三星电子提前组建DRAM技术开发团队

据业界透露，三星电子近日决定加快新一代DRAM——1dnm内存的技术研发进程。目前DRAM领域最新的制造工艺为第五代10+nm系列的1bnm。

全球最大的三家DRAM制造商——三星电子、SK海力士以及美光，计划在今年三季度到明年逐步实现1cnm的量产。然而，1dnm工艺则排在1cnm之后，预计量产时间要等到2026年以后。

通常情况下，三星电子在每一代DRAM工艺的PA（工艺架构）阶段才会组建包括半导体和工艺工程师在内的综合性团队。但此次在1dnm节点上，团队组建时间提前了1~2年，目前已有数百名相关人员参与其中。

与现有工艺相比，1dnm工艺将大幅增加EUV光刻的使用量，这无疑给研发带来更大挑战。三星电子此举意在加速量产准备工作，缩短工艺优化周期。

近两年来，三星电子在DRAM技术方面的领先地位受到了挑战：在1anm节点上，美光抢先实现量产；在1bnm节点上，三家公司的量产时间基本相同；而在即将到来的1cnm节点，SK海力士有望占据先机。此外，由于之前解散HBM内存研发团队的决策失误，三星电子在HBM3（E）内存市场上也处于劣势。

为了扭转当前的不利局面，三星电子计划加大对1dnm DRAM研发的人力物力投入，以期重塑其在内存技术领域的优势地位，同时借助DRAM技术升级推动HBM业务的发展。