英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2025-12-03 17:07

  深入解析IPM器件数据手册中的电流定义：Ic、Icp、Io(peak)和Io(rms)

  

  在设计和应用IPM器件时，电流参数是影响性能的关键指标之一。然而，不同电流参数的含义可能会对应用设计产生重要影响。本文将详细解析IPM数据手册中常见的几种电流定义，包括IC、ICP、IO(peak)和IO(RMS)的具体意义、测试条件及其设计建议。为了更清晰地展示各电流参数的定义及其在实际应用中的差异，下面提供了一张直观的图示供参考：1IC：额定连续集电极电

  IPM 数据手册 电流 英飞凌

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• 发布了文章 2025-12-01 12:04

  英飞凌与阳光同行，助力第十一届高校电力电子应用设计大赛完美收官

  

  2025年11月5-7日，作为中国大学电力电子应用设计大赛的一部分，第十一届“英飞凌杯”先进功率转换技术大赛决赛和“阳光杯”新能源和储能大赛决赛在广东深圳市举行。这项久负盛名的比赛由英飞凌冠名赞助，自2015年以来由中国电源学会主办，是中国电力电子行业最高级别的学生比赛。观看了解活动精彩片段其中，“阳光杯”比赛的核心是使用英飞凌最新的WBG器件设计用于储能的

  电力电子 英飞凌 转换器

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• 发布了文章 2025-11-27 17:29

  英飞凌3.3kV SiC XHP2模块：重新定义高压牵引系统的性能标杆

  

  在轨道交通、风电变流器等高压大功率应用中，提升功率密度和系统效率是关键挑战。传统硅基IGBT模块虽成熟可靠，但受限于材料特性，难以满足高频、高效的新需求。英飞凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模块，结合创新的“.XT互连技术”，为高压牵引系统提供了更高性能的解决方案。模块核心优势：性能与可靠性01高电流密度与低损耗额定电流1000A，导通电

  MOSFET 牵引系统 英飞凌

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• 发布了文章 2025-11-26 09:32

  英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块荣获2025全球电子成就奖

  

  11月25日，英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半导体/驱动器奖项，再次彰显英飞凌在功率半导体领域的卓越实力和领先地位。英飞凌科技工业与基础设施业务市场经理刘倩出席颁奖典礼并领奖英飞凌EconoDUAL3CoolSiC

  MOSFET 电子 英飞凌

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• 发布了文章 2025-11-24 17:05

  新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

  

  新品采用.XT扩散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三电平模块、EasyPACK2C1200V8mΩ四单元模块以及EasyPACK1C1200V13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiCMOSFET技术，集成NTC温度传感器，采用大电流PressFIT引脚，并预涂2.0代导热界面材料。产品型号：■F4

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2025-11-20 17:04

  应用实例——如何解决双管反激变换器中的关断电压不均衡

  

  反激变换器作为电源产品中几乎不可缺少的一个拓扑，从事电力电子产品开发的工程师是相当的熟悉，尤其是单管反激变换器，更是工程师从小白开始修炼的起点，万丈高楼平地起嘛。在经典的单管反激变换器上，又衍生出各种各样的变化，开关方式从硬开关变化为准谐振（QR），有源钳位(ACF)，零电压开通（ZVS）等，以及拓扑的演变，从单管反激变为双管反激。简单讲，这些演变都是基于经

  关断电压 反激变换器 变换器 电源产品

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• 发布了文章 2025-11-17 17:02

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封装

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封装采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。第二代1400VCoolSiCMOSFET前沿技术具有前沿性，可显著提升热管理性能、功率密度及系统可靠性。其封装支持回流

  MOSFET SiC 回流焊

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• 发布了文章 2025-11-12 17:02

  ANPC拓扑调制策略特点及损耗分析(下)

  

  上篇（ANPC拓扑调制策略特点及损耗分析(上)）我们讨论了ANPC的基本原理，换流路径及调制策略，本文通过PLECS仿真工具来分析在不同的调制方式和工况下ANPC各位置芯片的开关状态和损耗分布情况。ANPC-PWM1设计实例由于不同特性和规格的芯片各自静态和动态参数不同，使用相规格的芯片便于分析损耗分布，在这里选用Econodual3半桥模块FF900R12

  ANPC PCS 芯片

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• 发布了文章 2025-11-07 13:21

  英飞凌携手SolarEdge共同推进AI数据中心高效电力基础设施的发展

  

  英飞凌携手SolarEdge，推动面向人工智能（AI）及超大规模数据中心的新一代高效固态变压器（SST）技术发展。全新的固态变压器（SST）专为实现在中压至800–1500伏直流电（DC）转换而设计，其转换效率超过99%，同时减小设备体积、降低重量，并有效减少了碳排放足迹。此次合作将SolarEdge在直流电（DC）领域的专业技术与英飞凌的半导体创新相结合，

  AI 电力 英飞凌

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• 发布了文章 2025-11-05 17:06

  ANPC拓扑调制策略特点及损耗分析 (上)

  

  ANPC（ActiveNeutralPointClamped）拓扑即有源中点钳位技术，是基于NPC型三电平拓扑改进而来，最早提出是用来克服NPC三电平拓扑损耗分布不均匀和中点电位问题。从结构上看，ANPC是将NPC1的钳位二极管替换为IGBT与二极管反并联钳位的结构，与NPC1一样可以实现三电平输出以降低谐波，且器件耐压和NPC1相同。通过增加两个IGBT，

  ANPC 变流器 钳位二极管

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