全球首个176层3D NAND Flash量产，不是QLC

11月10日消息，美光宣布已开始批量生产全球首个176层3DNANDFlash。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3DNAND闪存。

美光、Intel合作时，走的是浮动栅极闪存单元架构，独立后转向电荷捕获(charge-trap)闪存单元架构，第一代为128层堆叠，但更多的是过渡性质，用来发现、解决新架构设计的各种问题。

正因如此，美光全新176层堆叠闪存所取代的，其实是96层堆叠。

美光指出，与上一代128层3DNAND技术相比，将读取延迟和写入延迟改善了35%以上，基于ONFI接口协议规范，最大数据传输速率1600MT/s，提高了33%，混合工作负载性能提高15%，紧凑设计使裸片尺寸减小约30%，每片Wafer将产生更多的GB当量的NANDFlash。

美光新的176层3DNAND已在新加坡工厂量产，并已通过其Crucial消费类SSD产品线送样给客户，并将在2021年推出基于该技术的新产品，瞄准5G、AI、云和智能边缘领域的增长机会，满足移动、汽车、客户端和数据中心领域不断增长的存储需求。

据了解，美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb(64GB)，当然后期很可能会加入QLC。

得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层的厚度压缩在了45微米，基本和早期的64层浮动栅极3DNAND差不多。

这样，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。

传输速率提高至1600MT/s，而此前96/128层的都是1200MT/s，读写延迟相比96层改进35％，相比128层改进25％，混合负载性能相比96层改进15％。

美光表示，176层闪存已经量产出货，并用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD，明年还会发布更多新产品，但没有确认具体产品型号。

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