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      新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展

      英飞凌工业半导体 • 2026-03-13 17:09 • 次阅读
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      新品

      CoolSiC G2 1200V MOSFET

      采用顶部散热Q-DPAK封装

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      第二代CoolSiC 1200V MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，提供4mΩ和5mΩ两种导通电阻规格，广泛适用于的工业应用，包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源、固态断路器、工业驱动、人工智能以及商用电动车等。


      Q-DPAK封装凭借其卓越的热性能简化了组装流程，降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件支持更优化的PCB布局，有助于降低寄生参数和杂散电感的影响，同时提供更优的热管理能力。


      产品型号：

      ■IMCQ120R004M2H

      ■IMCQ120R005M2H

      5dcae880-1ebc-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg


      产品特性


      SMD顶部散热封装

      低杂散电感

      采用CoolSiC MOSFET 1200V G2技术，具备增强的开关性能和更优的优值系数

      .XT扩散焊

      极低的导通电阻

      封装CTI>600，并设有模具沟槽（CD>4.8mm）

      优异的耐湿性

      具备雪崩、短路及功率循环耐受鲁棒性


      应用价值


      更高的功率密度

      支持自动化组装

      简化设计

      相比底部散热封装，热性能表现卓越

      降低系统功率损耗

      可在污染等级2条件下支持950V RMS电压

      高可靠性

      优化成本


      竞争优势


      提升功率密度

      相比底部散热器件，热性能显著提升

      电气设计更简化


      应用领域


      电动汽车充电

      太阳能发电

      不间断电源

      固态断路器

      工业驱动

      人工智能

      商用电动车

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        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b> <b class='flag-5'>Q-DPAK</b><b class='flag-5'>封装</b>的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>G2</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

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