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电子发烧友网>存储技术>长鑫存储DRAM芯片实现重大技术突破

长鑫存储DRAM芯片实现重大技术突破

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2020-12-25 17:49:106588

存储母公司完成156.5亿元增资,国产DRAM再获强劲助力

  国产DRAM厂商存储母公司睿力集成电路有限公司已成功完成156.5亿元的增资,国产DRAM发展再获强劲助力。   根据天眼查资料显示,12月14日,国产DRAM厂商存储母公司发生工商信息
2021-01-08 10:36:427501

华为中国芯片技术最新突破

华为中国芯片技术最新突破:因为疫情和美国的芯片禁令导致中国缺芯问题愈发严重,华为和中国的很多的芯片企业都在积极地解决问题,华为海思的芯片技术也有了重大突破,国产14nm芯片将会在明年年底量产。
2022-01-10 11:04:2032799

存储前景未来可期 NAND Flash何去何从?

 中国存储器的努力已缩小到两个最有前途的参与者,即 NAND 的 YMTC 和 DRAM存储技术 (CXMT),它们得到了蓬勃发展的半导体生态系统的支持。
2022-05-10 15:04:114586

电科技实现4纳米芯片封装

近日,全球领先的集成电路制造和技术服务提供商电科技宣布,公司在先进封测技术领域又取得新的突破,实现4纳米(nm)工艺制程手机芯片的封装,以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。
2022-07-22 11:46:413975

存储入选“2021—2022年度半导体与集成电路最具投资价值公司”

日前,甲子光年举办的“2022科技产业投资峰会”存储入选“2021—2022年度半导体与集成电路最具投资价值公司”。存储作为国内专业从事DRAM芯片设计、研发、生产和销售领军企业,是唯一实现
2022-08-04 16:23:143700

华为芯片重大突破

华为芯片重大突破:目前华为的麒麟系列芯片已经成为世界上最强大的移动芯片之一,被广泛应用于华为自家的旗舰手机以及平板电脑等设备上。 华为一直是全球领先的芯片设计和制造企业之一,近年来通过自主研发
2023-09-06 11:14:564987

国内首家,存储推出多款 LPDDR5产品

存储12gb lpddr5芯片目前已经在韩国主流手机制造商小米、传音等品牌机型上完成了验证。lpddr5是存储针对中高端移动机器市场推出的产品,市场化将进一步完善存储dram半导体产品配置。
2023-11-29 09:31:102769

存储推出自主研发的LPDDR5 DRAM存储芯片

12GB LPDDR5芯片由8个12Gb颗粒封装,这是存储首款采用层叠封装(Package on Package)的芯片产品。
2023-11-29 11:11:332566

国内首家!存储实现国内DDR5零突破

与上一代LPDDR4X相比,存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%,分别达到12Gb和6400Mbps,同时功耗降低30%。存储LPDDR5芯片加入了RAS功能,通过内置纠错码(On-die ECC)等技术实现实时纠错,减少系统故障,确保数据安全,增强稳定性。
2023-11-30 17:39:062775

存储取得时钟信号生成技术专利

据国家知识产权局公告,存储技术有限公司取得一项名为“时钟信号生成电路、方法及存储器”的专利,授权公告号CN116631469B,申请日期为2023年7月。
2023-12-04 10:03:441191

重大突破!首款国产LPDDR5存储芯片来了,容量、速率均提升50%

LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是存储面向中高端移动设备市场推出的产品,它的市场化落地将进一步完善存储DRAM芯片的产品布局。 其中,12GB
2023-12-13 11:12:081383

我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元

”;这是我国在光存储领域获重大突破。有助于解决大容量和节能的存储技术难题。 利用国际首创的双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技术,实验上首次在信息写入和读出均突破了衍射极限的限制,实现了点尺寸为54nm、道间距为70
2024-02-22 18:28:452307

科技融资108亿元!增资助推DRAM业务腾飞,估值达1400亿元

本轮所有投资人均以相同条款及价格,与科技、上述三个早期股东签署增资协议,并将签署《关于科技集团股份有限公司之股东协议》,共同参与科技增资事项。
2024-03-30 14:48:504668

兆易创新: 拟15亿元对科技增资,深化DRAM业务合作

1.88%股权。 兆易创新表示,本次对科技投资,有利于加深双方战略合作关系,发挥在代工产能和技术优势等方面的产业链协同,通过强化协同联动,在存储器业务领域持续深化合作,实现互利共赢。科技本轮融资完成后,将继续推进产
2024-04-02 15:27:351710

存储技术革新之战 闪存与内存巨头竞相突破

三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别,并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。
2024-04-16 15:22:301327

DRAM芯片的基本结构

如果内存是一个巨大的矩阵,那么DRAM芯片就是这个矩阵的实体化。如下图所示,一个DRAM芯片包含了8个array,每个array拥有1024行和256列的存储单元。
2024-07-26 11:41:302710

今日看点:存储官宣发布LPDDR5X,苹果自研 5G 芯片 C2 曝光

速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计,存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升,目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量,最高速率达到10667Mbps ,达到国际主流
2025-10-30 09:53:28937

公布最新技术路线图!存储计划再建两座 DRAM 晶圆厂

据报道,存储技术有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技术路线图,从其路线规划来看,其研发的产品线包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 虽然未公布具体时间节点
2019-12-03 18:18:1323542

国产存储芯片新格局:2020年真正实现大规模量产!

价格一路走跌, 2019 年底稍有回暖迹象。 国产存储芯片在刚刚过去的 2019 年成长显著,兆易创新受益于 TWS 业绩一路攀升,长江存储 64 层 256 Gb 3D NAND 量产,存储 10
2020-01-06 08:30:0026712

国产内存条量产,DRAM芯片产业发展提速!

近两年,国内存储产业发展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,长江存储、合肥相继宣布64层3DNAND量产、DDR4内存芯片量产,实现从0到1的突破。 今年,基于长江存储64层
2020-07-14 09:26:5712532

科创板IPO受理:四季度有望爆赚95亿,营收或高达580亿!

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)终于!国内DRAM龙头科技在2025年的尾巴向上交所递交招股书,拟在科创板挂牌上市。成立于2016年的专注于DRAM存储芯片的全产业链布局,填补了中国大陆本土
2026-01-01 04:09:009251

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