搜索历史

清空
搜索热词
      0
      • 聊天消息
      • 系统消息
      • 评论与回复
      查看更多
      查看更多
      查看更多
      VIP于 到期 续费
      登录后你可以
      • 下载海量资料
      • 学习在线课程
      • 观看技术视频
      • 写文章/发帖/加入社区
      会员中心
      创作中心
      发布
      创作活动

      完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>

      3天内不再提示

      新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展

      英飞凌工业半导体 • 2026-03-13 17:09 • 次阅读
      加入交流群
      微信小助手二维码

      扫码添加小助手

      加入工程师交流群

      新品

      CoolSiC G2 1200V MOSFET

      采用顶部散热Q-DPAK封装

      5da96f48-1ebc-11f1-96ea-92fbcf53809c.png


      第二代CoolSiC 1200V MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，提供4mΩ和5mΩ两种导通电阻规格，广泛适用于的工业应用，包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源、固态断路器、工业驱动、人工智能以及商用电动车等。


      Q-DPAK封装凭借其卓越的热性能简化了组装流程，降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件支持更优化的PCB布局，有助于降低寄生参数和杂散电感的影响，同时提供更优的热管理能力。


      产品型号：

      ■IMCQ120R004M2H

      ■IMCQ120R005M2H

      5dcae880-1ebc-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg


      产品特性


      SMD顶部散热封装

      低杂散电感

      采用CoolSiC MOSFET 1200V G2技术，具备增强的开关性能和更优的优值系数

      .XT扩散焊

      极低的导通电阻

      封装CTI>600，并设有模具沟槽（CD>4.8mm）

      优异的耐湿性

      具备雪崩、短路及功率循环耐受鲁棒性


      应用价值


      更高的功率密度

      支持自动化组装

      简化设计

      相比底部散热封装，热性能表现卓越

      降低系统功率损耗

      可在污染等级2条件下支持950V RMS电压

      高可靠性

      优化成本


      竞争优势


      提升功率密度

      相比底部散热器件，热性能显著提升

      电气设计更简化


      应用领域


      电动汽车充电

      太阳能发电

      不间断电源

      固态断路器

      工业驱动

      人工智能

      商用电动车

      声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
      • MOSFET
        MOSFET
        +关注

        关注

        152

        文章

        10894

        浏览量

        235483
      • 封装
        封装
        +关注

        关注

        128

        文章

        9380

        浏览量

        149209
      • SiC
        SiC
        +关注

        关注

        32

        文章

        3920

        浏览量

        70355
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二维码

      扫码添加小助手

      加入工程师交流群

        评论

        相关推荐
        热点推荐

        1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台深度解析

        1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台深度解析 在电子工程领域，对于功率半导体器件的评估和测试是产品研发过程中至关重要的环节。今天，我们就来深入探讨一下英飞凌（Infine
        的头像 发表于 05-18 13:15 •117次阅读

        巧妙分离电气通路与散热通路的碳化硅Q-DPAK顶部散热封装，实现极致功率密度

        英飞凌CoolSiCMOSFET1200VG2系列产品采用先进的Q-DPAK顶部冷却封装，针对高
        的头像 发表于 03-11 17:08 •1227次阅读
        巧妙分离电气通路与<b class='flag-5'>散热</b>通路的碳化硅<b class='flag-5'>Q-DPAK</b><b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>封装</b>，实现极致功率密度

        新品 | Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC™ 750V MOSFET评估板

        新品Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC750VMOSFET评估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1评估板旨在评估
        的头像 发表于 01-29 17:07 •1474次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>Q-DPAK</b><b class='flag-5'>封装</b>的碳化硅<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 750<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>评估板

        新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V

        新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半桥模块通过AQG324认证，采用PressFIT引脚和预涂导热界面材
        的头像 发表于 01-22 17:05 •1551次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b> M1H EasyDUAL™ <b class='flag-5'>1200V</b>

        1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台：深入解析与使用指南

        1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台：深入解析与使用指南 在电力电子领域，准确评估MOSFET、IGBT及其驱动的开关特性至关重要。英飞凌的
        的头像 发表于 12-21 10:50 •949次阅读

        1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台：设计与应用全解析

        1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台：设计与应用全解析 作为电子工程师，我们总是在寻找性能更优、效率更高的器件和评估平台，以满足不断发展的电子系统需求。今天就来深入探讨一下英飞凌
        的头像 发表于 12-21 10:45 •803次阅读

        QDPAK顶部散热封装简介

        不久前推出的QDPAK封装也是目前英飞凌量产的封装中最大尺寸的顶部散热产品。QDPAK封装目前包
        的头像 发表于 12-18 17:08 •1021次阅读
        QDPAK<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>封装</b>简介

        探索IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2：高性能与多功能的完美结合

        下载： IMYR140R008M2H.pdf 一、产品概述 IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC
        的头像 发表于 12-18 13:50 •653次阅读

        Q-DPAK Full Bridge V2.1评估板：解锁碳化硅MOSFET性能新可能

        概述 Q-DPAK Full Bridge V2.1评估板（ISPN: EVAL_QDPAK_FB_V2_1）是一个专门用于评估英飞凌CoolSiC™ 750
        的头像 发表于 12-18 11:50 •867次阅读

        新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展

        新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封装分立器件产品扩展CoolSiC1200
        的头像 发表于 08-11 17:04 •1548次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>Q-DPAK</b><b class='flag-5'>封装</b>分立器件<b class='flag-5'>产品</b><b class='flag-5'>扩展</b>

        英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，将工业应用功率密度提升至新高度

        【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK
        的头像 发表于 08-01 17:05 •1761次阅读
        英飞凌推出<b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>Q-DPAK</b> <b class='flag-5'>封装</b>的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>G2</b>，将工业应用功率密度提升至新高度

        Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：顶部散热封装

        碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品，通过顶部散热（TSC）封装，可以显著提升系统功率密度和效率，同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。
        的头像 发表于 07-08 00:55 •4134次阅读
        Wolfspeed推SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>/SBD<b class='flag-5'>新品</b>：<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>封装</b>

        新品 | 采用D2PAK-7封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

        新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG
        的头像 发表于 07-01 17:03 •1731次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>D<b class='flag-5'>2</b>PAK-7<b class='flag-5'>封装</b>的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G2</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

        新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG
        的头像 发表于 05-29 17:04 •1387次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b> <b class='flag-5'>Q-DPAK</b><b class='flag-5'>封装</b>的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>G2</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

        新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌
        的头像 发表于 05-27 17:03 •1670次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b>QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>G2</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>半桥<b class='flag-5'>产品</b>
        电子发烧友
        My ElecFans
        APP
        网站地图
        设计技术
        可编程逻辑
        电源/新能源
        MEMS/传感技术
        测量仪表
        嵌入式技术
        制造/封装
        模拟技术
        RF/无线
        接口/总线/驱动
        处理器/DSP
        EDA/IC设计
        存储技术
        光电显示
        EMC/EMI设计
        连接器
        行业应用
        LEDs
        汽车电子
        音视频及家电
        通信网络
        医疗电子
        人工智能
        虚拟现实
        可穿戴设备
        机器人
        安全设备/系统
        军用/航空电子
        移动通信
        工业控制
        便携设备
        触控感测
        物联网
        智能电网
        区块链
        新科技
        特色内容
        专栏推荐
        学院
        设计资源
        设计技术
        电子百科
        电子视频
        元器件知识
        工具箱
        VIP会员
        最新技术文章
        产品地图
        品牌地图
        社区
        小组
        论坛
        问答
        评测试用
        企业服务
        产品
        资料
        文章
        方案
        企业
        供应链服务
        硬件开发
        媒体服务
        网站广告
        在线研讨会
        活动策划
        新闻发布
        新品发布
        小测验
        设计大赛
        电子发烧友
        关于我们
        联系我们
        举报投诉
        社交网络
        微博
        移动端
        发烧友APP
        WAP
        联系我们
        广告合作
        王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
        内容合作
        张迎辉：mikezhang@elecfans.com

        • 关注我们的微信

          关注我们的微信

        • 下载发烧友APP

          下载发烧友APP

        • 机器人发烧友

          机器人发烧友

        版权所有 © 长沙勒克斯教育咨询有限公司

        湖南省长沙市开福区月湖街道匍园路20号聚恒科技园1栋2301-1房

        电子发烧友 （电路图） 电信与信息服务业务经营许可证：湘B2-20260003 湘ICP备2023036445号-105-1