国产存储芯片SSD获得了重大技术性的突破

（文章来源：中关村在线）

国产存储芯片一直受到业界的关注，长江存储正式宣布，公司实现量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。据该公司透露，其新产品传输速度可较目前传统产品提升三倍左右。

相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。目前大多数NAND芯片仅能供应1.0 Gbps实际速率。Xtacking技术有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。

闪存芯片堆栈层数越高，虽然可以有效的提升存储密度，让人们获得更大容量的存储产品，但同时也存在一定的负面效应，比如I/O传电路增多挤占芯片空间。随着堆栈层数提升，外围电路占比可能高达50%，所以减少I/O传电路成为技术难题。

长江存储的Xstacking技术基于武汉新芯科技的CIS传感器芯片上开发的堆栈技术，它把外围电路置于存储单元之上，外围电路和存储单元是2片晶圆，这就意味着其芯片可用面积远大于其他传统3D NAND架构，从而实现更高的存储密度。

不仅是提高容量利用率，基于该技术节省出来的部分，除了控制电路，也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了无限可能。尽管长江存储的进步值得肯定，但是跟三星、西数、东芝、美光等国际顶级公司仍旧存在差距。目前这些公司都已经实现了96层堆栈的3D闪存量产。此前媒体报道称这些厂商正在积极改进96层闪存的良率，有望在2020年成为市场的主流。

根据资料显示，这些公司的96层堆栈3D闪存今年将占到产能的30%，不过随着厂商加快技术转型并提高良率，明年96层闪存的产能将超过64层闪存。也就是说，与国际上处于头部的存储芯片公司相比，我们仍旧存在一个完整的代差。

简单的说，长江存储刚刚宣布实现64层堆栈量产，而那些耳熟能详的“洋品牌”则已经即将完成64层到96层的过渡。不过这仅仅是国产闪存芯片实现追赶的开端，长江存储也曾公开宣布，未来将会直接跳过96层堆栈技术，直接在128层堆栈上展开竞争。

与3D NAND堆栈层数关联度最大的参数就是产品容量的差异，所以在一开篇我们看到，长江存储官方宣布的是“64层256 Gb TLC 3D NAND闪存”。而在实际零售市场上来看，256GB容量的产品其实属于过去几年热销的产品。

如今随着堆栈层数的不断增加，64层堆栈技术已经成为主流，512GB乃至1TB的SSD已经成为市场主销型号。因为这个容量的产品不仅每GB容量的价格更低，而且因为技术的原因，更高容量的产品可以获得更好的性能表现和更可靠的使用寿命。而随着明年96层堆栈成为国际的主流，明年1TB容量的产品将会成为市场上绝对的主力。所以，如果您不懂技术上的差异，或许直接比较容量上的差异更为简单和直观。

尽管如此，我们不能否认国产存储芯片技术的进步。毕竟起步较晚，缺乏技术积累，并且屡屡遭受封锁和打压是不争的事实。中国存储芯片企业能够在如此之短的时间追赶上国际一线品牌的步伐，这仍旧是值得骄傲的巨大进步。

实现存储芯片的完全自主可控，这不仅对于中国科技产业发展具有极为重要的现实意义，更是国家科技发展战略的重要一环。长江存储实现64层堆栈闪存量产意义非凡，请给我们的科技企业多一些时间，相信未来必然会实现伟大的超越。