电子发烧友网报道(文/黄晶晶)根据 IC Insights 统计,2020年全球存储芯片市场规模达 1,267 亿美元,其中DRAM和NAND Flash市场规模较大,占比分别为53%和44%,NOR Flash 市场规模25亿美元,占比为2%,
当然,我们国产存储芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。并且,国产存储芯片的参与感尤其强烈。
比如早几年,8GB DDR4 2400MHz内存条,采用国外DRAM颗粒,单条的价格都要600元。
而查阅最近的内存条价格,可以看到8G DDR4 2666MHz采用长鑫颗粒的内存条低至150元以下。
图源:长鑫存储
与长鑫存储合作的国产存储产品厂商包括了光威、朗科、金泰克、金百达、七彩虹等等。
虽然说DRAM芯片的价格随行就市,不过长鑫存储若要快速打进市场,以同性能产品但更低价格的策略,是必不可少的。
这也就能够直接拉低内存条的价格,让用户得到实惠。
最近长江存储的128层3D NAND打入苹果供应链的消息被媒体广泛报道。
消息称,长存的3D NAND预计最早将于5月开始少量出货。将应用在iPhone SE上面,同时,苹果今年秋季将推出的iPhone 14系列也有望采用长江存储的闪存芯片。
苹果供应链的采用,无疑是对长江存储3D NAND产品最有力的认可。
图源:长江存储
其实之前,兆易创新的NOR Flash就率先进入了苹果的供应链,成为苹果AirPods唯一的NOR Flash供应商。
的确,国产存储芯片从无到有,已经是市场上不可忽视的一股力量。
而在Nor Flash方面,国产芯片的市场情况更好一些。兆易创新在2020年全球NOR Flash市场中市占率达到15.6%,排名第三,仅次于华邦和旺宏。恒烁半导体2020年NOR Flash 收入占市场规模比例为1.50%。
在NOR Flash市场,不仅有国内排名第一的兆易创新,还有东芯股份、普冉半导体、恒烁、芯天下、武汉新芯等厂商。
如果看最近上市比较积极的存储芯片厂商,有不少都是以NOR Flash为主营业务的。比如,普冉半导体NOR占比达71%,恒烁NOR占比达86.56%,此外东芯NOR业务有18.8%的占比。
另外,北京君正表示,2020年度公司SRAM、DRAM、Nor Flash产品收入在全球市场中分别位居第二位、第七位、第六位。
EEPROM方面,2020年聚辰股份EEPROM产品份额为国内第一、全球第三的供应商。国内EEPROM供应商还有上海贝岭、航顺等等。EEPROM的市场规模虽不大,但是国产化率相对较高。
除了存储芯片企业在上市,我们也看到存储模组厂商的上市进度在加快,江波龙、佰维存储都已准备上市,江波龙已在创业板上会通过,佰维存储科创板上市已受理,据悉时创意也有上市计划。这些存储模组厂商在国内都是比较靠前的厂商,并且竞争力也不容小觑。
图源:恒烁招股书
3D NAND方面,长江存储的128层3D NAND已经量产,在量产进度上晚于三星、美光两年。美光在2022年1月宣布开始批量出货业界首款176层QLC NAND SSD。铠侠将在2022年至2023年期间将162层3D NAND作为其主流制造工艺。
而长江存储的下一代3D NAND据称是192层。当初从2018年到2020年,长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跃进,也就是说跳过了96层,这样就很快缩短了与国际厂商之间的技术代差。如今长存128层3D NAND量产大量出货,在192层3D NAND研发上与国际大厂的距离更接近。
那么长江存储在技术逐渐同步的时候,同样重要的就是更快速地扩大市场份额。
长鑫存储于2018年研发国内首个8Gb DDR4芯片,2019年三季度成功量产19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片。
长鑫存储在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的产能目标。2022年的产能目标是12万片晶圆/月,与2021年相比实现翻倍。未来的产能目标是30万片晶圆/月。
长鑫存储未来规划将推出10nm制程的产品。
值得注意的是,现在,在DRAM芯片的生产上,一些存储芯片大厂陆续启用EUV光刻机。
例如,2021年7月SK海力士宣布,公司第一代使用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。
据介绍,公司旗下第四代 10 纳米级(1a)制程8Gb LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM,与上一代产品相比,新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加25%,并能将功耗降低20%。
2021年10月12日全球最大存储芯片制造商三星电子宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片。
此外,美光计划EUV光刻机设备要到2024 年才会投入生产线,首发将会用于1γ的10 纳米级制程内存上。
也就是说,在DRAM芯片的角逐中EUV光刻机同样非常重要,对于国产芯片而言,没有EUV光刻机是一大硬伤。
小结:
国产存储芯片缺的可能不是技术,而是产品在市场中反复验证,快速规模化,获得更多市场,从而在与国际的竞争中拿到更多的话语权,定价权,同时还起到平衡供应链的稳定与弹性的作用。
当然,我们国产存储芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。并且,国产存储芯片的参与感尤其强烈。
把内存条价格拉下马
自2020年合肥长鑫存储的DRAM颗粒上市后,一些国产内存条厂商以其高性价比打入市场。比如早几年,8GB DDR4 2400MHz内存条,采用国外DRAM颗粒,单条的价格都要600元。
而查阅最近的内存条价格,可以看到8G DDR4 2666MHz采用长鑫颗粒的内存条低至150元以下。
图源:长鑫存储
与长鑫存储合作的国产存储产品厂商包括了光威、朗科、金泰克、金百达、七彩虹等等。
虽然说DRAM芯片的价格随行就市,不过长鑫存储若要快速打进市场,以同性能产品但更低价格的策略,是必不可少的。
这也就能够直接拉低内存条的价格,让用户得到实惠。
国产闪存芯片进“果链”
最近长江存储的128层3D NAND打入苹果供应链的消息被媒体广泛报道。
消息称,长存的3D NAND预计最早将于5月开始少量出货。将应用在iPhone SE上面,同时,苹果今年秋季将推出的iPhone 14系列也有望采用长江存储的闪存芯片。
苹果供应链的采用,无疑是对长江存储3D NAND产品最有力的认可。
图源:长江存储
其实之前,兆易创新的NOR Flash就率先进入了苹果的供应链,成为苹果AirPods唯一的NOR Flash供应商。
的确,国产存储芯片从无到有,已经是市场上不可忽视的一股力量。
国产存储芯片的市场地位并不低
据此前报道,在2021年上半年长鑫存储的全球市占已经来到1%,排名第五,长江存储全球市占在2020年下半年达2%。DRAM、NAND Flash市场国产的占比还非常小,但已经取得突破。而在Nor Flash方面,国产芯片的市场情况更好一些。兆易创新在2020年全球NOR Flash市场中市占率达到15.6%,排名第三,仅次于华邦和旺宏。恒烁半导体2020年NOR Flash 收入占市场规模比例为1.50%。
在NOR Flash市场,不仅有国内排名第一的兆易创新,还有东芯股份、普冉半导体、恒烁、芯天下、武汉新芯等厂商。
如果看最近上市比较积极的存储芯片厂商,有不少都是以NOR Flash为主营业务的。比如,普冉半导体NOR占比达71%,恒烁NOR占比达86.56%,此外东芯NOR业务有18.8%的占比。
另外,北京君正表示,2020年度公司SRAM、DRAM、Nor Flash产品收入在全球市场中分别位居第二位、第七位、第六位。
EEPROM方面,2020年聚辰股份EEPROM产品份额为国内第一、全球第三的供应商。国内EEPROM供应商还有上海贝岭、航顺等等。EEPROM的市场规模虽不大,但是国产化率相对较高。
除了存储芯片企业在上市,我们也看到存储模组厂商的上市进度在加快,江波龙、佰维存储都已准备上市,江波龙已在创业板上会通过,佰维存储科创板上市已受理,据悉时创意也有上市计划。这些存储模组厂商在国内都是比较靠前的厂商,并且竞争力也不容小觑。
与国际技术水平逐渐接近
放眼全球的竞争,在NOR Flash方面,此前行业内主流NOR Flash产品的工艺节点为65nm,旺宏48nm量产、华邦46nm量产,兆易创新也从65nm往55nm切换。2020年以来东芯、武汉新芯、恒烁、博雅等都实现了50nm/48nm的NOR Flash量产。国内技术水平与国际厂商差距不大,进入50nm时代国产NOR Flash的市场机会更大。图源:恒烁招股书
3D NAND方面,长江存储的128层3D NAND已经量产,在量产进度上晚于三星、美光两年。美光在2022年1月宣布开始批量出货业界首款176层QLC NAND SSD。铠侠将在2022年至2023年期间将162层3D NAND作为其主流制造工艺。
而长江存储的下一代3D NAND据称是192层。当初从2018年到2020年,长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跃进,也就是说跳过了96层,这样就很快缩短了与国际厂商之间的技术代差。如今长存128层3D NAND量产大量出货,在192层3D NAND研发上与国际大厂的距离更接近。
那么长江存储在技术逐渐同步的时候,同样重要的就是更快速地扩大市场份额。
国产DRAM没有EUV光刻机之痛
根据台媒的报道,合肥长鑫存储将在今年二季度试产17nm工艺的DDR5内存芯片。目前合肥长鑫的17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%。长鑫存储于2018年研发国内首个8Gb DDR4芯片,2019年三季度成功量产19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片。
长鑫存储在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的产能目标。2022年的产能目标是12万片晶圆/月,与2021年相比实现翻倍。未来的产能目标是30万片晶圆/月。
长鑫存储未来规划将推出10nm制程的产品。
值得注意的是,现在,在DRAM芯片的生产上,一些存储芯片大厂陆续启用EUV光刻机。
例如,2021年7月SK海力士宣布,公司第一代使用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。
据介绍,公司旗下第四代 10 纳米级(1a)制程8Gb LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM,与上一代产品相比,新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加25%,并能将功耗降低20%。
2021年10月12日全球最大存储芯片制造商三星电子宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片。
此外,美光计划EUV光刻机设备要到2024 年才会投入生产线,首发将会用于1γ的10 纳米级制程内存上。
也就是说,在DRAM芯片的角逐中EUV光刻机同样非常重要,对于国产芯片而言,没有EUV光刻机是一大硬伤。
小结:
国产存储芯片缺的可能不是技术,而是产品在市场中反复验证,快速规模化,获得更多市场,从而在与国际的竞争中拿到更多的话语权,定价权,同时还起到平衡供应链的稳定与弹性的作用。
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