STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA汽车电源模块提供带有集成NTC的六块 拓扑结构,专门用于混合动力和电动汽车中板载充电器 (OBC) 的DC/DC 转换器 级。该电源模块集成了六个第二代碳化矽功率MOSFET。凭借其广受业界认可的尖端芯片技术,STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA能够最大限度地减少能量损失,并在高频切换频率模式下运行。该模块使得用户可以构建满足超大功率密度于高效率要求的复杂拓扑结构。
数据手册:*附件:STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块数据手册.pdf
AlN绝缘底层能够实现最佳的热性能。此外,ACEPACK DMT-32-specific采用了模塑上凹槽设计,有效保证了更大的爬电距离。锯齿状引脚选项增加了PCB电平的灵活性。
特性
- 符合AQG 324标准
- 1200 V 的闭塞电压
- R
DS(on)(典型值):47.5mΩ - 最高工作结温T
J= 175°C - 锯齿形引脚排列
- 采用DBC Cu-AlN-Cu基底层,有效提升热性能
- 隔离电压:3kV
- 集成NTC温度传感器
典型应用

引脚分配

STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA SiC功率模块技术解析
一、模块核心特性与设计亮点
- 六桥拓扑集成
- 采用第二代SiC MOSFET,1200V耐压与47.5mΩ典型导通电阻(RDS(on)),支持175℃高温运行,适用于高频开关场景。
- 独特的DBC Cu-AlN-Cu基板设计,提升散热性能(RthJC=0.38°C/W)。
- 关键性能参数
- 引脚布局创新
- Zig-zag排列的32引脚(ACEPACK DMT-32封装),优化PCB布线灵活性,减小寄生电感。
二、车载充电器(OBC)应用设计指南
- 驱动电路设计
- 热管理建议
- 利用AlN基板的高导热性,建议搭配散热器使结温≤150℃(绝对最大值175℃)。
- 瞬态热阻抗曲线(图18)显示,单脉冲下ZthJC随脉宽变化趋势,需据此设计散热方案。
- 系统级优化
- 通过降低总线电压(如600V→400V)可减少开关损耗约30%(见图15-16),但需权衡导通损耗。
三、实测数据与曲线解读
- 输出特性曲线(图3-5)
- TJ=175℃时,ID=20A对应的VDS较25℃升高约1V,反映高温下导通电阻增大。
- 反向二极管特性(表3)
- 体二极管反向恢复时间trr=13.5ns(TJ=25℃),高温下增至31ns,需在死区时间设计中预留余量。
- 动态性能对比
- 相同条件下,175℃的Eoff比25℃高81μJ(图10),凸显高温对开关损耗的影响。
四、选型与生产注意事项
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
NTC
+关注
关注
7文章
532浏览量
54880 -
拓扑结构
+关注
关注
6文章
333浏览量
41337 -
电源模块
+关注
关注
33文章
2417浏览量
96783
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工业级全碳
发表于 03-17 09:59
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管
基于SiC HEMT技术的GaN输出功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的效率-高达80%在100ms,10%占空比脉冲条件下进行了100%RF测试IGN0450
发表于 04-01 10:35
ACEPACK DMT-32 SiC电源模块深度解析
碳化矽功率MOSFET。凭借其广受认可的芯片技术,STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA可以最大限度地减少能量损失,并且能够以高切换频率模式运行。该
STMicroelectronics ACEPACK DMT-32 功率模块技术解析与应用指南
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块 设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。M1F45M12W2-1LA采
onsemi碳化硅模块NXH030P120M3F1PTG技术解析
onsemi碳化硅模块NXH030P120M3F1PTG技术解析 在电力电子领域,碳化硅(SiC)技术
安森美SiC功率模块NXH022S120M3F1PTG深度解析
安森美SiC功率模块NXH022S120M3F1PTG深度解析 在功率电子领域,碳化硅(
onsemi NXH015P120M3F1PTG碳化硅模块技术解析
onsemi NXH015P120M3F1PTG碳化硅模块技术解析 在电子工程领域,功率模块的性
onsemi碳化硅模块NXH010P120M3F1深度解析
onsemi碳化硅模块NXH010P120M3F1深度解析 在功率电子领域,碳化硅(SiC)技术
onsemi NXH006P120M3F2PTHG碳化硅功率模块深度解析
onsemi NXH006P120M3F2PTHG碳化硅功率模块深度解析 在当今的电力电子领域,碳化硅(SiC)
探索onsemi NXH007F120M3F2PTHG SiC功率模块:高效与可靠的完美融合
探索onsemi NXH007F120M3F2PTHG SiC功率模块:高效与可靠的完美融合 在现代电力电子领域,碳化硅(SiC)
onsemi碳化硅模块NXH008P120M3F1技术解析
onsemi碳化硅模块NXH008P120M3F1技术解析 在电力电子领域,碳化硅(SiC)技术
# onsemi碳化硅功率模块NXH004P120M3F2PTHG技术解析
onsemi碳化硅功率模块NXH004P120M3F2PTHG技术解析 在电子工程领域,功率
# onsemi碳化硅模块NXH003P120M3F2PTNG的性能解析与应用探讨
onsemi碳化硅模块NXH003P120M3F2PTNG的性能解析与应用探讨 在电力电子领域,碳化硅(SiC)技术凭借其卓越的性能正逐渐成
安森美 NXH003P120M3F2PTHG SiC 模块深度解析
安森美 NXH003P120M3F2PTHG SiC 模块深度解析 在电力电子领域,碳化硅(SiC)技术
onsemi NVXK2VR40WDT2 SiC功率MOSFET模块深度解析
onsemi NVXK2VR40WDT2 SiC功率MOSFET模块深度解析 在现代电子工程领域,功率
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA SiC功率模块技术解析
评论