快速充电电源管理方案。H4012采用ESOP-8 封装，芯片底部设计有功率散热焊盘与SW管脚连接，可以有效的帮助芯片散热。
产品特征
l 内置30V MOS
l 输入范围5V-24V
l 内置50m
2024-03-22 11:31:10
IRF-1 3.9 10% EB E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 .1 20% EB E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 4.7 10% ER E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 2.2 10% ES E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 .1 10% ES E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 6.8 10% EV E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 8.2 10% ER E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 1.2 10% EV E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 1K 5% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 2.2 10% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 47 5% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 5.6 10% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 6.8 10% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 2.2 10% RJ1
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 2.2 10% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 4.7 5% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 5.6 10% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 68 5% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 6.8 10% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 82 5% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 8.2 10% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 1 10% EB E2
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 10 5% R36
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 68 5% RJ4
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 1K 5% R36
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 5.6 10% R36
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 6.8 10% R36
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 1K 5% RJ1
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 1.5 10% RJ1
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 3.3 10% RJ1
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 4.7 10% RJ1
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 3.3 10% RJ4
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 4.7 10% RJ4
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 6.8 10% RJ4
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 8.2 10% RJ4
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 100 5% B08
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 1 5% B08
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 1.8 10% B08
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 2.2 10% B08
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 3.9 10% RJ1
2024-03-14 22:46:42
G,D,S三极完全短路,哎,可能是什么原因造成的
用的是IRF4905
Vgs手册上是耐压+_20V,我接客车24V电源,因为在家里试验电压到30V也坏不了啊,听说根据经验到40V才能坏.可是出去
2024-02-22 06:35:49
产品型号: IRF7301TRPBF-VB丝印: VBA3222品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型: SOP8- 沟道类型: 2个N-Channel- 额定电压: 20V- 最大
2024-02-20 09:59:07
(ON)：127mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 门源电压阈值（Vth）：2~4V**应用简介：**IRF530PBF-VB是一款TO220封装的N-
2024-02-19 14:17:06
IRF4905是一种常见的功率场效应晶体管（MOSFET）器件，常用于LED驱动电路的Buck电路中。本文将详细介绍IRF4905在LED驱动电路中的作用。 Buck电路是一种降压型DC-DC变换器
2024-02-03 10:07:37
381 型号: IRF7493TRPBF-VB丝印: VBA1806S品牌: VBsemi参数:- 封装: SOP8- 沟道类型: N-Channel- 最大电压(Vds): 80V- 最大电流(Id
2024-02-02 17:30:36
H20R1203到底能不能用IRF 250代换？ H20R1203和IRF250是两种不同的电力场效应晶体管。虽然它们可能在一些电路应用中具有相似的性能特点，但它们并不是完全相同的，因此不能直接互换
2024-01-15 15:49:49708 N—Channel沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：8.5A - RDS(ON)：20mΩ @ VGS=10V, VGS=2
2024-01-03 17:30:04
型号: IRF7401TRPBF-VB丝印: VBA1311品牌: VBsemi参数:- 封装: SOP8- 沟道类型: N-Channel- 最大电压(Vds): 30V- 最大电流(Id
2024-01-03 15:54:17
型号: IRF7201TRPBF-VB丝印: VBA1311品牌: VBsemi封装: SOP8**详细参数说明:**- 架构: N-Channel MOSFET- 电压等级: 30V- 电流能力
2024-01-02 10:59:39
(ON)）：32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压（Vth）：1.87V应用简介：IRF7495TRPBF-VB是VBsemi推出的一款SOP8
2024-01-02 10:57:35
型号: IRF8736TRPBF-VB丝印: VBA1303品牌: VBsemi参数: SOP8；N—Channel沟道, 30V；18A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V
2024-01-02 10:55:00
型号: IRF9317TRPBF&9-VB 丝印: VBA2309 品牌: VBsemi 参数: SOP8; P-Channel沟道, -30V; -11A
2024-01-02 10:53:17
型号: IRF7304TRPBF-VB 丝印: VBA4338 品牌: VBsemi 参数: SOP8; 2个P-Channel沟道, -30V; -7A
2024-01-02 10:41:08
—Channel - 最大电压：30V - 最大电流：70A - 开启电阻（RDS(ON)）：7mΩ @ VGS=10V, 7mΩ @
2023-12-29 15:28:53
IRF540是一款常用的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于各种电子设备中。作为一款功率MOSFET晶体管，IRF540的驱动电流大小对其性能以及应用范围有着重要的影响。在本文中，我们将详细介绍
2023-12-25 10:38:53364 型号：IRF5305SPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 最大持续电流：-30A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：58m
2023-12-22 16:00:52
型号：IRF7424TRPBF-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：- P沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-11A- 静态导通电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V
2023-12-22 10:47:03
, 34mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压 (Vth)：2V- 封装：TO263详细参数说明：IRF540S-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半
2023-12-20 16:57:49
型号：IRF9317TRPBF-VB丝印：VBA2305品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-15A- 静态导通电阻：5mΩ @ 10V, 8mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:25:28
型号：IRF4435TRPBF-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：- P沟道- 额定电压：-30V- 最大漏电流：-7A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：23mΩ @ 10V
2023-12-20 10:30:51
型号: IRF9530NS-VB丝印: VBL2102M品牌: VBsemi参数:- P沟道- 额定电压：-100V- 最大电流：-10A- 开通电阻：200mΩ @ 10V, 240m
2023-12-19 16:40:38
型号：IRF7306TRPBF-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：2个P沟道- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 开通电阻（RDS(ON)）：35mΩ @ 10V
2023-12-19 11:39:58
型号：IRF3205STRPBF-VB丝印：VBL1606品牌：VBsemi参数：- N沟道- 额定电压：60V- 最大漏电流：150A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：4mΩ @ 10V
2023-12-19 11:26:49
型号：IRF7324TRPBF-VB丝印：VBA4216品牌：VBsemi参数：- 2个P沟道- 最大耐压：-20V- 最大电流：-9A- 开通态电阻：16mΩ @ 10V, 18mΩ @ 4.5V
2023-12-19 10:51:57
型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-60V- 最大电流：-30A- 开通态电阻：58mΩ @ 10V, 70m
2023-12-19 10:38:29
型号：IRF9310TRPBF-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-11A- 开通态电阻：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
2023-12-18 10:55:29
型号: IRF530S-VB丝印: VBL1101M品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 100V- 最大电流: 20A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 100m
2023-12-15 13:48:13
型号：IRF5305STRPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：P沟道- 额定电压：-60V- 最大电流：-30A- 导通电阻（RDS(ON)）：58m
2023-12-15 11:29:11
型号：IRF9328TRPBF-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：P沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-11A- 导通电阻（RDS(ON)）：10m
2023-12-15 09:37:38
型号：IRF7328TRPBF-VB丝印：VBA4317品牌：VBsemi参数：- 2个P沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-8.5A- 开态电阻 (RDS(ON))：21mΩ @ 10V
2023-12-14 16:22:22
型号：IRF9335TRPBF-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：- P沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-6A- 开态电阻 (RDS(ON))：40mΩ @ 10V, 54m
2023-12-14 14:06:39
型号：IRF830ASTRLPBF-VB丝印：VBL165R10品牌：VBsemi参数：- N沟道- 额定电压：650V- 最大电流：10A- 开态电阻 (RDS(ON))：1100m
2023-12-14 13:50:42
型号：IRF8721TRPBF-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：30V- 最大连续电流：12A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：12m
2023-12-14 13:45:49
型号：IRF7205TRPBF-VB 丝印：VBA2333 品牌：VBsemi 参数：P沟道，-30V，-6A，RDS(ON)，40mΩ@10V，54m
2023-12-13 14:46:36
型号：IRF7303TRPBF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：双N沟道MOSFET- 额定工作电压：30V- 额定漏极电流：6.8A（2个N沟道并联）- 开启电阻
2023-12-13 13:44:47
IRF7416TRPBF (VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.37V
2023-12-06 16:03:17
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压电路可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何设计一个高效率低功耗低噪声的直流3V升压到30V的电路？
电流1ma之内即可。
2023-11-16 06:36:14
如图
静态工作时，PIN8 的SENSE+电压20MA，Rsense+为0.33欧，上管IRF530电流是0.061A，下管IRF9630电流是0.061A.当Vin输入为直流+5V时。
上管将1欧
2023-11-15 08:23:32
型号 IRF8788TRPBF丝印 VBA1302品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 20A 导通电阻 4mΩ@10V, 4.5m
2023-11-03 15:31:19
型号 IRF830A丝印 VBM16R08品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 600V 额定电流 8A RDS(ON) 780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V
2023-11-01 10:04:19
型号 IRF7313TRPBF丝印 VBA3328品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6.8A/6.0A 导通电阻 22m
2023-10-31 11:48:47
型号 IRF7413TRPBF丝印 VBA1311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 12A 导通电阻 12mΩ @10V, 15m
2023-10-31 11:06:50
IRF5803TRPBF详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 4.8A 导通电阻 49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-31 10:32:19
IRF7314TRPBF详细参数说明 极性 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A 导通电阻 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-28 14:55:23
IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数 - 最大耐压 -100V- 最大漏极电流 -18A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 167mΩ@10V, 178m
2023-10-27 15:44:53
IRF(Intelligent Resilient Framework)是弹性智能架构的简称，是H3C自主研发的一种软件虚拟化堆叠技术。简单来说，就是将多台支持堆叠的设备联合起来，组成一个整体，用户
2023-10-25 10:51:57751 
IRF3205是一种N沟道功率MOS管，采用 TO-220AB 封装，工作电压为 55V 和 110A。特点是其导通电阻极低，仅为 8.0mΩ，适用于逆变器、电机速度控制器、DC-DC 转换器
2023-04-20 09:12:546906 
IRF830PBF
2023-03-29 21:35:22
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
2023-03-29 14:06:32
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
2023-03-29 14:04:29
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
2023-03-29 14:04:28
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
2023-03-29 14:04:26
IRF7815TR
2023-03-28 14:57:16
IRF5305STR
2023-03-28 14:55:41
IRF200P222
2023-03-28 14:28:40
IRF300P226
2023-03-28 13:11:05
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