长鑫自主内存芯片投产 国内DRAM产业迎来重大突破

12 月 5 日讯，在近日召开的 2019 世界制造业大会上，总投资约 1500 亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流 DRAM 产品同步的 10 纳米级第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期设计产能每月 12 万片晶圆。

这是国内芯片领域的一个重大突破。在此之前，紫光自行研发架构的 64 层 NAND 闪存也问世，据称与世界大厂三星、美光、SK 海力士也只有两年的技术层级。

好消息接连发出，显示出国内产业的重大突破。

要知道，2018 年全球 DRAM 市场中，三星、SK 海力士、美光全球市占率合计为 95%（数据来源 DRAM exchange），合肥长鑫的 DRAM 的投产，标志在这一尖端领域的多年垄断中，来了一个中国参与者。

长鑫储存技术（Changxin Memory Technologies，简称 CXMT，前身为合肥睿力集成电路（Innotron Memory，又称合肥长鑫））。2016 年在安徽省合肥市政府等的支持下成立，是国内三家国家战略级存储芯片公司之一，其和福建晋华、长江存储被合称为中国制造 2025 计划的 3 大半导体产业国家队。

DRAM 晶片负责临时存储数据，其经过不同设计后被广泛应用在笔记本电脑、智能手机、资料中心服务器、联网汽车等数以亿计的智能装置上。由于对技术要求比较高，目前全球 95%以上的市占率被韩国三星电子、韩国 SK 海力士、美国美光科技三家企业所占据。我国本土企业之前虽也能够生产可供家电设备等使用的廉价普通晶片，却一直未掌握生产 DRAM 晶片等高端半导体的相关技术。

近年来，合肥长鑫公司为了生产可应用于移动设备上的 DRAM 晶片，进行了价值人民币 550 亿元的资金投资来实现建厂。长鑫今年的资本支出将达 10 亿至 15 亿美元，已超越全球第四大 DRAM 制造商南亚科技去年的 6.5 亿美元支出。如今资本投资取得回报，据相关报道，我国本土企业长鑫存储计划将于年内开始量产动态随机存取记忆体（DRAM），其有望于今年底至 2020 年初实现量产。

据悉，长鑫储存的 DRAM 设计主要基于德国晶片厂商英飞凌旗下 DRAM 大厂奇梦达（Qimonda，该公司已于 2009 年破产）技术。但目前世界顶尖半导体厂商生产中仍需用到美国设备、原料及成套的电子设计自动化工具，很难完全避开。对此长鑫也未能避免，目前该公司仍需使用美国设备大厂（如 Applied Materials、Lam Research 及 KLA-Tencor）和电子设计自动化（EDA）工具供应商（如 Cadence 及 Synopsys）产品来实现生产晶片，也需靠 Dow Chemical 提供原料。不过长鑫存储正重新设计自有的 DRAM，以使其让生产过程中使用到的美国技术最小化，避免侵权和成为美国科技界打击的对象。

现今，长鑫正在合肥斥资 80 亿美元打造一座 DRAM 晶片制造厂，预计今年底前投产这些关键的存储体零件，最初每月预计可生产约 1 万片晶圆，虽不足全球产量的 1%，但对还没有目前本土还未有自制 DRAM 晶片的我国来说，成功量产就是迈出了科技自立的一大步。长鑫存储如若年底成功实现量产，可谓意义重大，将成为我国首家未来有望和三星电子、美光科技和 SK 海力士三大 DRAM 巨子一较高下的本土企业。要知道，去年全球 DRAM 市场总价值达 996.5 亿美元，然而三星电子（韩国）、SK 海力士（韩国）、美光科技（美国）等三大厂却占据全球 95%产量。

DRAM 目前我国已将半导体产业定位为国家重点扶持产业。2018 年本土半导体类芯片国内自给率为 15%左右，我国目标是到 2020 年将自给率提高至 40%，到 2025 年提高至 70%。