功率
2017-04-01 15:38:45
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
CHA8107-QCB两级氮化镓（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款两级氮化镓（GaN）高功率
2025-12-12 09:40:25
集成在一颗芯片中。合封的设计消除了寄生参数导致的干扰，并充分简化了氮化镓器件的应用门槛，像传统集成MOS的控制器一样应用，得到了很高的市场占有率。钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合封应用的市场空白，推出
2021-11-28 11:16:55
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
ZCC5080E是一款5V输入，支持双节锂电池的升压充电管理IC。ZCC5080E集成功率MOS，采用异步开关架构，使其在应用时仅需要极少的外围器件，可有效减少整体方案尺寸，降低BOM成本
2020-10-29 06:33:46
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
如何在系统级芯片上集成模拟音频IP？
2021-06-03 06:10:59
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
，氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
进的氮化镓值。 2015年，在测量功率开关的Ec时，我们还推测，同样地在更小的器件中允许更高的电场，氧化镓可能会在射频电路中取得类似成功。不过那时我们缺少一个关键信息，即还没有关于材料中的电子速度与电场
2023-02-27 15:46:36
集成功率放大器一、概念广泛用于收音机等设备中的DG4100系列单片集成放大器。该功放电源电压UCC=9V，RL=4欧，输出功率大于1W。二、内部电路组成简介由三极直接耦合放大电路和一级互补对称放大
2016-12-23 18:14:13
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
摘要：将集成功率级LED与集成恒流源电路进行一体化混合集成工艺设计，保证了3～l0W的集成LED在低于l00mA的驱动电流下正常工作。恒流源采用跟随浮压技术进行设计，使集成LED的工
2010-05-13 08:44:28
18 简单实用的TDA2822M集成功率
2006-04-17 23:25:326490 
集成功率放大电路实验
一、实验目的 1．掌握测量集成功率放大电路主要电路指标的方法 2．理解功率放大电路的工作原
2008-12-05 16:50:349293 
单片集成功率放大电路
5G37集成功率放大器，内部是由两级直接耦合电路组成的
2009-09-17 08:11:282295 
集成功率放大器件或分立元件放大电路的比较
摘 要：功率放大电路通常由集成功率放大器件或分立元件放大电路组成，两者各有优缺点。
2009-09-17 08:39:139363 
单通道集成功率放大器
表18-24 列出了一些单通道集成功率放大器的主要特性参数。
2009-09-19 16:02:35690 大功率集成功率放大器
大功率集成功率放大器是一种新型的音响功放集成模块，它和一般的集成功率放大器相比，具有增益高、失真小、频率响应宽、功耗小、输出功
2009-09-19 16:05:102204 集成功率级LED与恒流源电路一体化设计
目前,功率级LED产品有两种实现方式：一是采用单一的大面积功率级LED芯片封装,美国、日本已经有5W芯片的产
2009-10-17 10:03:141008 
首批商用氮化镓集成功率级器件
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011094 
Vishay发布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的集成功率光敏，分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A，扩
2010-03-26 11:38:56973 IR推出高效率氮化镓功率器件
目前，硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率，不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了
2010-05-10 17:50:571347 iP1837 和 iP1827 紧凑灵活型单输入电压 DC-DC 稳压器全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出 iP1837 及 iP1827 iPowIR 稳压器，适用于要求大电流的负载点(POL) 应用
2011-03-07 16:03:231804 RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增模块。RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化镓功率倍增模块。该器件同时采用了氮化镓 HEMT 和砷化镓 pHEMT 技术，可在
2011-11-16 10:06:461607 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3551以扩充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特别适合下一代服务器、台式电脑、显卡及通信系统应用。
2012-02-17 09:37:092818 全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 （GaN） 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一家业界领先的消费电子产品公司所生产。
2013-05-14 11:22:221180 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），今天发布了新型氮化镓 （GaN） 集成功率倍增器，为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。
2013-07-16 10:50:071645 中国上海，2016年4月19日，2016 ——领先的高性能射频、微波、毫米波及光子半导体供应商MACOM Technology Solutions Inc. （“MACOM”）今天推出了全新的基于砷化镓衬底pHEMT工艺制作的三级单片集成功率放大器MAAP-011199。
2016-04-19 13:35:412022 氮化镓功率器件及其应用(一)氮化镓器件的介绍
2019-04-03 06:10:007864 
氮化镓功率器件及其应用(四)TI氮化镓器件在无桥PFC设计中的应用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化镓功率器件及其应用(三)TI氮化镓器件在无桥PFC设计中的应用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
氮化镓功率器件及其应用(二)TI用氮化镓器件实现的DCDC设计方案
2019-04-03 06:13:006339 
近日，氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。
2020-07-06 08:46:052191 2020年氮化镓快充技术的商用正式进入快车道，尤其是随着数码产品大功率快充以及5G时代的到来，氮化镓技术在消费类电源领域的发展如鱼得水，市场容量增速迅猛。氮化镓快充市场的爆发，带来的不仅是功率器件
2021-01-08 16:06:293915 氮化镓器件的应用与集成化综述
2021-07-22 09:52:380 本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性，对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的特点加以说明。
2022-04-24 16:54:336940 
前言 氮化镓技术在消费类电源领域的大规模商用，带来了电源配件产品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高频、高效的特性，体积小巧、更加便携的高密度快充逐渐取代了传统的传统板砖式电源适配器，用户
2022-09-07 18:47:024125 集成功率器件可简化FPGA和SoC设计
2022-11-02 08:15:591 氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:524734 
氮化镓是一种半导体材料，具有良好的电子特性，可以用于改善电子器件的性能。氮化镓的主要用途是制造半导体器件，如晶体管、集成电路和光电器件。
2023-02-15 18:01:014179 氮化镓功率器件可以分为三类：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（晶闸管）和JFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。
2023-02-19 14:32:393120 氮化镓功率器件是一种用于控制电子设备功率的器件，它可以提供高效率、低噪声和高稳定性的功率控制。它们可以用于控制电源、电池充电器、电源管理系统、电源调节器、电源滤波器等应用。
2023-02-19 17:20:4811077 
在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021876 
合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:232506 SILERGY矽力杰集成功率级DrMOS方案
2023-06-07 15:17:172099 
电动汽车驱动电机控制器基本结构可分为：壳体、高低压连接器、电子控制元件、电气控制元件、电气功率元件。 电气功率元件主要为IGBT集成功率模块，是电气控制器关键零部件。 通过电子控制元件与电气控制
2023-07-28 11:03:453706 
英集芯厂家推出一款IP2726改进版本，可以很好地解决此类问题，具体型号为IP2726_BS1的多口协议芯片，在氮化镓充电器方案中的A+C共享方案采样电阻用如下的连接方式，优点主要有三点
2023-08-16 09:14:222714 
氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:154484 氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:3410640 
在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:231900 
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:442506 论文研究氮化镓GaN功率集成技术
2023-01-13 09:07:473 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:221796 氮化镓功率器件的电压限制主要是由以下几个原因造成的。 首先，氮化镓是一种宽能带隙半导体材料，具有较高的击穿电场强度和较高的耐压能力。尽管氮化镓材料具有较高的击穿电场强度，但在制备器件时，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:292188 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:416137 （伟诠电子，TWSE：2436）今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装
2024-04-25 10:46:561248 IP2320是一款支持双节串联的升压充电芯片，IP2320集成功率MOS，采用同步开关充电，外围少BOM成本低， 5V输入同步升压充电，恒压充电电压外部电阻可调，恒流充电电流外部电阻可调，支持NTC
2024-05-18 00:39:530 全球氮化镓功率半导体行业的领军者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成电路的佼佼者伟诠电子联合宣布，双方已成功推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP）。这两款新品与去年伟诠电子
2024-05-23 11:20:001098 单片集成功率放大器件的功率通常在 1瓦 左右。单片集成功率放大器件（Monolithic Power Amplifier，简称MPA）是一种集成电路，它将功率放大器的功能集成在一个芯片上。这种器件
2024-09-20 17:28:461267 （WLAN）等。这种器件的工作原理涉及到多个电子工程领域的知识，包括半导体物理、射频（RF）设计、信号处理和系统集成等。 单片集成功率放大器件的工作原理概述 半导体材料和工艺 ： 单片集成功率放大器件通常使用硅（Si）或砷化镓（GaAs）等半导体材料制造。 制造过程中，通过光刻、离子注
2024-09-20 17:30:011341 在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步，打破车规级功率半导体性能边界 近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736
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