0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星推出业界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM内存芯片

要长高 2024-10-22 15:13 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

三星推出了业内首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM内存芯片,其超高速度可达42.5Gbps,专为下一代图形处理单元(GPU)打造。据三星介绍,得益于多项改进与更新,该芯片相比前代在密度上提升了50%,效率则提高了30%。目前,这些24Gb GDDR7模块正由主要GPU制造商进行验证,预计将于2025年初大规模投产。

早在2023年7月,三星就已推出了全球首款GDDR7内存,其额定速度为32Gbps,模块容量为16Gb(即2GB)。与三星此前发布的GDDR7模块相比,新芯片的带宽提升了25%,而与前代18Gbps的GDDR6产品相比,更是实现了2.36倍的速度飞跃。在制造工艺上,三星24Gb GDDR7内存采用了先进的第五代10nm节点技术,使得在相同封装尺寸下,密度实现了50%的增长。

三星之所以能达到如此卓越的性能,关键在于采用了PAM3信号传输技术,该技术利用-1、0、+1三个信号进行数据传输。这些新内存模块能够轻松达到40Gbps的速度,且在特定条件下,更可冲刺至42.5Gbps,这一速度比GDDR6X提供的24Gbps快了近80%。

在效率方面,三星新款GDDR7内存同样表现出色,比前代产品高出30%。这得益于时钟控制管理、双电压(VDD)设计等一系列先进技术。此外,通过电源门控设计,三星还成功解决了电流泄漏问题,能够关闭芯片中未使用的部分,进一步提升效率。

值得注意的是,上一代GDDR6/X内存模块通常采用16Gb(即2GB)的容量。而三星的GDDR7产品,每个模块的内存容量增加了1.5倍,这将为下一代GPU带来更高的VRAM(显示内存)容量。以下是不同总线宽度下,采用42.5Gbps 24Gb(3GB)模块的GPU制造商可预期的VRAM及带宽数据:

128位总线宽度:12GB VRAM,带宽680GB/s

192位总线宽度:18GB VRAM,带宽1020GB/s

256位总线宽度:24GB VRAM,带宽1360GB/s

320位总线宽度:30GB VRAM,带宽1700GB/s

512位总线宽度:48GB VRAM,带宽高达2720GB/s

这对于游戏玩家而言无疑是个好消息,因为上一代GPU常因VRAM不足而受限。如今,即便是1080p分辨率的游戏也需要超过8GB的内存。因此,游戏玩家普遍希望GPU制造商在下一代产品的内存容量上不要吝啬。然而,考虑到生产成本,下一代入门级GPU可能仍会坚持使用现成的16Gb GDDR6模块。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2373

    浏览量

    188186
  • 内存
    +关注

    关注

    9

    文章

    3173

    浏览量

    76119
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1737

    浏览量

    33695
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    英伟达预计向中国客户交付 “第代” 阉割芯片

    基于 GB202 GPU,采用 GDDR7 内存,最大带宽可达 800Gbps,适合小规模集群推理和小模型后训练;B40/B30 芯片则保留了与 H20 相同的 NVLink 互联功能
    的头像 发表于 06-21 00:03 3548次阅读

    业界首支持闪车钥匙的智能手机亮相

    华为全新一代先锋影像美学旗舰Pura80系列手机重磅发布,其中有一项产品定位格外吸引业界的关注:业界首支持闪车钥匙的智能手机!
    的头像 发表于 06-13 11:09 2202次阅读

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使
    发表于 04-18 10:52

    LPDDR5X速率刷新记录,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM来了

    在10700 MT/s运行。   为了提高速度,三星必须在其DRAM芯片中添加四相自校准和交流耦合收发器均衡。“四相自校准环路”技术,它能确保高速内存
    发表于 02-28 00:07 5742次阅读

    三星推出抗量子芯片 正在准备发货

    三星半导体部门宣布已成功开发出名为S3SSE2A的抗量子芯片,目前正积极准备样品发货。这一创新的芯片专门设计用以保护移动设备中的关键数据,用以抵御量子计算可能带来的安全威胁。 据悉,
    的头像 发表于 02-26 15:23 2436次阅读

    DDR4或年内停产,大厂商引发内存市场变局

    电子发烧友网综合报道,日前,日媒报道由于DRAM内存芯片价格持续下滑,全球大原厂三星、SK海力士和美光计划在2025年停产DDR4
    发表于 02-21 00:10 2669次阅读

    三星电子否认1b DRAM重新设计报道

    据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界三星电子
    的头像 发表于 01-23 15:05 877次阅读

    三星否认重新设计1b DRAM

    据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级
    的头像 发表于 01-23 10:04 1301次阅读

    三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

    据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率
    的头像 发表于 01-22 15:54 936次阅读

    三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

    据韩媒MoneyToday报道,三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星
    的头像 发表于 01-22 14:27 1041次阅读

    三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

    近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新
    的头像 发表于 01-22 14:04 1326次阅读

    英特尔2025上半年将推24GB显存锐炫B580显卡

    近日,据最新报道,英特尔计划在2025年上半年推出其全新独立显卡产品——锐炫B580 24GB。这款显卡将采用英特尔的“Battlemage”架构,配备高达24GB的显存容量,以满足用户对高性能图形
    的头像 发表于 01-03 10:46 2359次阅读

    英特尔2025上半年或推24GB显存锐炫B580显卡

    近日,据最新报道,英特尔正紧锣密鼓地筹备其显卡产品的又一力作,计划在2025年上半年正式推出配备24GB超大显存的“Battlemage”架构独立显卡,市场型号预计为锐炫B580 24GB。 这款
    的头像 发表于 01-02 11:07 1723次阅读

    英特尔2025年推24GB显存“Battlemage”独显

    近日有消息称,英特尔计划在2025年面向生产力市场推出配备24GB显存的独立显卡,该显卡采用全新的“Battlemage”架构。 这款显卡将主要面向数据中心、边缘机房、教育科研以及个人开发等领域
    的头像 发表于 12-31 14:58 1458次阅读

    三星GDDR7显存技术驱动图形处理新时代

    从粗糙的像素点阵到精妙的光线追踪技术,从平面的2D视界跃升至栩栩如生的3D世界,计算机图形技术持续飞跃,赋予我们前所未有的震撼视觉盛宴。这一壮丽图景的幕后推手,正是卓越的图形处理能力。今天,我们将介绍一位真正的“图形应用大师”一一三星G
    的头像 发表于 12-26 13:43 1075次阅读