芯塔电子最新推出650V/380mΩ多封装SiC MOSFET

芯塔电子最新推出650V/380mΩ多封装SiC MOSFET。为工业与消费电子应用提供高性能解决方案。该系列产品导通电阻典型值仅为316mΩ，兼具高耐压、低损耗与高频开关特性，适用于工业电源、电动汽车充电、服务器电源、光储逆变器及UPS等多种场景。

新品提供三种封装选择，满足不同应用场景的安装与散热需求：TM3G0380065N采用DFN5*6封装，适用于高功率密度设计；TM3G0380065E采用TO-252-2封装，具有良好的散热性和焊接可靠性；TM3G0380065F则采用TO-220F-3封装，适合中大功率场景，支持更高的连续电流输出。三款产品均支持-55℃至+175℃的工作温度范围，且符合RoHS环保标准。

电气性能方面，该系列在25℃时连续漏极电流达12A（TO-220F-3）或13A（DFN5 * 6），栅极电荷量低至8.7nC，可显著降低开关损耗。其体二极管反向恢复时间仅9ns，能有效减少高频应用中的电压振荡。动态特性测试显示，在400V/4A条件下开关延迟时间不足20ns，配合优化的热阻参数，大幅降低了系统散热需求。

该系列产品在高温环境下表现稳定，175℃时仍保持优良的导通特性。栅极阈值电压典型值为3.6V，支持-4V至+18V的宽电压驱动范围，内置保护功能提升了系统可靠性。测试数据表明，产品在不同温度条件下均呈现稳定的输出特性，适合严苛工况下的长期运行。

该产品现已量产供货，欢迎登录芯塔电子官网www.topelectronics.cn或致函芯塔电子销售邮箱sale.topelectronics.cn获取详细技术资料和样品支持。