长鑫存储DDR5/LPDDR5X双芯亮相，火力全开！

电子发烧友网综合报道，近日，长鑫存储首次全面展示DDR5和LPDDR5X两大产品线最新产品。

长鑫存储最新的DDR5产品是中国首个自主研发的DDR5。该产品系列最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，满足各领域的高端市场需求。

长鑫存储LPDDR5X产品是中国首个自主研发的LPDDR5X。其最高速率10667Mbps，最高颗粒容量16Gb，并涵盖12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多种封装解决方案。

长鑫存储通过DDR与LPDDR双线创新突破，将进一步丰富全球存储芯片的供给，为下游客户创造多元价值选择。长鑫存储将持续深耕技术迭代，精准响应市场需求，以自主实力引领产业生态协同升级。

2025年10月，长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上分享了LPDDR5X产品的最新进展。目前长鑫存储LPDDR5X的产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点。芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同时兼容LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10667Mbps速率的产品已经启动客户送样。

AI 大模型参数规模庞大，GPU 等计算单元常需等待数据传输，DDR5 高带宽特性可快速为计算单元提供数据，缩短AI训练和推理时间。AI 数据中心需要处理海量数据，单台 AI 服务器的存储需求是普通服务器的 8-10 倍。

而LPDDR5X 通过 SOCAMM 等模块形式引入数据中心，SOCAMM技术定位为面向AI服务器的新型高带宽、低功耗内存解决方案，其设计目标是在提供与HBM（高带宽内存）相近性能的同时，有效降低成本。通过将LPDRAM与压缩连接内存模块 (CAMM) 搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比传统的DDR5 RDIMM 配置更节省空间，且功耗低三分之一。

长鑫存储已陆续推出 DDR4、LPDDR4X、LPDDR5 和 DDR5 等产品，形成了完整的产品系列，最新展出的DDR5和LPDD5X已跻身国际主流水平。随着长鑫存储等厂商的产能扩张以及持续的技术突破，中国存储产业链正在逐步成熟，具备了和国际主流存储厂商竞争的实力。

此外，长鑫存储母公司长鑫科技已于10月10日完成A股IPO辅导验收，预计将于2025年底至2026年初提交上市申请。