TPS22924C 3.6V、2A、18.3mΩ 负载开关，3.6V 时具有 800μs 的输出放电和上升时间数据手册

TPS22924x 是一款小型低 R上带受控转数的负载开关 上。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 0.75 V 的输入电压范围内工作 至 3.6 V。集成电荷泵对 NMOS 开关进行偏置，以实现最小开关导通 电阻。该开关由开/关输入 （ON） 控制，该输入能够连接 直接使用低压控制信号。
*附件：tps22924c.pdf

添加了一个 1250 Ω 片上负载电阻器，用于在开关 关闭。该器件的上升时间由内部控制，以避免浪涌电流。这 TPS22924B 在 V 时的上升时间为 100 μs 在 = 3.6 V，而 TPS22924C 在 V 时上升时间为 800 μs 在 = 3.6 V。

TPS22924x 采用超小型、节省空间的 6 引脚 CSP 封装，并且 其特点是在 –40ºC 至 85ºC 的自由空气温度范围内运行。

特性

• 集成单负载开关
• 输入电压：0.75 V 至 3.6 V
• 导通电阻
  • R上V 时 = 18.3 mΩ 在 = 3.6 伏
  • R上V 时 = 19.6 mΩ 在 = 1.8 伏
  • R上V 时 = 19.4 mΩ 在 = 1.2 伏
  • R上V 时 = 22.7 mΩ 在 = 0.75 伏
• 小型 CSP-6 封装
  0.9mm × 1.4mm、0.5mm 间距
• 2 A 最大连续开关电流
• 低关断电流
• 低阈值控制输入
• 受控转换速率以避免浪涌电流
• 快速输出放电晶体管
• ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
  • 5000V 人体模型
    （A114-B，II 类）
  • 1000V 充电器件模型 （C101）

参数

方框图

1. 产品概述

TPS22924C 是一款小型、低导通电阻（R ON）的负载开关，适用于需要控制开通的应用场景。该设备集成了一个N通道MOSFET，可在0.75V至3.6V的输入电压范围内工作，并提供超低的导通电阻和关断电流。

2. 主要特性

• ‌超低导通电阻‌：在V IN=3.6V时，R ON=18.3mΩ；在V IN=0.75V时，R ON=22.7mΩ。
• ‌控制开通‌：通过ON引脚控制开关状态，兼容低电压控制信号。
• ‌快速输出放电‌：集成一个1250Ω的负载电阻，用于开关关闭时的快速输出放电。
• ‌控制上升时间‌：避免涌入电流，TPS22924C在V IN=3.6V时的上升时间为800µs。
• ‌小型封装‌：采用6引脚CSP封装，尺寸为1.40mm x 0.90mm，高度为0.5mm。
• ‌宽工作温度范围‌：-40°C至85°C。

3. 应用领域

• 电池供电设备
• 便携式工业设备
• 便携式医疗设备
• 便携式媒体播放器
• 销售点终端
• GPS设备
• 数码相机
• 笔记本电脑/平板电脑/电子阅读器
• 智能手机

4. 功能描述

• ‌ON/OFF控制‌：ON引脚为高电平时，开关开通；ON引脚为低电平时，开关关断。
• ‌输出电容‌：由于NMOS开关的内部体二极管，推荐C IN大于C L，以避免V OUT在系统供电移除时超过V IN。
• ‌输出下拉‌：当主通FET关闭时，输出下拉功能激活，将输出轨放电至大约10%的轨电压，然后自动断开以优化关断电流。

5. 电气特性

• ‌输入电压范围‌：0.75V至3.6V
• ‌最大连续开关电流‌：2A
• ‌导通电阻‌：随输入电压变化，范围在18.3mΩ至22.7mΩ之间。
• ‌关断电流‌：OFF状态下的供电电流小于3.5µA。
• ‌上升/下降时间‌：在V IN=3.6V时，上升时间为800µs，下降时间为2.5µs。

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：DSBGA（6）
• ‌尺寸‌：1.40mm x 0.90mm，高度0.5mm

7. 热特性

• ‌热阻‌：
  • RθJA（结到环境）：123°C/W
  • RθJC（结到壳顶）：17.6°C/W
  • RθJB（结到板）：22.8°C/W

8. 订购信息

提供多种封装选项，具体请参考数据手册中的订购信息部分。