美国司法部控告福建晋华窃取商业机密案，导致晋华关键设备导入与试产计划陆续喊停，美方后续传将锁定合肥长鑫、睿力集成国际等中国大陆记忆体业指标案进行调查，中国大陆发展DRAM恐面临挫败，业界原忧心陆厂
2018-11-20 09:32:59
2245 自从福建晋华遇到了极大麻烦后，其他本地厂商如合肥长鑫，西安国芯的计划似乎很有限，不太可能对全球DRAM市场产生重大影响。但这一看法我想最近要纠正下。原为合肥长鑫的长鑫存储已经开始批量生产其自制
2019-12-16 17:28:0026019 作为大陆集成电路产业链上最后发展的DRAM，DRAM厂到底会落户哪个地方也受到关注。最近关于存储器的发展有了新进展，不仅将技术、研发、IP作为关键，DRAM厂的争夺也有了一个结果，武汉成为最后的赢家。
2015-06-19 16:36:382152 大陆DRAM和NAND Flash存储器大战全面引爆，近期包括长江存储、合肥长鑫等阵营陆续来台锁定IC设计和DRAM厂强力挖角，目前传出包括钰创员工、并入联发科的NOR Flash设计公司常忆，以及
2016-11-22 16:06:151867 全球三大DRAM厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不约不同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆。据了解，合肥长鑫开出现有华亚科三倍的高薪进行挖角，且锁定人数高达两百人，远高于紫光集团出的双倍薪，已有不少人决定投效。
2016-12-26 10:12:562894 
业界消息指出，记忆体大厂三星电子自2月中旬起，陆续召回部分序号的18奈米制程DRAM模组，原因在于这些18奈米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝幕当机。
2017-03-06 09:18:321044 业界消息指出，存储器大厂三星电子自2月中旬起，陆续召回部分序号的18纳米制程DRAM模组，原因在于这些18纳米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝屏当机。由于三星在全球PC DRAM市占过半，据传召回的DRAM模组数量达10万条，业界认为将导致3月DRAM缺货雪上加霜，合约价将再见飙涨走势。
2017-03-06 09:34:281126 
知情人士告诉半导体行业观察记者，国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片，产品规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储，国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破，为推动存储国产化掀开了重要一页。
2018-07-17 10:03:056161 在今日举办的中国闪存技术峰会（CFMS）上，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲，披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。
2019-09-26 05:13:004251 一、前言：长鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陆内存厂商 可能很多同学提到台电内存，可能会觉得他们不是一线顶尖品牌，颗粒使用上也不会有什么亮点，不过这一次，台电腾龙G40内存100%用了原厂颗粒，而且
2020-10-30 15:33:148573 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即动态随机存取存储器，它和 SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存，也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:296409 
6月12日，日经新闻引述未具名消息人士报导，合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。 日经：长鑫已重新设计DRAM芯片，尽量避免使用美国原产技术 据日经新闻亚洲评论报导
2019-06-13 18:30:033778 日前，长鑫存储技术有限公司（以下简称长鑫存储）与美国半导体公司Rambus Inc.（以下简称蓝铂世）签署专利许可协议。依据此协议，长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储（以下简称DRAM）技术
2020-04-27 16:14:435261 4 月 28 日讯，近日，长鑫存储技术有限公司与美国半导体公司 Rambus 签署专利许可协议。根据协议，长鑫存储从 Rambus 获得大量动态随机存取存储(以下简称“DRAM”)技术专利的实施许可
2020-04-29 09:27:385040 在DRAM市场，三星、SK海力士、美光占据主导地位，国产DRAM也在加速发展，代表性企业有合肥长鑫与紫光存储，但技术方面与头部厂商仍有较多大的差距。据中国闪存市场2020年二季度DRAM市场营收数据
2020-10-24 07:36:009478 的适用范围随后将通过超高性能的摄像软件与人工智能等最新技术的支持陆续扩大。 SK海力士相关人士表示：“18GB LPDDR5 移动端DRAM与此前16GB产品相比具备更大的容量，有效提升了数据临时存储空间。” 此次量产的产品处理速度高达6400Mb/s，与至今搭载于智能手机的
2021-03-08 15:03:173190 。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部
2012-08-15 17:11:45
理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。 DRAM存储原理 DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现
2020-12-10 15:49:11
DRAM内存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它们在本质上讲是一样的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
。根本原因不在三星、SK宣称的市场因素，目前DRAM市场价格并不差，反倒是NAND的价格还在持续滑落中。扩大价格低落的产品线，不是拿石头砸自己的脚吗？同时也不是媒体所猜测的国内DRAM产能陆续释放，国内
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成，DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。分析：由题得，16个DRAM芯片需要先在位方向扩展为4位得
2022-03-02 06:18:45
在本文中，我们将介绍一种新型的非易失性DRAM，以及它与当前内存技术的比较。DRAM是计算技术中必不可少的组件，但并非没有缺陷。在本文中，我们将研究一种新提出的存储器-非易失性DRAM-以及它与当前
2020-09-25 08:01:20
使用NI的 FPGA，开辟了一个1294*1040大小的DRAM，在60HZ帧频下按地址一个MCK一个地址的刷新DRAM中的数据，也就是每个地址刷新时间不到17微秒，一开始出现一个数据都写不进去，我
2018-11-07 23:57:30
各位大神好，我想用FPGA读写DRAM存储器，求大神指点哪位大佬有代码分析一份更是感激不尽，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
价格迅速下跌。IC Insights预测，随着更多的产能上线，供应限制开始缓解，DRAM市场增长将会降温。值得一提的是，据报道，三星和SK海力士已推迟了部分扩张计划，原因是预计客户需求将出现疲软，更有
2018-10-18 17:05:17
操作。 另外，采用2个系统时钟是处理时钟相位偏移的对策，DDRSDRAM利用双向的选通信号实施时钟相位偏移的处理对策，而Direct Rambus DRAM预各了由DRAM向
2008-12-04 10:16:36
比同容量的SRAM更少的地址引脚。二、DRAM芯片的刷新技术由于DRAM的特性决定，DRAM能存储电荷的时间非常短暂，这样它需要在电荷消失之前进行刷新，直到下次写入数据或者计算机断电才停止。每次读写
2010-07-15 11:40:15
，不能再如愿存储电荷。因此，业内通过将电容器做成细长的圆柱状来确保表面积来确保容量。圆柱的直径与长度之比，即宽高比正日益接近100。通常铅笔的宽高比为22左右，所以DRAM的电容器比例如同跟4根铅笔连起来
2015-12-14 13:45:01
存储器是怎样进行分类的？分为哪几类？为什么要对DRAM进行刷新？如何进行刷新？
2021-09-28 08:50:24
***地区厂商达17.9%。由于三星、海力士与美光等厂商在产能配置上着重于Flash颗粒以及CMOS Image Sensor等产品，2007年仅***地区厂商大量的扩充DRAM产品的产能，因此未来***地区厂商DRAM销售额比重仍将持续攀高。
2008-05-26 14:43:30
哈弗结构是什么意思？加剧CPU和主存之间速度差异的原因有哪些？导致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虚拟存储器的最大容量是由什么原因决定的？
2021-08-11 08:07:31
模式也使得DRAM的集成度高于SRAM，一个DRAM的存储单元仅需要一个晶体管和一个小电容，而每个SRAM单元需要四道六个晶体管和其它的零件，故DRAM在大容量以及价格上会有优势。 FlashFLASH
2019-09-18 09:05:09
的消息。 此次增加的60台车辆全部为混合动力车，其中40台为18米油电混合铰接车，20台为12米气电混合动力车，车身颜色依然为红色，即日起将陆续上线。此次新增的60台车辆上线工作已经全部准备完毕，并
2013-03-22 16:11:43
基于SRAM 和DRAM 结构的大容量FIFO 的设计与实现作者：杨奇 杨莹摘要：本文分别针对Hynix 公司的两款SRAM 和DRAM 器件，介绍了使用CPLD 进行接口连接和编程控制，来构成低成本
2010-02-06 10:41:10
45 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很
2010-01-07 10:00:451514 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory随机存贮器)是指通过指令可以随机地、个别地对每个存储单元进行访问、访问所需时间基本固定、且
2010-03-24 16:04:3315009 DRAM模块,DRAM模块是什么意思
DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM"，翻译成中文就是"动态随机存储器"。。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，
2010-03-24 16:17:212726 利基型记忆体包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，与Graphics DRAM等3大类产品线，各产品线主要终端应用产品各自不同。加总Mobile DRAM、Specialty DRAM与Graphics DRAM等3大产品总市场需求，DIGITIMES预估
2011-10-28 09:39:003713 DRAM厂不堪亏损纷降低生产供给过剩的标准型DRAM，IC设计业也跟进，钰创(5351)董事长暨执行长卢超群昨表示，该公司正积极降低DRAM营收比重，朝开发整合逻辑IC的特殊DRAM产品发展;他认为
2011-11-25 09:50:08783 DRAMeXchange 表示，2011年对于DRAM产业实属充满不确定性因素的一年，不仅是天灾频传，陆续造成DRAM供给与需求的冲击以外，由于 PC 产业受到平板电脑崛起所造成的生态变化，对 DRAM 的消耗
2011-12-30 09:12:251200 全球三大DRAM厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。
2016-12-26 09:44:481040 
随着系统对内存容量、带宽、性能等方面的需求提高，系统会接入多个 DRAM Devices。而多个 DRAM Devices 不同的组织方式，会带来不同的效果。本文将对不同的组织方式及其效果进行简单介绍。
2017-03-28 11:43:371724 
的应用。典型的DRAM采用从为基于记录的采集/生成提供的简单本地存储到用于通道仿真应用的长延迟链。本文将探讨NI FlexRIO中DRAM的实现，学习如何在NI LabVIEW FPGA模块使用强大的DRAM抽象和接口。
2017-11-17 17:28:151539 
NOR Flash和NAND Flash作为存储的两大细分领域（另外还有DRAM），目前发展形势一直受到业界人士关注。
2018-03-31 08:38:5123827 中国三大存储器势力还有一大神秘队伍合肥长鑫，看看背后有着怎么样的神秘。 揭开合肥存储器项目神秘 合肥对DRAM的谋划不仅是合肥长鑫的存储项目，在2016年3月，就有消息传出，原尔必达社长坂本幸雄成立的半导体设计公司兆基科技（Sino King Technology）将在中国主导大规模半导体生产项目。
2018-05-02 10:28:009953 DRAM大厂陆续洽谈第3季DRAM合约价格，维持小涨局面，推升全球本季DRAM产值将再改写新高，台系DRAM南亚科（2408）和华邦电等，预料今年将缴出逐季创新高佳绩。
2018-07-04 17:08:00916 ；华为、OPPO、VIVO和小米等手机品牌更是早已盘据全球智能手机排行榜前七位；华为、腾讯、百度、阿里巴巴等更是目前全球服务器与数据中心关键领导厂商，而各式各样广泛的电子产品都需要DRAM存储器才能充分运作，甚至未来进入AI人工智能、挖矿机和自动驾驶车辆对于DRAM的需求将更为倚重。
2018-07-23 15:12:2417648 据国际电子商情，日前，消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片，启动试产8Gb DDR4工程样品
2018-07-23 17:12:0313272 
日前，合肥长鑫的DRAM正式投片，产品的规格为为8Gb LPDDR4。可以说，近期国内三大存储芯片工厂好消息接连不断
2018-07-24 16:15:509922 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型内存合约价，价格大致和6月相同。
2018-08-08 11:08:264469 DRAM涨势不断，后遗症逐步显现，通路商表示，因存储器涨幅过大，下游应用端，尤其是笔电和部分智能手机等市场，不堪侵蚀获利，已开始朝降低搭载量抵制，加上部分新产量陆续在2019年产出，研判明年下半年，DRAM涨势将止步，价格有下修压力。
2018-08-28 16:22:491110 美国司法部控告福建晋华窃取商业机密案，导致晋华关键设备导入与试产计划陆续喊停，美方后续传将锁定合肥长鑫、睿力集成国际等中国大陆记忆体业指标案进行调查，中国大陆发展DRAM恐面临挫败。
2018-11-20 10:32:095006 随着福建晋华和合肥长鑫两大阵营投入研发 DRAM 技术，若两大厂研发成功且量产，西安紫光国芯的DRAM设计实力恐与这两家再度拉大，合并紫光国芯后的紫光存储要如何进行大整合，以发挥集团的存储战力，还待时间观察。
2019-02-25 10:22:4910153 从福建晋华被美国宣布列为禁止出口的制裁名单后，国内存储产业发展气氛转为低调，业界更担心另一家 DRAM 自主研发大厂合肥长鑫会踩到前人地雷，然合肥长鑫首席执行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805 日前，据消息人士称，合肥长鑫存储为减少美国制裁威胁，已经重新设计了DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。
2019-06-14 10:46:2819830 长鑫存储已经重新设计DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。
2019-06-14 15:54:363777 DRAM厂商在面对DRAM价格不断下跌的困境下，已经在考虑导入EUV技术用于制造DRAM，主要目的是为了降低成本。
2019-06-21 09:10:012629 紫光集团发展公告，公告显示，经研究决定，决定组建紫光集团DRAM事业群，委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。
2019-08-08 17:54:474023 作为中国DRAM产业的领导者，长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变，用自主研发的DRAM技术和专利，引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832 昨日，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中国DRAM产业的领导者，长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变，用自主研发的DRAM技术和专利，引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:078443 在深圳举办的中国闪存技术峰会上，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士进行了《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲。
2019-09-20 16:52:564030 国产半导体又有一家公司强势崛起，这就是长鑫。就在昨天的世界制造业大会上，投资1500亿的长鑫存储内存芯片项目宣布投产，一起亮相的还有与国际主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280 最新消息，今天在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期
2019-11-14 15:31:363283 长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布，就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。
2019-12-06 09:35:501187 长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布，就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。
2019-12-06 09:37:453817 12 月 5 日讯，在近日召开的 2019 世界制造业大会上，总投资约 1500 亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流 DRAM 产品同步的 10 纳米级第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期设计产能每月 12 万片晶圆。
2019-12-06 10:53:102505 近日，据外媒报道，长鑫存储正式宣布其成为了国内第一家也是唯一一家DRAM供应商。
2019-12-09 16:18:527140 近日，长鑫存储技术有限公司与Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.联合宣布，就原动态随机存取存储芯片（DRAM）制造商奇梦达开发的DRAM专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。
2019-12-10 15:20:393829 12 月 10 日讯，长鑫存储获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告，将生产国产第一代 10nm 工艺级 8Gb DDR4 内存芯片。标志着长鑫存储正式成为了国内第一家也是唯一一家 DRAM 供应商。
2019-12-10 16:01:532748 据韩媒Business Korea报道，长鑫存储技术有限公司启动DRAM芯片销售，成为中国第一家DRAM芯片供应商。中国企业正在逐步增加在DRAM和NAND闪存市场的份额。
2020-02-29 14:50:563824 江波龙嵌入式存储品牌FORESEE推出了3款国产化内存，核心DRAM均采用长鑫存储的颗粒，这标志着中国存储在质量上开始参与市场竞争。
2020-05-15 14:18:153534 DRAM是Dynamic random access memory 的缩写，称为动态随机存取存储器。主要运用在对功耗要求不太高、系统缓存要求容量比较大速度要求比较快的系统。
2020-07-16 10:39:175876 半导体存储器已经得到了广泛的应用，其中DRAM和SRAM是两种常见形态的存储器。DRAM的特点是需要定时刷新，才可以保存数据，SRAM只要存入数据了，不刷新也不会丢掉数据。DRAM和SRAM各有各的优势及不足，本文探讨的DRAM和NAND当前面临的技术挑战及发展前景。
2020-07-22 14:04:192373 理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。 DRAM存储原理 DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位
2020-12-11 15:11:294696 
DRAM厂商长鑫存储完成156亿元融资，内存芯片的国产替代之路又获资金助力。12月14日，工商信息显示，大基金二期、安徽国资、兆易创新及另一家朱一明实控企业、小米长江产业基金等机构入股长鑫存储
2020-12-25 17:49:106588 国产DRAM厂商长鑫存储母公司睿力集成电路有限公司已成功完成156.5亿元的增资，国产DRAM发展再获强劲助力。 根据天眼查资料显示，12月14日，国产DRAM厂商长鑫存储母公司发生工商信息
2021-01-08 10:36:427501 可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存。 SRAM存储原理 SRAM采用双稳态触发器来作存储元件，不存在电容的刷新问题
2021-01-11 16:48:1822496 据央视报道，网约车老年版软件已经陆续上线，字号相比普通版本更大，支持一键叫车，方便老人出行。
2021-01-29 10:15:522152 MICRON最近宣布，我们正在发货使用全球最先进的DRAM工艺制造的存储芯片。这个过程被神秘地称为“1α”（1-alpha）。这是什么意思，有多神奇？
2021-09-15 17:00:522714 在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区
2022-08-01 10:22:261686 
规模量产DRAM芯片的中国厂商，且量产产品为目前主流型号内存芯片，并已经成功导入华为、小米、联想、威刚等知名厂商，有望充分享受到国产替代这一广阔的市场空间。 2016年5月，长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。作为一
2022-08-04 16:23:143700 
DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:4810600 
在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。先进的 DRAM 存储单元有两种，即深沟
2023-02-08 10:14:5712490 长鑫存储12gb lpddr5芯片目前已经在韩国主流手机制造商小米、传音等品牌机型上完成了验证。lpddr5是长鑫存储针对中高端移动机器市场推出的产品，市场化将进一步完善长鑫存储的dram半导体产品配置。
2023-11-29 09:31:102769 长鑫12GB LPDDR5芯片由8个12Gb颗粒封装，这是长鑫存储首款采用层叠封装（Package on Package）的芯片产品。
2023-11-29 11:11:332566 dram和nand的区别 DRAM和NAND是两种不同类型的存储器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种随机存取存储器，而NAND（Not AND）是一种逻辑
2023-12-08 10:32:0011547 eSUN易生PLA基础（PLA-Basic）、PETG基础（PETG-Basic）等基础（Basic）系列产品已陆续上线，它们的主要特点在于出色的性价比，在保持价格优势的同时，也为用户提供较好的打印使用体验。
2025-06-20 15:38:151439 
据报道，长鑫存储技术有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技术路线图，从其路线规划来看，其研发的产品线包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6， 虽然未公布具体时间节点
2019-12-03 18:18:1323542 3DNAND的SSD陆续上市，基于合肥长鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列内存条也开始量产，有网友发现，事实上紫光也已于今年3月在各电商平台上架了采用自主存储颗粒的内存条，存储颗粒由旗下紫光国芯提供。 图：基于合肥长鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列内存条 光威奕Pro系列和紫光DDR4-2400内存条的量
2020-07-14 09:26:5712533
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