3D NAND闪存高密度技术正变得越来越激进。3D NAND闪存密度和容量的提高主要通过增加垂直方向上堆叠的存储器单元的数量来实现。通过这种三维堆叠技术和多值存储技术（用于在一个存储单元中存储多个
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151919 Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。该公司将成为台湾第一家生产内部设计的3D NAND闪存制造商。 该公司董事长吴铭表示，旺宏将在
2019-12-14 09:51:295966 IM Flash 技术有限责任公司是英特尔与美光科技的合资公司，日前，该公司表示目前正在策划如何及何时将3D技术用于NAND闪存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729 7月24日国外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间，同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512858 
256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 句点，加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入，3D NAND大战一触即发。本文详细介绍了3D NAND闪存优势，主要的生产厂商，以及三星、东芝和Intel在这个领域的实力产品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 各大原厂已经在2016年研发了基于48层或32层的3D NADN闪存颗粒，由于技术不成熟以及2D NAND生产线替换问题，如今3D NAND的良品率并不高，总产量也不够高，因而才引发了当下固态硬盘市场价格的疯涨。
2016-11-09 17:37:383369 3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号，若能整合好跨领域人才和技术，中国3D NAND Flash有望弯道超车。
2017-02-07 17:34:129182 
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042528 集微网消息，9月19日，2018年中国闪存市场峰会（CFMS2018）在深圳举行，长江存储总经理杨士宁博士以“创新Xtacking™架构：释放3D NAND潜能”为主题，介绍长江存储Xtacking™架构的技术优势和长江存储3D NAND新进展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:293528 3D闪存有着更大容量、更低成本和更高性能的优势，本文介绍了3D闪存的制造工艺与挑战。
2025-04-08 14:38:392049 
11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:163599 3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
3D显示技术的原理是什么？3D显示技术有哪些应用？3D拍好了到底怎么样传输？
2021-05-31 06:53:03
成功攻克了GRACE卫星重力测量数据处理与分析关键核心技术，通过反演获得高精度时变重力场产品(IGG)，使我国在重力卫星数据处理与应用方面实现独立自主。据介绍，该系列高精度时变重力场产品与美国德克萨斯
2018-09-26 15:10:06
衍生了一些新的技术，来助力其闪存产品向3D方向发展。其中，就包括了三星的V-NAND、东芝的BiCS技术3D NAND、英特尔的3D XPoint等。三星在3D NAND闪存上首先选择了CTF电荷撷取
2020-03-19 14:04:57
我国即将建立3D标准体系
3D电影《阿凡达》带动的3D热尚未退去，今日英超联赛即将用3D直播的消息又令3D再度升温。我国3D产业有何最新进展？今日，中国电子技术标准
2010-02-03 10:07:44750 据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出，这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。
2017-05-03 01:02:501621 市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。
2017-05-06 01:03:11860 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 东芝日前宣布，他们成功研发出了世界首款4比特3D QLC闪存。对于闪存技术的未来发展而言，这可谓是相当重大的消息。
2017-06-30 16:43:40832 2017年7月27日，北京—西部数据公司（NASDAQ： WDC）今天宣布，该公司已成功开发用于64层3D NAND （BiCS3）的X4闪存。在西部数据过去成功开发创新和商品化X4 2D NAND
2017-07-26 16:07:111246 的厂商竞争，以及日经贴般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、 那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？ 闪存颗粒到底是什么？ 闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据
2017-10-13 20:33:26
6 上周，随着英特尔和美光宣布未来双方将各自独立开发3D NAND，其维持多年的长期合作关系也将结束。与此同时，有外媒报道，英特尔将于紫光合作，在中国生产3D NAND闪存芯片。在未来几年，英特尔将会
2018-01-16 14:37:555172 
ROBO3D是美国市场上最流行的3D打印机之一。它的起源可以追溯到2月，2013年，当它的创作者收到了近65万$从Kickstarter的运动。该项目最终获得成功，所有的3D打印机让他们的支持者，和ROBO3D的职业生涯发生爆炸，使他们较知名的品牌，在低预算3D打印机的国家之一。
2018-04-30 00:17:005319 层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 无论是3D堆叠还是QLC的推出，这些情况均说明了随着3D NAND技术走向实用化，国际厂商正在加快推进技术进步。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术
2018-06-20 17:17:495087 近日，英特尔发布了DC P4500系列及DC P4600系列两款全新的采用3D NAND技术的数据中心级固态盘，加强扩大3D NAND供应。
2018-08-01 17:44:541237 今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031683 昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 作为NAND行业的新晋者，长江存储科技有限责任公司（以下简称：长江存储）昨日公开发布其突破性技术——Xtacking™。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 日本PC Watch网站日前刊发了长江存储CEO杨士宁博士在FMS会议上的演讲，我们之前也做过简单的报道，这次他们的介绍更加详细，我们可以一窥长江存储的3D NAND闪存现在到底进行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345 ，同时恐激化各家原厂展开96层3D NAND技术竞争，然而市场更多的是关心NAND Flash价格走向将如何。
2018-08-22 16:25:462599 在价格和竞争压力期间，3D NAND供应商正准备迎接新的战斗，相互竞争下一代技术。
2018-08-27 16:27:189528 今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。
2018-09-16 10:38:14759 V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。 值得一提的是，三星在3D NAND闪存
2018-10-08 15:52:39780 就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低，NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D，而DRAM还是维持2D架构;在此同时，DRAM制程的微缩也变得越来越困难，主要是因为储存电容的深宽比（aspect ratio）随着元件制程微缩而呈倍数增加。
2018-10-28 10:17:135623 11月15日， 国产知名SSD主控芯片原厂联芸科技（MAXIO）再下一城，正式对外宣布MAS0902固态硬盘主控芯片已全面支持最新96层3D TLC NAND 闪存颗粒，并对外提供搭载联芸科技自主
2018-11-19 17:22:318411 近日，华天科技（昆山）电子有限公司与江苏微远芯微系统技术有限公司合作开发的毫米波雷达芯片硅基扇出型封装获得成功，产品封装良率大于98%，目前已进入小批量生产阶段。
2018-12-02 11:56:002933 近日，贵州省首个隧道舒缓照明技术在六威高速黄家屋基隧道的应用获得成功，这一技术能有效缓解隧道内视觉不适的现象，是贵州省高速公路应急照明领域的又一大创新。
2018-12-16 10:35:461504 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2018-12-17 15:50:242506 国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:122056 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:003069 ，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking®可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788 据悉，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 随着数据量的迅速增大，主流存储技术也在迅速向前推进中。3D NAND闪存从2014年的24层，到2016年的48层，到2017年的64层，再到2018年的96层，以及明年的1XX层，技术更新速度越来越快。
2019-09-26 17:26:111141 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:321180 近年来，3D打印技术渐渐的步入大众的视野，随着科技的发展，我国的3D打印技术也越来越强，近日，我国的航天科工增材制造技术创新中心的3D打印机又有了新的进展。
2019-12-30 15:57:283213 根据国科微官方的消息，国科微搭载长江存储3D NAND闪存的固态硬盘产品已完成批量测试。
2020-01-17 15:17:495929 根据消息报道，西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布，他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成功，第五代BiCS 3D NAND已经开始以512 Gb颗粒形式生产，今年下半年可能会实现商业化量产。
2020-02-04 16:25:345210 今日（4月13日），长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商场SSD等终端产品上通过验证。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-04-13 14:41:523480 追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代，跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进，并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠，发展到了目前最新一代的高达128层堆叠。
2020-04-14 15:28:032795 
长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功，型号为X2-6070，并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:063603 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:003612 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091627 长江存储科技有限责任公司宣布，128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这标志着国产存储厂商向世界最先进技术水准又迈进了一步。
2020-05-07 14:59:225527 3D NAND的论文数量最多，因此，笔者就各家NAND型闪存（以下简称为：“NAND”）厂家的现状、未来的技术蓝图（Roadmap）展开论述。
2020-07-30 11:14:457564 
Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:493038 华为鸿蒙OS系统手机不可能获得成功，因为如今Android系统、iOS系统都已经形成了很强的技术壁垒，但华为鸿蒙OS系统在物联网领域可以获得成功
2020-10-19 11:20:562260 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 虽然与美国Stratasys公司、美国3D Systems公司、德国EOS等老牌3D打印巨头相比，我国3D打印企业竞争实力仍有较大差距。但是随着我国政府对于3D产业的政策支持力度不断加大，以及企业对于3D打印技术的不断研发，市场应用程度不断深化。3D打印已成为国内各大企业争相投资的热点。
2020-11-13 16:23:032802 日前，TechInsights高级技术研究员Joengdong Choe在2020年闪存峰会上作了两次演讲，详细介绍了3D NAND和其他新兴存储器的未来。
2020-11-19 16:11:183722 NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着 2D NAND 容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND 的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高级技术研究员 Joengdong Choe 发表了相关演讲，详细介绍了 3D NAND 和其他新兴存储器的未来。TechInsights 是一家对包括闪存在内的半导体产品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:493617 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 人工智能如今对各种规模的企业开展业务产生重大影响。初创企业也参与了人工智能革命，人工智能在当今商业世界中的重要性不可低估。那么人工智能技术如何帮助初创企业获得成功？
2021-01-18 11:33:372783 该书分为辨别先进企业、考虑取得成功至关重要的产品战略、关注3D打印技术的财通、考虑3D打印技术所支持的应用选项、选择使用3D打印零件时要有战略眼光等章节，显示汽车行业的3D打印将在帮助企业获得竞争优势方面发挥巨大的作用。
2021-03-22 17:52:391931 在本文中，我们将演示如何检查相互竞争的模型（称为 challenger models ），并使用 GPU 加速，通过简单、经济高效且可理解的模型可解释性应用程序获得成功。当 GPU 加速在模型开发过程中被多次使用时，建模者的时间将通过在数十次模型迭代中摊销培训时间和降低成本而得到更有效的利用。
2022-04-06 17:33:411839 
在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:153354 
长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:218286 全球存储市场对NAND 闪存的需求不断增长。这项技术已经通过许多发展得到满足，不仅体现在当今闪存控制器的功能上，尤其是通过 3D NAND 架构。随着工业物联网 （IIoT）、智能工厂、自动驾驶汽车和其他数据密集型应用程序的不断发展，这些苛刻应用程序的数据存储要求变得更具挑战性。
2022-07-15 08:17:251510 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227 全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺，这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
这一创新技术可在短短33分钟内完成10微米深度的刻蚀，比以往的技术大大缩短了时间。东京电子方面表示：“如果应用该技术，不仅有助于制造高容量3d nand，还可以减少84%的地球变暖危险。”
2023-06-12 10:52:201592 
3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
这种存储技术的成功与其不断扩展密度和成本的能力有关——这是 NAND 闪存技术发展的主要驱动力。大约每两年，NAND 闪存行业就会显着提高位存储密度，以增加的 Gbit/mm²表示。
2023-06-27 10:38:343462 
三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:353579 
增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间，新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。
2023-11-30 10:20:261911 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:392376 
目前，铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术，他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这项产品能达到的传输速度高达3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351
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