在谈到DRAM技术未来的发展时,平博士首先强调,DRAM是有它的极限的。我们通过改进,可以将极限推迟。如导入EUV及HKMG三极管以缩小线宽及加强外围电路性能,就是DRAM产业的一个选择,这在未来几年将可以维持DRAM技术发展,满足大数据时代的需求。
2019-09-19 15:06:13
2836 自从福建晋华遇到了极大麻烦后,其他本地厂商如合肥长鑫,西安国芯的计划似乎很有限,不太可能对全球DRAM市场产生重大影响。但这一看法我想最近要纠正下。原为合肥长鑫的长鑫存储已经开始批量生产其自制
2019-12-16 17:28:00
26019 大陆DRAM和NAND Flash存储器大战全面引爆,近期包括长江存储、合肥长鑫等阵营陆续来台锁定IC设计和DRAM厂强力挖角,目前传出包括钰创员工、并入联发科的NOR Flash设计公司常忆,以及
2016-11-22 16:06:15
1867 据台湾媒体报道,大陆紫光集团长江存储、合肥长鑫及福建晋华都积极争取大陆存储器主导权,随着三大体系建厂计划预定2018年量产,三大体系将正面对决。长鑫日前正式曝光相关投资计划,预定第一期在合肥空港经济
2016-12-19 14:49:25
8982 知情人士告诉半导体行业观察记者,国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片,产品规格为8Gb LPDDR4,这是国产DRAM产业的一个里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储,国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破,为推动存储国产化掀开了重要一页。
2018-07-17 10:03:05
6161 在今日举办的中国闪存技术峰会(CFMS)上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲,披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。
2019-09-26 05:13:00
4251 是来自于合肥长鑫的纯国产CXMT DRAM芯片。 合肥长鑫作为国产DRAM芯片行业的代表,曾经吸收过奇梦达(Qimonda)的部分资源,这家德国DRAM厂商没能等到熬过10年前的内存寒冬,在破产后将2.8TB的技术文件以及16000相专利申请转让给了合肥长鑫。 经过了足足
2020-10-30 15:33:14
8573 6月12日,日经新闻引述未具名消息人士报导,合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。 日经:长鑫已重新设计DRAM芯片,尽量避免使用美国原产技术 据日经新闻亚洲评论报导
2019-06-13 18:30:03
3778 日前,长鑫存储技术有限公司(以下简称长鑫存储)与美国半导体公司Rambus Inc.(以下简称蓝铂世)签署专利许可协议。依据此协议,长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储(以下简称DRAM)技术
2020-04-27 16:14:43
5261 4 月 28 日讯,近日,长鑫存储技术有限公司与美国半导体公司 Rambus 签署专利许可协议。根据协议,长鑫存储从 Rambus 获得大量动态随机存取存储(以下简称“DRAM”)技术专利的实施许可
2020-04-29 09:27:38
5040 今年2月底,长鑫存储官方宣布,符合国际标准规范的自产DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4内存芯片全面开始供货,这也是DDR4内存第一次实现真正国产,并采用国产第一代10nm级工艺制造
2020-05-22 11:47:37
9678 电子发烧友网报道(文/黄晶晶),日前从长鑫存储官网查阅到,长鑫存储已正式发布LPDDR5/5X内存。 据官网介绍,LPDDR5/5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术
2025-10-30 09:12:55
5305 
电子发烧友网综合报道,近日,长鑫存储首次全面展示DDR5和LPDDR5X两大产品线最新产品。 长鑫存储最新的DDR5产品是中国首个自主研发的DDR5。该产品系列最高速率达8000Mbps,最高
2025-11-25 08:27:00
8146 
。
该贮箱采用了5米级长筒段,首次实现了国内近2米级筒段向5米级筒段的重大跨越,标志着我国已初步掌握长筒段研制技术,火箭在高质量、高效率、低成本研制上又取得重大突破。长筒段将现有多个筒段整合为一,有效
2021-07-06 10:02:35
理,相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。 DRAM存储原理 DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现
2020-12-10 15:49:11
高科技产业的技术、产品还可长可久,投资于此,理所当然。DRAM制程推进已很缓慢,目前的制程是1y,有EUV的助力,也许可以推进到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是事倍功半的努力。对于一个商业公司
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成,DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。分析:由题得,16个DRAM芯片需要先在位方向扩展为4位得
2022-03-02 06:18:45
鑫达科技近期以来取得重大技术突破且拥有成熟解密方案的优势解密系列,针对各种IC芯片,目前我们均能够提供高效可靠、价格合理的芯片解密方案。 MPC82G516芯片解密是其中成功破解的典型芯片
2012-09-29 11:29:00
比同容量的SRAM更少的地址引脚。二、DRAM芯片的刷新技术由于DRAM的特性决定,DRAM能存储电荷的时间非常短暂,这样它需要在电荷消失之前进行刷新,直到下次写入数据或者计算机断电才停止。每次读写
2010-07-15 11:40:15
CPU、内存和加速器,可能改变内存池化、共享的架构。
国产化:中国在存储芯片领域(尤其是DRAM和NAND)投入巨大,长江存储(NAND)和长鑫存储(DRAM)是代表,正努力突破技术和产能瓶颈。
6.
2025-06-24 09:09:39
什么是SOI技术?在实现CAN收发器EMC优化方面有哪些重大突破?
2021-05-10 06:42:44
据新华社等多家媒体报道!畅能达科技实现散热技术重大突破
由 广东畅能达科技发展有限公司 自主研发的高热流密度散热相变封装基板,其散热性能远远超过现有的金刚石铝和金刚石铜。该技术可广泛运用于芯片、微波
2024-05-29 14:39:57
`华尔街日报发布文章称,科技产品下一个重大突破将在芯片堆叠领域出现。Apple Watch采用了先进的的3D芯片堆叠封装技术作为几乎所有日常电子产品最基础的一个组件,微芯片正出现一种很有意思的现象
2017-11-23 08:51:12
ADI宽带RFIC实现重大技术突破,大大简化设计
随着多种标准在中国的共存,射频器件需要满足多种频段的需求。目前的情况是移动终端的射频已开始走向部分集成,支持
2010-01-04 14:10:48
862 IBM宣布芯片实现重大突破 可建百万万亿次电脑
网易科技讯 北京时间3月4日消息 据《自然》杂志报道,IBM的科学家当日宣布,他们用微型硅电路取代铜线实现了芯片间
2010-03-04 08:50:13
769 “第三代”光伏发电技术,也就是绿色光伏发电技术,特点是绿色、高效、价廉和寿命长。中国第三代光伏发电技术又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:38
1197 日前,存储器芯片主要供应商之一美光公司(Micron)在香港举行了 2014 夏季分析师大会,会上美光的高层管理人员就 DRAM、NAND 和新型存储器的市场趋势、技术发展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 的生产工艺,合肥长鑫和福建晋华在投产后预计在工艺方面较这些存储芯片巨头还有较大差距,在正式投产后还将面临着良率问题等,需要时间。
值得惊喜的关注,北京兆易创新公司,他们在DRAM技术上取得了突破
2018-04-18 09:12:37
6932 近日于合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中,长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国介绍了合肥长鑫存储器项目的 5 年规划:2018 年 1 月一厂厂房建设完成
2018-04-18 13:50:00
8123 
长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司CEO王宁国高调现身合肥集成电路重大项目发布会表示,合肥长鑫作为国内进展最快的存储器生产基地,近日12吋基地约300台研发设备已基本全部到位,装机后今年下半年将全力投片试生产。
2018-04-23 11:25:00
13560 中国三大存储器势力还有一大神秘队伍合肥长鑫,看看背后有着怎么样的神秘。 揭开合肥存储器项目神秘 合肥对DRAM的谋划不仅是合肥长鑫的存储项目,在2016年3月,就有消息传出,原尔必达社长坂本幸雄成立的半导体设计公司兆基科技(Sino King Technology)将在中国主导大规模半导体生产项目。
2018-05-02 10:28:00
9953 国内目前有三大存储芯片基地,紫光主导的长江存储以武汉为基地,主要生产3D NAND闪存,预计明年正式投产32层堆栈的64Gb闪存,选择DRAM内存芯片作为重点的有两大阵营,福建晋华集团联合台联电在
2018-07-20 17:48:19
9888 中国DRAM存储器产业自主化更是刻不容缓的一条艰巨道路。中国目前在全球个人计算机、智能手机、服务器/数据中心以及未来新时代的AI人工智能以及物联网均扮演关键地位,联想品牌已是全球PC市占率最高的厂商
2018-07-23 15:12:24
17648 据国际电子商情,日前,消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片,启动试产8Gb DDR4工程样品
2018-07-23 17:12:03
13272 
日前,合肥长鑫的DRAM正式投片,产品的规格为为8Gb LPDDR4。可以说,近期国内三大存储芯片工厂好消息接连不断
2018-07-24 16:15:50
9922 7月16号,中国DRAM代表厂商合肥长鑫召开存储器项目首次投片总结大会,在会上传出消息,合肥长鑫即将进行8GB LPDDR4的投片,成为中国第一家迈向高端存储投片阶段的存储器厂商。中国市场的存储
2018-11-29 16:51:05
18310 随着福建晋华和合肥长鑫两大阵营投入研发 DRAM 技术,若两大厂研发成功且量产,西安紫光国芯的DRAM设计实力恐与这两家再度拉大,合并紫光国芯后的紫光存储要如何进行大整合,以发挥集团的存储战力,还待时间观察。
2019-02-25 10:22:49
10153 从福建晋华被美国宣布列为禁止出口的制裁名单后,国内存储产业发展气氛转为低调,业界更担心另一家 DRAM 自主研发大厂合肥长鑫会踩到前人地雷,然合肥长鑫首席执行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:38
9805 据悉,台湾工业技术研究院(ITRI)下属的电子与光电子系统研究实验室(EOSRL)日前宣布,在Micro LED芯片巨量转移技术上实现了重大突破。
2019-05-24 15:29:25
2508 日前,据消息人士称,合肥长鑫存储为减少美国制裁威胁,已经重新设计了DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。
2019-06-14 10:46:28
19830 长鑫存储已经重新设计DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。
2019-06-14 15:54:36
3777 来到DRAM方面,国产存储三大势力之一的合肥长鑫在七月中下旬正式投片,产品规格为8Gb LPDDR4,这是国产DRAM产业的一个里程碑。据合肥长鑫的王宁国之前的披露,合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成,设备也开始安装。
2019-08-30 11:22:22
1657 
作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00
832 在早前长江存储宣布它已研发出64层NAND flash芯片之后,近日合肥长鑫也宣布已解决DRAM芯片的技术难题并已进入小规模生产,这意味着困扰中国制造业的芯片产业取得了重大突破,这为中国制造业的转型升级提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09
981 20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。
2019-09-20 15:57:16
4487 昨日,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:07
8443 在深圳举办的中国闪存技术峰会上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士进行了《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲。
2019-09-20 16:52:56
4030 在9月20日-23日安徽合肥举行的2019世界制造业大会上,长鑫存储宣布DRAM生产线投产。这标志着我国在内存芯片领域取得重大突破。合肥将依托长鑫存储引进芯片设计、封装测试、装备材料、智能终端类项目,打造空港集成电路配套产业园。
2019-09-24 15:40:05
2418 最新消息,今天在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期
2019-11-14 15:31:36
3283 中国的技术自给自足之路正处于重大突破的边缘,新生的芯片产业有望在 2020 年底之前从去年的几乎为零的产量增长到世界 5%的存储芯片生产。
2019-11-22 16:46:58
1191 存储器产品占到了我国每年进口半导体芯片中的大头,其中DRAM内存芯片占比最高,有20%以上。
2019-11-27 17:01:15
2508 根据AnandTech的报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前,该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。
2019-12-03 10:46:22
4970 12月3日消息,根据消息报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前,该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。
2019-12-03 14:22:48
3838 长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布,就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利,长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。
2019-12-06 09:35:50
1187 长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布,就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利,长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。
2019-12-06 09:37:45
3817 12 月 5 日讯,在近日召开的 2019 世界制造业大会上,总投资约 1500 亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流 DRAM 产品同步的 10 纳米级第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期设计产能每月 12 万片晶圆。
2019-12-06 10:53:10
2505 近日,据外媒报道,长鑫存储正式宣布其成为了国内第一家也是唯一一家DRAM供应商。
2019-12-09 16:18:52
7140 近日,长鑫存储技术有限公司与Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.联合宣布,就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的DRAM专利,长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。
2019-12-10 15:20:39
3829 12 月 10 日讯,长鑫存储获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告,将生产国产第一代 10nm 工艺级 8Gb DDR4 内存芯片。标志着长鑫存储正式成为了国内第一家也是唯一一家 DRAM 供应商。
2019-12-10 16:01:53
2748 长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片,目标是在2020年第一季度上市。现在,一名用户就曝光了新款内存的外观和参数。
2020-02-26 15:01:13
9620 2 月 27 日讯,日前,国产芯片代表企业长鑫存储官方正式上线 DRAM 产品,包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 内存条、2GB/4GB LPDDR4X 产品,均符合国际通行标准规范
2020-02-28 14:23:35
2530 千呼万唤始出来,前两天国内DRAM内存终于迎来了历史性一刻——合肥长鑫的DDR4内存终于开始对外供货了。
2020-02-29 11:16:03
6311 据韩媒Business Korea报道,长鑫存储技术有限公司启动DRAM芯片销售,成为中国第一家DRAM芯片供应商。中国企业正在逐步增加在DRAM和NAND闪存市场的份额。
2020-02-29 14:50:56
3824 如果说处理器等领域,中国半导体行业还有些存在感,那么存储市场就几乎为零了。
2020-03-11 10:44:56
4255 据合肥在线报道,3月25日晚,一架搭载2台共34吨精密设备的波音747全货机在合肥新桥国际机场落地,解决了本地长鑫存储公司疫情期间设备进口的燃眉之急。
2020-04-03 16:42:05
4588 近日,我国在基于量子中继的量子通信网络技术方面取得重大突破,在国际上首次实现相距50公里光纤的存储器间的量子纠缠。
2020-04-03 17:58:44
3811 江波龙嵌入式存储品牌FORESEE推出了3款国产化内存,核心DRAM均采用长鑫存储的颗粒,这标志着中国存储在质量上开始参与市场竞争。
2020-05-15 14:18:15
3534 6月6日,长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行最近,其中,长鑫存储技术有限公司、苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约《长鑫12英寸
2020-06-08 17:00:50
5239 近年来,以中芯国际、长江存储、合肥长鑫为代表的本土半导体制造企业正分别在逻辑电路芯片、3DNAND存储芯片、DRAM存储芯片领域布局先进制程产能,也是中国半导体制程工艺技术走在最前沿的企业。
2020-07-14 14:49:45
4203 长鑫存储今年年底产能可达12万片,预计将超越南亚科技,届时市占率将仅次于三大巨头。此外,长鑫 17nm工艺即将出世,明年可实现大规模量产。 报道称,长鑫存储 19nm DRAM 工艺已于 2020
2020-09-03 15:08:00
6616 
在2019年,国内的内存以及闪存领域分别有一个重大的突破,长江存储量产64层3D闪存,合肥长鑫则量产了DDR4内存,而后者在2020年有望成为全球第四大DRAM内存芯片厂。
2020-09-18 14:18:46
3335 生产能力为“零”。在我国不断强调科技创新,“关键核心技术实现重大突破”的大背景下,未来存储芯片***空间极为广阔!
三、合肥长鑫+长江存储吹响
2020-11-03 12:27:32
3601 
12 月 1 日消息,英文媒体此前曾多次报道,存储芯片制造商今年下半年的处境并不乐观,行业内供过于求,三星电子和其他主要制造商 DRAM 和 NAND 闪存的平均库存,已接近 4 个月。 但从英文
2020-12-01 17:39:58
2292 的非易失性存储器类型(PCM和MRAM)将在独立存储器中处于领先地位。 传统存储芯片到达技术节点 存储器产业如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存储器三个相对独立的市场。 然而,随着摩尔定律的延伸,技术需求也越来越高,传统存储芯片
2020-12-06 06:57:00
4266 理,相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。 DRAM存储原理 DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位
2020-12-11 15:11:29
4696 
芯片已成为世界各国科技角力的主阵地,但最近全球却面临一个重大的问题——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:19
3759 DRAM厂商长鑫存储完成156亿元融资,内存芯片的国产替代之路又获资金助力。12月14日,工商信息显示,大基金二期、安徽国资、兆易创新及另一家朱一明实控企业、小米长江产业基金等机构入股长鑫存储
2020-12-25 17:49:10
6588 国产DRAM厂商长鑫存储母公司睿力集成电路有限公司已成功完成156.5亿元的增资,国产DRAM发展再获强劲助力。 根据天眼查资料显示,12月14日,国产DRAM厂商长鑫存储母公司发生工商信息
2021-01-08 10:36:42
7501 华为中国芯片技术最新突破:因为疫情和美国的芯片禁令导致中国缺芯问题愈发严重,华为和中国的很多的芯片企业都在积极地解决问题,华为海思的芯片技术也有了重大突破,国产14nm芯片将会在明年年底量产。
2022-01-10 11:04:20
32799 中国存储器的努力已缩小到两个最有前途的参与者,即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的长鑫存储技术 (CXMT),它们得到了蓬勃发展的半导体生态系统的支持。
2022-05-10 15:04:11
4586 
近日,全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技宣布,公司在先进封测技术领域又取得新的突破,实现4纳米(nm)工艺制程手机芯片的封装,以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。
2022-07-22 11:46:41
3975 日前,甲子光年举办的“2022科技产业投资峰会”长鑫存储入选“2021—2022年度半导体与集成电路最具投资价值公司”。长鑫存储作为国内专业从事DRAM芯片设计、研发、生产和销售领军企业,是唯一实现
2022-08-04 16:23:14
3700 
华为芯片迎重大突破:目前华为的麒麟系列芯片已经成为世界上最强大的移动芯片之一,被广泛应用于华为自家的旗舰手机以及平板电脑等设备上。 华为一直是全球领先的芯片设计和制造企业之一,近年来通过自主研发
2023-09-06 11:14:56
4987 长鑫存储12gb lpddr5芯片目前已经在韩国主流手机制造商小米、传音等品牌机型上完成了验证。lpddr5是长鑫存储针对中高端移动机器市场推出的产品,市场化将进一步完善长鑫存储的dram半导体产品配置。
2023-11-29 09:31:10
2769 长鑫12GB LPDDR5芯片由8个12Gb颗粒封装,这是长鑫存储首款采用层叠封装(Package on Package)的芯片产品。
2023-11-29 11:11:33
2566 与上一代LPDDR4X相比,长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%,分别达到12Gb和6400Mbps,同时功耗降低30%。长鑫存储LPDDR5芯片加入了RAS功能,通过内置纠错码(On-die ECC)等技术,实现实时纠错,减少系统故障,确保数据安全,增强稳定性。
2023-11-30 17:39:06
2775 
据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“时钟信号生成电路、方法及存储器”的专利,授权公告号CN116631469B,申请日期为2023年7月。
2023-12-04 10:03:44
1191 LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品,它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。 其中,12GB
2023-12-13 11:12:08
1383 ”;这是我国在光存储领域获重大突破。有助于解决大容量和节能的存储技术难题。 利用国际首创的双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技术,实验上首次在信息写入和读出均突破了衍射极限的限制,实现了点尺寸为54nm、道间距为70
2024-02-22 18:28:45
2307 本轮所有投资人均以相同条款及价格,与长鑫科技、上述三个早期股东签署增资协议,并将签署《关于长鑫科技集团股份有限公司之股东协议》,共同参与长鑫科技增资事项。
2024-03-30 14:48:50
4668 
1.88%股权。 兆易创新表示,本次对长鑫科技投资,有利于加深双方战略合作关系,发挥在代工产能和技术优势等方面的产业链协同,通过强化协同联动,在存储器业务领域持续深化合作,实现互利共赢。长鑫科技本轮融资完成后,将继续推进产
2024-04-02 15:27:35
1710 
三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别,并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。
2024-04-16 15:22:30
1327 如果内存是一个巨大的矩阵,那么DRAM芯片就是这个矩阵的实体化。如下图所示,一个DRAM芯片包含了8个array,每个array拥有1024行和256列的存储单元。
2024-07-26 11:41:30
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速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计,长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升,目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量,最高速率达到10667Mbps ,达到国际主流
2025-10-30 09:53:28
937 据报道,长鑫存储技术有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技术路线图,从其路线规划来看,其研发的产品线包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 虽然未公布具体时间节点
2019-12-03 18:18:13
23542 价格一路走跌, 2019 年底稍有回暖迹象。 国产存储芯片在刚刚过去的 2019 年成长显著,兆易创新受益于 TWS 业绩一路攀升,长江存储 64 层 256 Gb 3D NAND 量产,长鑫存储 10
2020-01-06 08:30:00
26712 近两年,国内存储产业发展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,长江存储、合肥长鑫相继宣布64层3DNAND量产、DDR4内存芯片量产,实现从0到1的突破。 今年,基于长江存储64层
2020-07-14 09:26:57
12532 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)终于!国内DRAM龙头长鑫科技在2025年的尾巴向上交所递交招股书,拟在科创板挂牌上市。成立于2016年的长鑫专注于DRAM存储芯片的全产业链布局,填补了中国大陆本土
2026-01-01 04:09:00
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