避免触及美国的知识产权!长鑫存储自研设计DRAM芯片

6月13日消息，据日经新闻引述未具名消息人士称，长鑫存储已经重新设计DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。

该消息人士表示，长鑫存储还无法完全消除威胁，其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新设计能够降低威胁，避免触及美国的知识产权。

长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月曾前往欧洲，与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作，并访问了比利时的IMEC，这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见，长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。

长鑫存储是在合肥市政府和兆易创新共同推动下成立的，整个项目预计总投资超过72亿美元。消息人士指出，长鑫最初每月将生产约10,000片晶圆，虽然需要经历某种学习曲线，但是按照计划，到2019年年底，长鑫存储产能将达到2万片/月。

根据长鑫存储去年透露的DRAM项目5年规划，将在2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能达到2万片/月。从2020年开始，开始规划二厂，2021年完成17nm研发。

CINNO分析师Sean Yang指出，与全球130万片DRAM 硅晶圆的月产量相比，长鑫的产能仍然较小，但对于目前完全无法自制DRAM的中国大陆来说，却是一大突破。

长鑫存储DRAM技术来源于奇梦达，之后通过与国际大厂合作，持续投入研发超过25亿美元，并不断完善自身研发技术，目前已累积有1万6千个专利申请。

奇梦达是从英飞凌拆分出来的知名DRAM大厂，但在2009年1月，奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心（位于西安高新区）是较大的两大研发中心。