国产DDR4存储芯片问世，长鑫存储实现技术突破

（文章来源：黑鸟科技）

如果说处理器等领域，中国半导体行业还有些存在感，那么存储市场就几乎为零了。目前，全球DRAM市场基本上被美韩瓜分，三星、SK海力士、美光的全球市场份额合计在95% 左右，中国庞大的存储芯片需求，只能依赖进口解决。现在，中国厂商长鑫存储终于发布了第一颗DDR4规格的内存条。

被人们俗称内存的电子硬件全名动态随机存取存储器，是半导体行业中体量最大的一块，无论是手机、PC还是服务器，都需要内存作为数据传输的通道。此次长鑫推出的内存芯片，既有面向主流PC市场的单颗1G DDR4内存芯片和采用自家原厂内存颗粒的8G DDR4模组（即内存条），也有面向移动端的2G和4G两种规格LPDDR4X内存芯片。

尽管研发DDR4不算是最先进的技术，国产DDR4某种程度上算是姗姗来迟，但长鑫存储的DDR4也来之不易。从2008年开始，我国集成电路进口额就超过了原油，并连续11年成为我国第一大宗的进口商品。去年1~9月，国内存储芯片进口量为2.5亿台，累计增长9.5%，进口金额为1139亿元，累计增长4%。国内半导体行业并非不想打破这个局面，但半导体行业后来者难入局，除了需要高额的研发费用，专利也是绕不过去的门槛。

主攻闪存市场的福建晋华就曾因专利问题吃了亏，不仅产品被禁售，内存芯片的研发计划也被叫停。而长鑫存储最关键的一波操作，就是在2019年吃下了已经破产的原欧洲存储芯片巨头奇梦达的大量专利。购买专利不仅是为了提升技术实力，更是为了绕过专利的封锁围堵，真正进入制程节点的追击战。

目前，长鑫存储将奇梦达的46nm工艺改进到了19nm。但如果用制程节点表示，16~19 nm是1x nm制程，14~16nm是1y nm制程，12~14nm是1z nm制程，此外行业还规划了1α、1β 和1γ 节点。长鑫的19nm存储芯片属于第一代的1x nm，而美光与SK海力士已经开始量产第二代1y nm制程。今年初的CES上，美光就展示了基于1y nm的12G LPDDR5内存，由小米10首发，同时美光也表示今年晚些时候会推出1z nm级的产品。

长鑫存储发布DDR4的消息也引来了韩媒的关注，Business Korea指出，以长鑫存储为代表的一系列的中国半导体企业实力不容小觑，韩国业内专家在报道中表示，“与NAND闪存不同，DRAM芯片只有在其质量和性能得到保证后才能使用”。中国对于半导体行业的投资额正呈现逐年增长的趋势。去年，中国对半导体设备的投资总计129.1亿美元，而韩国的投资总额为105.2亿美元；前一年的数字分别为131亿美元和176.7亿美元，而今年预估分别为149.2亿美元和103.4亿美元。

目前长鑫存储已经能够批量生产DDR4内存芯片、DDR4模组及LPDDR4X移动内存，预计将在近期上市。考虑到DDR5内存明年才有可能见到，并且需要更换其他硬件和平台才能支持，普及仍需一段时间，国产DDR4存储芯片或许会给市场带来许多惊喜。
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