英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2026-06-04 17:04

  DC BTI：SiC MOSFET 长期稳定的 “隐形考验”，英飞凌这样破解

  

  在碳化硅（SiC）MOSFET的长期运行中，有一个容易被忽视却影响重大的现象——DCBTI（恒定栅极偏置下的温度不稳定性）。它会悄悄引发器件阈值电压漂移，进而影响导通电阻、增加损耗，甚至缩短器件寿命。作为功率半导体领域的标杆，英飞凌不仅深度解析了DCBTI的本质，更通过工艺优化、测量创新和精准建模，实现了对DCBTI的极致控制，让C

  SiC MOSFET 碳化硅 英飞凌

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• 发布了文章 2026-06-01 17:04

  新品 | 混合碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200V G2（TO-247PLUS 4引脚封装）

  

  新品混合碳化硅CoolSiCMOSFET1200VG2（TO-247PLUS4引脚封装）CoolSiCMOSFET1200VG2混合碳化硅分立器件，采用TO-2474引脚封装，融合了第二代MOSFET技术搭配一颗用于软开关的1200V、发射极控制型第7代（EC7）硅二极管，专为太阳能最大功率点跟踪（MPPT）级设计，英飞凌创新式解决方案为紧凑、可靠且高性价比

  MOSFET SiC 封装

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• 发布了文章 2026-05-30 10:05

  英飞凌携手麦田能源，推动贴片式全碳化硅解决方案率先落地

  

  近日，英飞凌科技与麦田能源正式宣布将深化双方合作关系。麦田能源成为首家在太阳能光伏及储能领域采用英飞凌SMD全碳化硅解决方案的合作伙伴，并率先获得“英飞凌赋能（EnabledbyInfineon）”标识授权。双方将携手发布创新成果，共同推动创新技术在户用储能领域的应用。英飞凌率先在行业内推出基于新二代CoolSiCMOSFET1200V芯片，采用全新顶部散热

  太阳能光伏 碳化硅 英飞凌

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• 发布了文章 2026-05-28 17:06

  如何评估SiC MOSFET栅氧化层的使用寿命

  

  在我们上一篇文章中，详细描述了英飞凌如何通过电应力筛选的方式，剔除栅氧化层中具有非本征缺陷的器件（相关阅读：仅有几十nm厚的栅氧化层，竟是制约SiCMOSFET可靠性的关键因素）。那么通过筛选之后的器件，实际使用寿命又有多久？为此，英飞凌开发了马拉松应力测试应运而生，它以接近实际应用的条件为核心，成为校准非本征筛选模型、精准预测栅氧

  SiC MOSFET 氧化层 测试 英飞凌

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• 发布了文章 2026-05-26 17:52

  口碑爆棚，一座难求丨IPAC碳化硅大会圆满收官，6月2日上海光储大会即将开启！

  

  5月22日，英飞凌碳化硅零碳应用技术大会在深圳圆满收官。12年深耕，一座难求——这场行业标杆盛会用最火爆的现场，诠释了英飞凌SiC技术对市场的吸引力；用最"落地实用"的硬核干货，铸就了IPAC大会的号召力。6月2日，IPAC光储应用技术大会（上海）即将重磅开启！大会亮点：亮点一全场景、全功率，一场大会看透光储全局从户用到工商业，从大功率组串到集中式电站——英

  光储存 碳化硅

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• 发布了文章 2026-05-25 17:04

  新品 | 适用于通用驱动器的、搭载 EasyPIM™ 2B的 EVAL-FP50R12W2T7 评估板

  

  新品适用于通用驱动器的、搭载EasyPIM2B的EVAL-FP50R12W2T7评估板EVAL-FP50R12W2T7M5评估板搭载EasyPIM2B，适用于采用TRENCHSTOPIGBT7的通用驱动器。此评估板有助于通过双脉冲测试和系统测试来研究模块的特性。除了通用驱动器控制外，该评估板还提供高压采样、相电流采样、温度采样、保护措施、精确的去饱和检测以及

  评估板 驱动器

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• 发布了文章 2026-05-21 17:05

  仅有几十nm厚的栅氧化层，竟是制约SiC MOSFET可靠性的关键因素

  

  在功率半导体器件MOSFET中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，核心材质多为二氧化硅（SiO₂），堪称器件的“电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重任，隔离栅极与沟道的电信号，防止电流泄漏；另一方面让外部栅电压精准调控沟道的导电性，实现MOSFET的开关与电流控制功能，其质量直接决定了器件的性能稳定性和使用寿命。在

  SiC MOSFET 功率半导体 氧化层

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• 发布了文章 2026-05-20 17:05

  英飞凌推出全新XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度

  

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用2300VCoolSiCMOSFET的新型XHP2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。它们专为高压电力系统设计，最高支持1500V直流母线电压，契合行业向更高系统电压发展的趋势。该系列模块提供多种规格，导通电阻（RDS(on)）在1m

  SiC 能源系统 英飞凌

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• 发布了文章 2026-05-13 20:21

  英飞凌携手思格新能源，碳化硅器件助力户用光储

  

  近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200VCoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技术，共同为思格新能源户用光伏储能逆变器解决方案提供核心性能支撑，以技术创新驱动户用光储领域能效升级。在全球户用光储市场，高能效与高可靠性始终是衡量系统性能的核心标准。思格新能源凭借前瞻性技术布局，通过深度集成英飞凌

  光储存 碳化硅 英飞凌

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• 发布了文章 2026-05-12 17:58

  深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？

  

  作者简介PROFILE英飞凌应用工程师赵佳碳化硅专家里最会写的，不间断传递硬核技术在电力电子领域，SiCMOSFET正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiCMOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证SiMOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用

  MOSFET SiC 功率模块

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