TPS22924D 是一个小而低的 R上带受控转数的负载开关 上。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.75 V 的输入电压范围内工作 至 3.6 V。集成电荷泵对 NMOS 开关进行偏置,以实现最小开关导通 电阻。该开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入能够连接 直接使用低压控制信号。
*附件:tps22924d.pdf
添加了一个 1250 Ω 片上负载电阻器,用于在开关 关闭。该器件的上升时间由内部控制,以避免浪涌电流。这 TPS22924D在 3.6 V 时的上升时间为 6200 μs。
TPS22924D 采用超小型、节省空间的 6 引脚 CSP 封装,并且 其特点是在 –40°C 至 85°C 的自由空气温度范围内运行。
特性
- 集成单通道负载开关
- 输入电压:0.75 V 至 3.6 V
- 导通电阻
- r
上V 时 = 18.3 mΩ在= 3.6 伏 - r
上V 时 = 18.5 mΩ在= 2.5 伏 - r
上V 时 = 19.6 mΩ在= 1.8 伏 - r
上V 时 = 19.4 mΩ在= 1.2 伏 - r
上V 时 = 20.3 mΩ在= 1.0 伏 - r
上V 时 = 22.7 mΩ在= 0.75 伏
- r
- 小型 CSP-6 封装
0.9mm × 1.4mm、0.5mm 间距 - 2A 最大连续开关电流
- 低关断电流
- 低阈值控制输入
- 受控转换速率以避免浪涌电流
- 快速输出放电晶体管
- ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
- 5000V 人体模型
(A114-B,II 类) - 1000V 充电器件模型 (C101)
- 5000V 人体模型
参数
方框图
1. 产品概述
TPS22924D是一款单通道负载开关,适用于电池供电设备、便携式工业设备、便携式医疗设备等需要低功耗和高效率电源管理的应用。该器件集成了N沟道MOSFET、控制逻辑、驱动器和输出放电晶体管,采用超小型的6引脚CSP封装。
2. 主要特性
- 超低导通电阻:在V_IN = 3.6V时,导通电阻R_ON仅为18.3mΩ,支持高达2A的最大连续开关电流。
- 宽输入电压范围:支持0.75V至3.6V的输入电压范围,适用于多种电池和电源轨。
- 低关断电流:在关断状态下,关断电流仅为4µA,有助于延长电池寿命。
- 控制输出放电:集成1250Ω的输出放电电阻,当开关关闭时,自动将输出拉至地,防止输出悬浮。
- 可控上升时间:内部控制上升时间,避免开机时的浪涌电流。
- 小型封装:采用0.9mm x 1.4mm的6引脚CSP封装,节省空间。
3. 应用领域
4. 功能描述
4.1 开关控制
- ON引脚控制开关状态,高电平使能开关,低电平禁用开关。ON引脚具有低阈值,可与标准GPIO逻辑电平兼容。
4.2 输出放电
- 当开关关闭时,集成的输出放电晶体管通过1250Ω的电阻将输出拉至地,防止输出悬浮,减少泄漏电流。
4.3 可控上升时间
- 内部控制上升时间,以避免开机时的浪涌电流,减少对电源和负载的冲击。
5. 封装与尺寸
- 封装类型:6引脚CSP(DSBGA)
- 尺寸:0.9mm x 1.4mm,0.5mm引脚间距
6. 典型应用电路
- 提供了典型应用电路图,展示了如何使用TPS22924D来控制负载电源的通断,并包括输入和输出电容的建议值,以减少浪涌电流和电压波动。
7. 设计指南
- 输入电容:建议在VIN和GND之间放置一个1µF的陶瓷电容,以限制开关打开时的浪涌电流。
- 输出电容:C_IN应大于C_L,以避免在系统电源移除时V_OUT超过V_IN。
- 布局建议:所有走线应尽可能短,输入和输出电容应靠近器件放置,以减少寄生电感和电阻的影响。
- 热设计:确保最大结温不超过125°C,通过适当的散热设计和布局来实现。
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