新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品，新增75mΩ型号
新品
CoolSiC MOSFET 650V第二代
产品，新增75mΩ型号
CoolSiC MOSFET 650V第二代器件基于性能卓越的第一代沟槽SiC MOSFET技术打造，通过提升性能、增强设计灵活性及鲁棒性，实现系统性价比的飞跃。该系列在硬开关与软开关拓扑中均能实现顶级的效率、高频开关特性及可靠性。
产品型号：
■IMBG65R075M2H
■IMW65R075M2H
■IMZA65R075M2H
■IMLT65R075M2H
■IMTA65R075M2H
产品特性
卓越的器件优值
同类最佳的导通电阻
高鲁棒性与整体品质
灵活的驱动电压范围
支持单极性驱动（关断栅压VGS,off=0 V）
更低的热阻
采用.XT扩散焊技术
支持顶部与底部双侧散热
TOLL封装：与所有8x8mm FET引脚完全兼容
应用价值
优化系统成本
单位成本下的系统性能最大化
最高的可靠性
可实现顶尖效率与功率密度
简化组装与散热设计
支持水冷设计
支持无风扇或散热片的设计
更低的杂散电感
更优的栅极控制性能
竞争优势
TOLL封装在严苛的高功率应用中，以卓越的可靠性取代D2PAK、TO247及TO220封装，并可实现最大功率密度
TOLT封装顶部散热设计是液冷系统的理想选择，并与高度同为2.3mm的Q-DPAK封装形成互补
应用领域
单相组串式逆变器解决方案
储能系统
边缘计算设备开关电源
服务器电源
电视电源
人形机器人充电
电池充电系统
轻型电动车辆
电动自行车充电
电机驱动
家用空调
暖通空调系统
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
152文章
10886浏览量
235355 -
SiC
+关注
关注
32文章
3908浏览量
70321 -
器件
+关注
关注
4文章
370浏览量
28894
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
安森美650V碳化硅MOSFET NTHL075N065SC1：性能与应用剖析
（onsemi）推出的一款650V碳化硅MOSFET——NTHL075N065SC1。 文件下载： NTHL075N065SC1-D.PDF 产品特性亮点 低导通电阻 该MOSFET在
RZ/G 系列第二代产品：性能强劲的多功能芯片解决方案
/G2M、RZ/G2N 和 RZ/G2E，凭借其卓越的性能和丰富的功能，成为众多电子工程师的理想选择。下面我们就来详细了解一下这些产品的特点和优势。 文件下载： rzg2.pdf 产品概述 RZ/G 系列
新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展
新品CoolSiCG21200VMOSFET采用顶部散热Q-DPAK封装第二代CoolSiC1200VMOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，提供4mΩ和5
Wolfspeed最新推出TOLT封装650V第四代MOSFET产品组合
在 AI 数据中心和可再生能源系统等高要求应用的推动下，功率半导体封装技术正加速发展。Wolfspeed 于近期最新推出 TOLT (TOLL-T) 封装 650V 第四代 (Gen 4
新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V与440V
瞻芯电子G2 650V SiC MOSFET的鲁棒性验证试验
瞻芯电子(IVCT)基于经典寿命模型，对大样本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 进行了鲁棒性验证试验(Robustness-Validation)。该试验严格遵循AEC-Q101
新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT扩散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三电平模块、EasyPACK2C1200V8mΩ四单元模块以及
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封装
新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封装采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是电动汽车充电、储能
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展
新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封装分立器件产品扩展CoolSiC1200VMOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工业级与车规级碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱
新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品
新品采用ThinTOLL8x8封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ产
新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术，为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供
新品 | 采用D2PAK-7封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET
(on)）范围扩展至7mΩ至75mΩ等10款产品可选，为用户提供更精准的选择。基于第一代技术，第二代CoolSiCMOSFET
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量产 为嵌入式系统实现单芯片智能
我们推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，这两款产品是对 Versal 产品组合的扩展，可为嵌入式系统实现单芯片智能。
恩智浦推出第二代OrangeBox车规级开发平台
第二代OrangeBox开发平台集成AI功能、后量子加密技术及内置软件定义网络的能力，应对快速演变的信息安全威胁。
评论