三星平泽P4一期产线调整：将同时生产DRAM和NAND Flash
据韩国媒体报道，三星电子已决定调整其平泽园区P4产线第一期的产能分配，以应对市场需求的快速变化。这一决策标志着三星电子在半导体生产策略上的重要调整。
原本，平泽P4一期产线专注于生产NAND Flash存储芯片。然而，随着市场需求的变化，三星电子决定对该产线的生产模式进行变革。据报道，该产线的内部代号已从原本的“P4F”更改为“P4H”。其中，“F”代表NAND Flash，而“H”则是Hybrid混合的简写，意味着该产线将同时生产NAND Flash和DRAM两种存储芯片。
这一调整不仅反映了三星电子对市场需求的敏锐洞察，也展示了其灵活应对市场变化的能力。通过同时生产DRAM和NAND Flash，三星电子将能够更好地满足多样化的市场需求，提高生产效率和盈利能力。
此次产能调整是三星电子在半导体领域持续创新和发展的一部分。未来，随着技术的不断进步和市场的不断变化，三星电子将继续优化其生产策略，为全球客户提供更优质的产品和服务。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
336文章
29985浏览量
258334 -
DRAM
+关注
关注
40文章
2373浏览量
188173 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15891浏览量
182876
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HB
发表于 04-18 10:52
三星平泽晶圆代工产线恢复运营，6月冲刺最大产能利用率
据媒体最新报道，韩国三星电子的晶圆代工部门已正式解除位于平泽园区的晶圆代工生产线的停机状态，并计划在今年6月将产能利用率提升至最高水平。这一
三星显示推迟第八代OLED面板生产线安装
据韩媒The Elec报道，三星显示(Samsung Display)已决定推迟其第八代OLED面板生产线的安装计划。这一决定背后，是OLED iPad销售表现不佳以及苹果推迟发布OLED
三星调整1cnm DRAM设计，力保HBM4量产
据韩国媒体报道，三星电子正面临其第六代1cnm DRAM的良品率挑战，为确保HBM4内存的顺利量产，公司决定对设计进行重大调整。
三星与SK海力士实施NAND闪存“自然减产”
推进NAND闪存生产线的技术迁移工作，即将旧工艺生产线升级为更先进的新工艺。这一过程中，厂商需要引进并安装全新的生产设备，整个升级周期大约耗
三星电子否认1b DRAM重新设计报道
据报道，三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新
三星2025年晶圆代工投资减半
2工厂和华城S3工厂。尽管投资规模有所缩减，但三星在这两大工厂的项目推进上并未止步。 平泽P2工厂方面，三星计划将部分3nm
三星否认重新设计1b DRAM
问题，在2024年底决定在改进现有1b nm工艺的同时，从头设计新版1b nm DRAM。 不过，三星通过相关媒体表示相关报道不准确。尽管三星否认了重新设计，但有业内人士透露，
三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期
据韩媒MoneyToday报道，三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星
三星重启1b nm DRAM设计，应对良率与性能挑战
nm DRAM。 这一新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P，其重点将放在提升能效和散热性能上。这一命名逻辑与
三星电子削减NAND闪存产量
近日，三星电子已做出决定，将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前，全球NAND
三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化
产量将从平均20万片减少至约17万片。同时，位于韩国华城的生产线也在进行相应调整，整体产能有所下降。 此次减产举措体现了三星电子在激烈市场竞争中的盈利能力保护策略。随着SK海力士等竞争
【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识
NAND只需要提高堆栈层数，目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND，到现在层数已经迈进200+层，并即将进入300+层阶段。目前，
发表于 12-17 17:34
工商网监
评论