长鑫存储

长鑫存储动态

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  长鑫存储科技有限公司“沉积设备、静电卡盘、加热系统及其控温技术”

  此项发明涉及一种新型沉积设备、静电卡盘和加热机构，并提供了相应的控温方法。加热机构主要由导热板、加热组件及控制器组成。加

  2024-04-15 标签： 控制器 热元件 长鑫存储 72 0

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  长鑫存储获半导体器件制备装置及方法专利

  这项发明涉及半导体器件制备设备及制备策略，主要包含气体管道、气体优化系统及反应腔室三大组件。其中，气体管道设有多个气体入

  2024-04-03 标签： 晶圆 半导体器件 长鑫存储 67 0

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  长鑫科技融资108亿元！增资助推DRAM业务腾飞，估值达1400亿元

  本轮所有投资人均以相同条款及价格，与长鑫科技、上述三个早期股东签署增资协议，并将签署《关于长鑫科技集团股份有限公司之股东

  2024-03-30 标签： DRAM 长鑫存储 2025 0

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  长鑫存储新专利揭示半导体结构与制造方法

  这个新颖的发明主要是关于一款包含以下几个部分的半导体结构：基底，基底上分布着一系列等距排列的电容接触结构，隔离结构，它处

  2024-03-14 标签： 半导体 电容 长鑫存储 120 0

• 首款国产LPDDR5存储芯片来了！已在小米、传音等品牌机型上完成验证

  LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和

  2023-12-06 标签： 芯片 长鑫存储 LPDDR5 560 0

• 长鑫存储取得时钟信号生成技术专利

  据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“时钟信号生成电路、方法及存储器”的专利，授权公告号CN11663

  2023-12-04 标签： 时钟信号 长鑫存储 183 0

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  中国长鑫存儲自主研发 LPDDR5 完成

  长鑫存儲最近在其官网上宣布，已研发出中国首款 LPDDR5 DRAM记忆体芯片，并即将推出包括12GB LPDDR5、P

  2023-12-03 标签： 芯片 DRAM 长鑫存储 318 0

• 长鑫存储LPDDR5正式进军移动终端市场

  资料显示，LPDDR是低功耗的DRAM存储器，由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化，

  2023-12-01 标签： DRAM DDR LPDDR 242 0

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  国内首家！长鑫存储实现国内DDR5零突破

  与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同

  2023-11-30 标签： 芯片 DDR5 长鑫存储 892 0

• 长鑫存储首款国产LPDDR5，推动产业跨入LPDDR5领域

  　相比上一代LPDDR4，长鑫的LPDDR5单颗芯片容量和速率都提升了50%，达到12Gb和6400Mbps，并且功耗降

  2023-11-29 标签： DRAM 封装技术 数据安全 803 0

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