新品
Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC
750V MOSFET评估板

EVAL_QDPAK_FB_V2_1评估板旨在评估采用Q-DPAK封装的CoolSiC 750V MOSFET的开关性能。该板集成了四颗SiC MOSFET及与之配套的EiceDRIVER隔离栅极驱动芯片。
通过优化的功率回路设计实现高速开关,本评估板完美展示了如何在Q-DPAK封装中最佳地应用高速开关器件,是帮助开发者和工程师突破电力电子性能边界的理想工具。
产品型号:
■EVAL_QDPAK_FB_V2_1
框图

产品特性
采用车规级CoolSiC第二代750V MOSFET
灵活通用的评估平台
经过优化的功率回路设计
板载专用电压探测点
应用价值
轻松评估开关动态特性
展示Q-DPAK封装的最佳应用实践
快速获取电压波形数据
竞争优势
该评估板以全桥拓扑结构,展示了采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC 750V G2 SiC功率MOSFET的最佳使用方法
可执行电气实验(如单脉冲或双脉冲测试),并观测SiC MOSFET的电压信号
本评估板可作为最佳PCB设计的范例,展示如何在顶部散热封装中正确使用新一代宽禁带半导体器件
全套设计资源(评估板使用指南、原理图、PCB布局文件)可扫描下方二维码获取完整的Altium Designer文件
应用领域
车载充电机
燃料电池电动汽车动力总成系统
电动汽车充电
-
MOSFET
+关注
关注
152文章
10894浏览量
235483 -
评估板
+关注
关注
1文章
1071浏览量
31396 -
碳化硅
+关注
关注
26文章
3577浏览量
52749
发布评论请先 登录
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L018N075SC1技术解析
新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展
巧妙分离电气通路与散热通路的碳化硅Q-DPAK顶部散热封装,实现极致功率密度
新品 | 英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET
QDPAK封装SiC碳化硅MOSFET安装指南
新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V
EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板:2000V CoolSiC™ MOSFET的理想测试平台
CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2:高性能碳化硅MOSFET的卓越之选
Q-DPAK Full Bridge V2.1评估板:解锁碳化硅MOSFET性能新可能
倾佳代理的基本半导体碳化硅MOSFET分立器件产品力及应用深度分析
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件
英飞凌新一代750V SiC MOSFET产品亮点
新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET
新品 | Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC™ 750V MOSFET评估板
评论