芯塔电子推出650V/260mΩ多封装SiC MOSFET产品TM3G0260065N

芯塔电子最新推出650V/260mΩ多封装SiC MOSFET，为工业与消费电子应用提供高性能解决方案。该系列产品兼具高耐压、低损耗与高频开关特性，适用于工业电源、电动汽车充电、数据中心电源、光储逆变器及UPS等多种场景。

新品提供三种封装选择，满足不同应用场景的安装与散热需求：

TM3G0260065N采用DFN 5*6封装，在紧凑空间内实现了高功率密度与优异散热性能的完美平衡;TM3G0260065E采用TO-252-2封装，具有良好的散热性和焊接可靠性;TM3G0260065F则采用TO-220F-3封装，适合中大功率场景，支持更高的连续电流输出。三款产品均支持-55℃至+175℃的工作温度范围，且符合RoHS环保标准。

在电气性能方面，该系列产品在15V栅极驱动下导通电阻低至260mΩ，有效降低导通损耗。其静态特性优异，如阈值电压典型值为4.2V，且在高结温条件下仍保持稳定性。动态特性上，输入电容仅为298pF，栅极电荷低至12.5nC，有助于实现高速开关并减少开关损耗。此外，内置体二极管具备低反向恢复电荷(Qrr典型值32.4nC)，可显著降低反向恢复带来的能量损失。

开关性能方面，在400V总线电压和5A负载条件下，典型导通延迟时间为6.4ns，上升时间为18.1ns，总开关能量低至48.4μJ，有助于提升系统频率和功率密度。产品还具备高可靠性，雪崩能量耐受达25mJ，且热阻低至2.23℃/W(DFN封装)，能够有效降低散热需求。

芯塔电子此次发布的SiC MOSFET系列通过优化器件结构和封装工艺，在效率、散热和系统成本间取得良好平衡，为下一代高效功率转换系统提供了可靠选择。该系列产品现已量产供货，欢迎登录芯塔电子官网www.topelectronics.cn或致函芯塔电子销售邮箱sale.topelectronics.cn获取详细技术资料和样品支持。