硫系化合物随机存储器，简称C-RAM。C-RAM单元结构是下电极/相变材料/上电极，其中相变材料是硫系化合物存储介质.
2012-04-27 11:05:09
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英特尔与美光科日前发表新型非挥发性内存技术──3D XPoint，该种内存号称是自1988年NAND闪存芯片推出以来的首个新内存类别，能彻底改造任何设备、应用、服务，让它们能快速存取大量的数据，且现已量产。
2015-07-31 09:36:552057 近日，在美国加州圣克拉拉举行的闪存峰会（Flash Memory Summit）上，美光科技（Micron）揭示了基于3D XPoint（相变存储）技术固态硬盘的性能数据。美光在大会上展示，相较于
2016-08-12 13:59:381518 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日据中科院网站消息，近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-17 07:48:232091 ）、氧化物电阻存储器（OxRAM）。Rambus公司的杰出发明家和营销方案副总裁Steven Woo说：“经典存储架构中有一个需要填补的空白。这些新型存储器中有一两种会生存下来，可能是3D XPoint
2017-02-21 11:05:473149 
目前主流的基于浮栅闪存技术的非易失性存储器（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这种环境下，业界试图利用新材料和新概念发明一种更好
2017-12-18 10:02:216033 
通过3D堆叠技术将存储层层堆叠起来，促成了NAND 技术进一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
英特尔周一宣布，下一世代3D XPoint存储器芯片的研发计划，将转移阵地至新墨西哥州厂。据新墨西哥州长Susana Martinez表示，英特尔变更布局将为当地带来逾100个新工作机会。（usnews.com）
2018-09-12 11:33:263956 ，大多局限于利基市场。然而，2017年英特尔推出的基于3D XPoint(由Micron和Intel联合开发的技术)的光学产品可以被视为在主流应用中采用新兴NVM的决定性时刻。
2019-04-28 11:22:063487 Intel的傲腾系列闪存上因为使用了最新的3D XPoint闪存所以其速度和耐用性都给人留下了深刻的印象。而当年和Intel一起合作开发3D XPoint的美光在昨天也终于正式宣布推出自己的首款3D XPoint产品——X100。
2019-11-27 17:01:071214 当地时间3月16日，存储器大厂美光宣布从即日起将停止对3D XPoint的开发，并出售其在犹他州Lehi的3D Xpoint晶圆厂，预计可在2021年底之前完成。
2021-03-19 09:19:587151 感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
） 这种存储器是在EPROM和EEPROM的制造基础上产生的一种非易失性存储器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点
2017-12-21 17:10:53
） 这种存储器是在EPROM和EEPROM的制造基础上产生的一种非易失性存储器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以
2017-10-24 14:31:49
设计需求相变存储器技术直接解决了当今电子系统的需求:密度随着消费者，电脑和通讯电子系统的融合，所有电子系统中代码均出现指数性增长，数据的增长速度甚至更快.为了满足这种增长的需要，存储器密度范围不仅要
2018-05-17 09:45:35
数据存储架构发生变化，一个表现在QLC的大容量，另一个是3D Xpoint技术的高性能、低延迟。目前IBM云服务、腾讯数据中心分别采用傲腾和QLC技术，百度云人工智能更是结合了QLC和傲腾的优势，达到
2018-09-20 17:57:05
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
2021-05-21 07:00:24
代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小
2019-06-26 07:11:05
阅读哦。 一、存储器卡 存储器卡（Memory Card）是一种用电可擦除的可编程只读存储器（EEPROM）为核心的，能多次重复使用的IC卡。没有任何的加密保护措施 ，对于卡片上的数据可以任意改写
2020-12-25 14:50:34
据新华社7月2日报道，相变存储器，具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点，被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。记者近日从中科院上海微系统所获悉，由该所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在打印机领域，并实现千万量级市场化销售，未来中国在该领域有望实现“弯道超车”。
2019-07-16 06:44:43
作者：王烈洋 黄小虎 占连样 珠海欧比特控制工程股份有限公司随着电子技术的飞速发展， 存储器的种类日益繁多，每一种存储器都有其独有的操作时序，为了提高存储器芯片的测试效率，一种多功能存储器芯片
2019-07-26 06:53:39
扩展存储器读写实验的目的是什么？怎样去设计一种扩展存储器读写的电路？扩展存储器读写实验的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
随着集成电路制造工艺水平的提高，半导体芯片上可以集成更多的功能，为了让产品有别于竞争对手的产品特性，在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯片的可靠性。随着对嵌入式存储器需求的持续增长，其复杂性、密度和速度也日益增加，从而需要提出一种专用存储器设计方法。
2019-11-01 07:01:17
是第一个推出1Tb级产品的公司。3D XPoint则是由英特尔和美光科技于2015年7月发布的非易失性存储器（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称之为QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特尔SSD 800P，900P，905P系列的存储介质都是相变存储器，我看到英特尔SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相变存储器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
怎么设计一种面向嵌入式存储器测试和修复的IIP？如何解决设计和制造过程各个阶段的良品率问题？嵌入式存储器测试和修复技术的未来趋势是什么？STAR存储器系统的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
网络存储器技术是如何产生的？怎样去设计一种网络存储器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一
2011-11-21 10:49:57
不同的应用对存储器结构有不同的需求：在运行控制任务时，需要Cache 匹配速度差异；在处理数据流时，需要片内存储器提高访问带宽。本文设计了一种基于SRAM 的可配置Cache/SRAM
2010-01-25 11:53:55
24 相变存储器驱动电路的设计与实现摘要: 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理, 设计了一种依靠电流驱动的驱动电路, 整体电路由带隙基准电压源电路
2010-05-08 09:42:3343 摘要：磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电
2006-03-24 13:01:372315 
相变存储器技术基础 相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等
2009-11-21 10:55:551074 相变存储器（PCM）技术基础知识
相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液
2009-11-23 09:19:033661 相变存储器：能实现全新存储器使用模型的新型存储器
从下面的几个重要特性看，相变存储器（PCM）技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 光存储器,光存储器特点和常用类型有哪些?
光存储器是由光盘驱动器和光盘片组成的光盘驱动系统,光存储技术是一种通过光学的方法
2010-03-20 11:41:496823 存储器卡,存储器卡是什么意思
存储器卡(Memory Card)是一种用电可擦除的可编程只读存储器(EEPROM)为核心的，能多次重复使用的IC卡。没
2010-04-01 17:44:073966 Numonyx推出全新相变存储器系列
该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线
2010-04-29 11:30:371384 相变存储器（Phase Change Memory，PCM)是一种新兴的非易失性存储器技术。PCM存储单元是一种极小的GST（锗、锑和碲）硫族化合物颗粒，通过电脉冲的形式集中加热的情况下，它能够从
2010-06-02 11:57:001261 相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 相变存储器(PCM)是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存
2011-03-31 17:43:21103 英国研究人员最近报告说，他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备，与现在广泛使用的闪存相比，耗电量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 08:45:53652 长久以来，PC产业一直都在努力开发能够填补RAM和硬盘之间速度差距的新技术。在去年，英特尔和镁光联合发布了一种名叫3D XPoint的中间技术。而在本周，与之相关的更多信息也得到了公布。
2016-10-20 10:58:401583 一种高可靠星载大容量存储器的坏块表存储方案设计_李姗
2017-01-03 15:24:450 一种基于时钟抽取偏置电压技术的存储器位线_杨泽重
2017-01-07 21:45:570 XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品 ，成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘（SSD）系列。 根据TechInsights的材料分析，XPoint是一种非挥发性内存（NVM）技术。位储存根据本体（bulk）
2017-09-18 19:39:004 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
耶鲁大学和IBM华生研究中心的研究人员一直在新型相变存储器研发领域开展合作，目标是使具有潜在革命性的相变存储技术更具实用性和可行性。 近年来，相变存储器技术作为一种能改变游戏规则的新兴技术，逐渐成为替代计算机随机存取存储器的潜在选择。
2018-06-13 09:26:001968 在3D存储器选通管和高密度阻变存储器及其集成技术的研究上开展合作，全力研发下一代3D存储芯片，为早日实现存储器芯片技术的国产化贡献力量。
2018-06-11 01:15:002853 Numonyx相变存储器（PCM）的倡导者Jamshid阐述了什么是相变存储器，以及它正如何改变着存储器产业的面貌。
2018-06-26 08:55:003838 据加拿大阿尔伯塔大学官网近日消息，该校科学家完善相关技术，研制出了迄今储存密度最高的固态存储器，其存储能力相比目前计算机存储设备提高了1000倍。
2018-08-05 10:42:475061 长江存储科技公司表示，尽管仍采用3D分层，但速度却可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029 多年来，业界一直致力于各种新兴存储技术，包括纳米管RAM、FRAM、MRAM、相变存储器和ReRAM。有的已经开始出货，有的还处于研发阶段。这些新的内存类型各不相同，而且都是针对特定应用，但是它们都号称可以取代当今系统内存/存储器层次结构中的一个或多个传统内存。
2018-08-27 09:19:005972 多年来，该行业一直致力于各种存储技术的研究，包括碳纳米管RAM、FRAM、MRAM、相变存储器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研发中。这些不同类型的存储器都对应特定的应用领域，但都势必将在存储器家族中取代一个或者多个传统型存储。
2018-09-05 15:51:1210175 英特尔在当地时间周日开始出货首批基于3D XPoint新技术的产品，希望借此重塑计算机内存市场，协助公司从科技行业的数据爆炸中获得更多利润。
2018-09-16 10:50:153653 根据紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区举行。官方称紫光成都存储器制造基地占地面积约1200亩，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。
2018-10-16 15:58:402936 新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，最主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054935 近期，美光正式宣布，对IM Flash Technologies，LLC（简称“IM Flash”） 中的权益行使认购期权。IM Flash是美光与英特尔的合资公司，主推市场上的新型存储芯片技术3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491418 技术确实降低了每千兆字节的成本。本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 新的技术出来。除了主流的电荷捕获（charge trap）存储器外，还有铁电存储器（FRAM）、相变存储器（PRAM）、磁存储器（MRAM）和阻变存储器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0013980 
在3D NAND Flash大行其道的21世纪，当Intel和美光在2015年首次介绍3D Xpoint的时候，市场掀起了轩然大波。据当时的介绍，3D Xpoint会比NAND Flash快1000倍，且寿命也会比其长1000倍。
2019-01-19 09:41:381340 近年来，非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，采用新型非易失性存储技术来替代传统的存储技术可以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器为
2019-03-19 15:43:0110827 
据介绍，相变存储器是一种兼具寿命长且断电后仍可保存数据两种优点的存储器，而目前通用的存储器技术主要是动态随机存储器和闪存两种，占了95%的市场份额。
2019-08-27 17:19:221675 据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:411115 物理学家设计了一种3-D量子存储器，解决了实现长存储时间和快速读出时间之间的权衡，同时保持了紧凑的形式。新存储器在量子计算，量子通信和其他技术中具有潜在的应用。
2019-09-12 11:39:233054 相变存储器具有很多优点，比如可嵌入功能强、优异的可反复擦写特性、稳定性好以及和CMOS工艺兼容等。
2019-09-18 11:14:402724 
长江存储打破全球3D NAND技术垄断，作为国家重点打造的存储器大项目，经历多年的研发，终于走向市场正式向存储巨头们挑战。
2019-11-29 15:39:053808 至于原因，东芝认为3D XPoint成本太高，在容量/价格比上难以匹敌3D NAND 技术，现在市面上96层堆叠的闪存已经大量涌现，可以在容量上轻松碾压3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 未来十年，存储市场仍将继续追求存储的密度、速度和需求的平衡点。尽管各个厂家的技术侧重点不尽相同，但铠侠（原东芝存储器）对 3D XPoint 之类的堆叠类存储方案的前景并不看好。
2020-01-02 16:02:115268 
相变存储器具有很多优点，比如可嵌入功能强、优异的可反复擦写特性、稳定性好以及和CMOS工艺兼容等。
2020-01-07 15:17:516097 在此前高调地宣布“分道扬镳”之后，英特尔近日又与美光签署了新的 3D XPoint 存储器晶圆供应协议。分析人士指出，鉴于英特尔是当前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付较以往更多的费用。
2020-03-17 14:21:142525 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器
2020-04-25 11:05:573525 
新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型：闪存（Flash），铁电随机存取存储器（FeRAM），磁性随机存取存储器（MRAM），相变存储器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的设计是成功制造非易失性存储器产品的重要关键，包括测试和验证设备性能以及在制造后一次在晶圆和设备级别进行质量控制测试。新兴的非易失性存储器技术的制造和测试，这些技术将支持物联网，人工智能以及先进
2020-06-09 13:46:161487 
存储器是集成电路最重要的技术之一，是集成电路核心竞争力的重要体现。然而，我国作为IC产业最大的消费国，相较于国外三星、英特尔等大型半导体公司的存储器技术与产品而言，我国存储器的自给能力还相对
2020-09-26 12:01:182396 。以相变存储器为代表的多种新型存储器技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注，本文介绍相变存储器的工作原理、技术特点及其国内外最新研究进展。 一、相变存储器的工作原理 相变存储器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 提供，也就是仰仗美光。据美光最新表态，3D Xpoint仍是公司关注的领域和业务，且有明确的路线图。 日前出席伯恩斯坦运营决策会议时，美光CFO David Zinsner坦言，3D Xpoint的收入几乎全来自外售存储芯片。换言之，自家第一款也是唯一的3D Xpoint固态盘X100销量低迷，还没有产
2020-11-29 11:54:412026 对于存储器，大家都有所了解，比如我们每天使用的手机内就具备存储器。为增进大家对存储器的认识，本文将对只读存储器的种类予以介绍，并对相变存储器、存储器生命周期、技术进行对比。如果你对存储器相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
2020-12-06 10:31:009204 。 据了解，在新型存储器中，相变存储器（PCM）是与CMOS工艺最兼容，技术最成熟的存储技术。 2015年，Intel和Micron推出了傲腾三维相变存储芯片，速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍，其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。 然而，由于在相变过程中需
2022-01-21 13:15:001047 本系列文章的第1 部分解释了内存如何影响汽车中区域和域系统的计算性能、功耗、可靠性和成本。现在，让我们谈谈一种特定类型的非易失性存储器 (NVM) — 相变存储器 (PCM) — 在 MCU 的关键
2022-07-19 11:58:022123 
Racetrack存储器可以存储大量数据，这些数据可以非常快速地访问。现在，在一项新的研究中，科学家们发现了3D racetrack存储设备，这可能会极大地提高这项技术的潜力。
2022-10-25 11:55:393019 半导体存储器（Semiconductor Memory）是一种电子元件，用于存储和检索数据。它由半导体材料制成，采用了半导体技术，是计算机和电子设备中最常用的存储器。 半导体存储器可以分为两种
2024-02-01 17:19:055136 2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:392376 
相变存储器（Phase-Change Random Access Memory，简称 PCRAM 或者PCM），是一种非易失性存储器，利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间的相互转换来实现信息的存储和擦除，通过测量电阻的变化读出信息。
2024-04-27 06:35:002196 
定义： RAM（Random Access Memory）：随机存取存储器，是一种易失性存储器，主要用于计算机和其他设备的临时存储。 ROM（Read-Only Memory）：只读存储器，是一种
2024-08-06 09:17:482549 高速缓冲存储器（Cache），通常简称为缓存，是一种具有高速存取能力的存储器。其原始意义是指存取速度比一般随机存取存储器（RAM）更快的一种RAM。高速缓冲存储器一般采用静态随机存储器（SRAM
2024-09-10 14:09:284406 在探讨存储器中访问速度最快的是哪一种时，我们首先需要了解计算机存储系统的层次结构以及各类存储器的特性和功能。计算机存储系统通常包括多个层次的存储器，从速度最快、容量最小的寄存器开始，到速度较慢、容量较大的外存储器结束。这些存储器在访问速度、容量、价格等方面各有优劣，共同构成了计算机的存储体系。
2024-10-12 17:01:055359 ，Read-Only Memory）。 一、随机存储器（RAM） 随机存储器的定义和特点 随机存储器（RAM）是一种可读写的存储器，其特点是可以随机访问存储器中的任何位置，并且读写速度相对较快。RAM的主要作用是为计算机的中央处理器（CPU）提供临时存储空间，以便快速处理数据和执
2024-10-14 09:54:114300 HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，是一种基于 3D 堆叠技术的高性能 DRAM（动态随机存取存储器）。其核心设计是通过硅通孔（TSV）和微凸块（Microbump
2025-07-18 14:30:122961 2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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