三星平泽2号产线正在进行地下结构工程，决定投资兴建平泽半导体厂2号产线

据韩媒每日经济报导，三星平泽2号产线正在进行地下结构工程，决定投资兴建平泽半导体厂2号产线，欲生产DRAM，预计将在2019年底完工，2020年正式启用投产。

2018年原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等不仅在96层和QLC创新技术上展开激烈竞争，更是在投资、建厂、扩产等方面拉开战局。然而，由于NAND Flash市场供过于求，价格大跌，影响原厂获利，为了改变市况，Flash原厂在2018年底不得不采取减少产出，或减缓投资计划等策略。

不仅仅是NAND Flash，DRAM市场也是供过于求，未来DRAM仍存在较大的市场跌价风险。三星电子总计投资30兆韩元(约267亿美元)，欲建设全球最大半导体生产基地。目前平泽1-1产线生产NAND Flash，1-2产线生产DRAM。三星扩大DRAM产能，是为了扩大市占率。

另一方面，市场经过一定时间的供需调整，再加上2019年新一代的旗舰机产品纷纷推出，尤其是三星、华为、OPPO、小米等5G手机、折叠手机等引爆市场商机，且搭载的Mobile DRAM容量向12GB升级，NAND Flash容量提高到1TB，将对存储芯片需求快速增加。

三星曾表示，2019年首季因为处于淡季，需求会有所下滑，但第2季DRAM的库存调整结束后，预计市场需求就会逐渐恢复，再加上第二季度新CPU的推出，服务器高容量DRAM需求增长稳定，将带动DRAM需求在Q2增加。

在NAND Flash方面，原厂96层3D NAND技术将单颗Die容量提升到1Tb，2019年NAND Flash供应会持续增加，为了避免再现供过于求的窘境，三星推出的Galaxy S10系列将容量升级到1TB容量，开启旗舰机配置新标杆，推动市场需求增加。