0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

东芝工厂停电事件损失出炉,对NAND Flash市场有何影响?

uwzt_icxinwensh 来源:YXQ 2019-07-01 11:08 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

6月15日,东芝存储器公司NAND Flash工厂于当地时间下午6点25分发生断电事故,大概花了13分钟之后就恢复供电了,然而工厂在恢复供电后一直处于停产状态。

由于日本四日市工厂的意外停电,影响西部数据和东芝存储器公司闪存制造厂的生产运营,预计此事件将导致西部数据NAND Flash晶圆供应量减少6EB当量。

以西部数据预估的减少6EB当量推算,大约是64亿GB当量。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,消费类NAND Flash每GB当量已下跌至0.06美金,西部数据将损失至少3.8亿美金。

据西部数据截至3月29日的2019年第三财季财报,总营收为36.74亿美元,其中Flash营收16.10亿美元,占比44%,若加上因为工厂停电带来的3.8亿美金的损失,恐使得营收进一步下滑。同时,西部数据2019第三财季财报营业亏损3.94亿美元,净亏损5.81亿美元,此次晶圆损失也增加了其持续亏损的风险。

大多数生产设备将在7月中旬投入运营

西部数据公司正在与其合资伙伴密切合作,以尽快将设施恢复到正常运行状态,预计影响将持续到2020财年Q1季度。按照东芝财年,2020年4月-6月为财年的第一季度,所以影响将会持续到2020上半年,西部数据也会继续评估此事件带来的影响。

另外,东芝存储器公司目前正在恢复受影响工厂的生产,并预计大多数生产设备将在7月中旬投入运营,也正在尽一切努力将对客户的影响降至最低。

对NAND Flash市场有何影响?

此次西部数据和东芝存储器公司四日市的工厂停工时间较长,这不仅仅影响了西部数据,也会影响到东芝存储器公司的NAND Flash产能,虽然双方正在密切合作,尽快恢复生产,但是预计影响可能将延续到2020上半年。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据统计,2019年一季度NAND Flash整体销售额107.5亿美金,其中东芝市占率20.8%,排名第二;西部数据市占率15.1%,排名第三,合计大约占据35.9%的市占份额。

以往原厂工厂“断电事件”总会掀起市场喊涨的热潮,作为NAND Flash芯片主要供应商,此次事故发生后,虽然导致东芝存储器公司和西部数据产能损失,西部数据也通知客户将会受到影响,并对小客户涨价,但是市场反映平淡。

目前除产能受损的厂商外,其他厂商尚未有明确的涨价计划,再加上从2019下半年开始,各原厂开始陆续出货96层3D NAND,SK海力士甚至宣布量产128层1Tb 4D NAND,所以市场涨价反而会增加丢市占的风险,因此并未在市场激起波澜,更多的是处于观望态度。

以目前的市况而言,虽然美光、SK海力士、英特尔、东芝存储器公司早在2019年Q1季度就已宣布减少NAND Flash产出,美光更是在最新Q3财季中表示将NAND Flash晶圆减产规模从5%上调至10%,但Q3旺季市场备货较以往迟缓,若旺季无法带动需求,Q4市场需求将更淡,2020年首季又是传统的淡季,存储产业终端需求也未见能好转。

不过,存储市场是一个强周期的产业,随着5G的到来,尤其是工信部正式向中国电信、中国移动、中国联通、中国广电发放5G商用牌照,中国正式进入5G商用元年,这将推动5G手机的快速发展,并在2020年掀起智能型手机换机潮,带动市场需求回升,存储市况也将会好转。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 东芝
    +关注

    关注

    7

    文章

    1517

    浏览量

    124807
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1772

    浏览量

    141386

原文标题:东芝工厂停电事件损失出炉,预计7月中旬恢复生产

文章出处:【微信号:icxinwenshe,微信公众号:芯闻社】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    NAND科普:MK米客方德 SD NAND 和 SPI NAND的区别和应用

    SD NAND和SPI NAND都有NAND FLASHFLASH Controller。 【注意】
    的头像 发表于 05-19 15:47 499次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b>科普:MK米客方德 SD <b class='flag-5'>NAND</b> 和 SPI <b class='flag-5'>NAND</b>的区别和应用

    低功耗国产SPI NAND Flash存储芯片优势解析

    在嵌入式存储领域,SPI NAND Flash正凭借其大容量与简单接口的独特组合,成为越来越多成本敏感型设计的首选方案。与传统并行NAND相比,SPI NAND
    的头像 发表于 05-15 15:41 126次阅读

    NOR FLASHNAND FLASH的对比

    FLASH芯片的擦写次数一般来说都是有限的,目前主流产品的擦写寿命普遍在10万次左右。当FLASH芯片接近使用寿命终点时,写操作可能会出现失败。不过,需要注意NAND FLASH采用整
    的头像 发表于 03-31 16:58 658次阅读

    NOR FlashNAND flash什么区别

    在嵌入式系统、移动设备与存储领域,NOR FlashNAND Flash是两种最常见的非易失性存储技术。尽管它们都属于闪存(Flash EEPROM)家族,但在内部结构、接口方式、读
    的头像 发表于 03-11 15:08 879次阅读
    NOR <b class='flag-5'>Flash</b>和<b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>flash</b><b class='flag-5'>有</b>什么区别

    从NOR FlashNAND Flash 和SD NAND,从底层结构到应用差异

    nor flash,nor nand,sd nand,spi nor,nand flash
    的头像 发表于 03-05 18:24 556次阅读
    从NOR <b class='flag-5'>Flash</b> 到 <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b> 和SD <b class='flag-5'>NAND</b>,从底层结构到应用差异

    从NOR FlashNAND Flash 和SD NAND,从底层结构到应用差异

    在嵌入式系统开发中,“存储选型”是经常会遇到的问题,特别是许多曾长期使用 NOR   Flash 的工程师,在切换到 NAND Flash 时常常感到疑惑:   为什么 NAND
    发表于 03-05 18:23

    SD NAND 为何不能存启动代码,SPI NAND 与 NOR Flash 却可以 —— 接口、传输、启动机制全对比

    的非易失性存储方案,但业界一条明确共识: SD NAND 几乎不用于存放启动代码,而 SPI NAND 和 NOR Flash 是主流启动介质 。 这一差异并非单纯成本或容量问题,而
    的头像 发表于 02-09 11:16 492次阅读
    SD <b class='flag-5'>NAND</b> 为何不能存启动代码,SPI <b class='flag-5'>NAND</b> 与 NOR <b class='flag-5'>Flash</b> 却可以 —— 接口、传输、启动机制全对比

    SPI NOR Flash和SPI NAND Flash存储芯片的区别

    SPI NOR Flash与SPI NAND Flash并非相互替代,而是互补关系。SPI NOR胜在读取速度快、使用简单、可靠性高,是代码存储的理想选择。SPI NAND则以其大容量
    的头像 发表于 01-29 16:58 1063次阅读
    SPI NOR <b class='flag-5'>Flash</b>和SPI <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>存储芯片的区别

    单片机Flash是什么类型

    ,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快,多用来存储程序、操作系统等重要信息。 2.NAND Flash1989年,东芝公司发表了NAND
    发表于 01-04 07:10

    从NOR FlashNAND Flash和SD NAND,从底层结构到应用差异

    在嵌入式系统开发中,“存储选型”是经常会遇到的问题,特别是许多曾长期使用 NOR   Flash 的工程师,在切换到 NAND Flash 时常常感到疑惑:   为什么 NAND
    发表于 12-08 17:54

    NAND Flash的基本原理和结构

    NAND Flash是什么?NAND Flash(闪存)是一种非易失性存储器技术,主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同,NAND
    的头像 发表于 09-08 09:51 8054次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>的基本原理和结构

    东芯半导体:强化SLC NAND Flash技术优势,拥抱可穿戴、汽车等新机会

    电子发烧友网报道(文/黄晶晶)在2025elexcon深圳国际电子展上,东芯半导体带来了全系列存储产品的展示,其SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、DRAM、M
    的头像 发表于 09-04 15:38 6125次阅读
    东芯半导体:强化SLC <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>技术优势,拥抱可穿戴、汽车等新机会

    对于在STM32CubeMx使用FMC中的NAND FLASH里面配置这些时间什么说明吗?

    对于在STM32CubeMx使用FMC中的NAND FLASH里面配置这些时间什么说明吗?
    发表于 07-21 07:07

    什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash

    电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。 分类 NOR和NAND市场上两种主要的非易失闪存技术。 在1984年,东芝公司
    发表于 07-03 14:33

    停电1秒,损失百万?UPS电源:工厂突发断电的‘黄金5分钟’救命稻草!”

    突发停电的“黄金救援队”。工厂停电:不容小觑的连锁反应工厂停电的原因多种多样,从电网故障、设备老化到自然灾害,都可能成为电力中断的诱因。而
    的头像 发表于 06-30 15:26 788次阅读
    “<b class='flag-5'>停电</b>1秒,<b class='flag-5'>损失</b>百万?UPS电源:<b class='flag-5'>工厂</b>突发断电的‘黄金5分钟’救命稻草!”