0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5433资料下载内容包括：MAX5433引脚功能MAX5433功能和特性MAX5433应用范围MAX5433内部方框图MAX5433极限参数MAX5433典型应用电路
2021-04-02 07:32:20
51单片机外部ram和rom能同时接64k吗，一般都是rom64kram32k，请问同时试用控制线怎么接
2023-11-09 07:44:11
64794C 64K跟踪深度仿真总线分析仪，128 KB
2019-01-21 17:13:52
DS1243, DS1243Y资料介绍,64k NV SRAM，带有隐含时钟DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1556中所有寄存器的访问是通过一个字节宽的接口完成的，如图1所示。RTC寄存器包含24小时BCD格式的世纪、年、月
2020-09-16 17:17:42
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
CH563Q的内部ram为32K还是64K？空白CH563Q芯片能否通过以太网接口下载程序？如果可以该如何操作
2022-06-10 06:37:03
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
页。我还想把操作数据存储在Flash中。据我所知，我有两个主要障碍：1。DRVYNVMMIATAYL大小目前只有64K。我相信这个块是为Web的东西保留的。因此，如果我想把我的操作数据存储在闪存范围的末尾
2019-09-27 06:53:35
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
LPC1768 MCUXpresso IDE环境下如何使用完整64K内存？
2022-02-10 06:07:48
MCS51单片机系统中RAM空间超64K的扩展电路分析
2021-03-26 07:31:33
我们的 RAM (64k) 不足，现在当我将一些操作系统任务堆栈移动到系统 Ram (384K) 时，它会影响系统的性能。请让我知道如何进行。为系统 Ram 启用数据缓存会有帮助吗？如果是这样，请告诉我该怎么做？
2023-04-20 09:27:20
的真值。出于某种原因，位于GPIO49∶46的地址位的上部似乎不反映地址。地址环绕每4K的数据。有什么想法吗？有类似的例子吗？ 以上来自于百度翻译 以下为原文 I am trying to write
2019-07-03 08:04:26
大家好：关于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些问题要问：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，应该设置哪种模式，“保留模式”？如果在上电后将pWRYL模式控制位设置为0x02
2018-09-26 10:01:35
STC8A8K64S4A12的命名规则STC8 -- STC8系列A -- 子系列中的A子系列8K -- 片内SRAM为8K字节64 -- 片内FLASH为64K字节S4 -- 4个串口
2022-02-18 07:32:53
大佬我的TOTAL memory 怎么不够用啊，明明64K 的单片机，FREE出来的也只有14K左右
2022-04-14 09:49:57
完整的做好了一个程序，结果编译时报内存超出（const） 在网上搜索了一遍，网友说是keil限制了const 和 code 加起来不能超过64K的空间然后在工程中屏蔽了一些代码，使它少于了64K
2018-08-07 15:20:12
本帖最后由 杨树榕树 于 2013-12-31 11:56 编辑
笙泉MA82G5A64，64K Flash，5376B Sram，双串口，多种内置工业级晶振常温1%误差，6个PWM，12位
2013-12-30 09:30:30
按照地址分配，64K图一用size等于0x10000? 计算转化所得0X10000=65536=2^16，也就是17个二进制位（bit）才对呀可是flash为64K,64K=65536个字节，一个字节=8个bit，应该是65536*8个bit(二进制位)才对。
2021-02-27 14:34:02
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
早上好，来自西班牙的每个人，这里是一个棘手的问题，我需要填补（几乎）8Mbit RAM（1Mx8）与传入的ADC数据，然后处理它。当我正在读DMA规范时，似乎有64K的页面限制，即当较低的16比特从
2019-08-02 07:49:48
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我定义了一个64K字节的数组，如果把数组定义成Const常量，编辑之后运行都正常。
但如果把数组定义成变量数组，可以编译（占的空间比较大：Program Size: Code=8776
2023-06-13 08:36:12
嗨，没有任何一个有如“代码银行“我FX2（高达16K的代码/数据）和闪光（24LC64）64 kb的我如何能使用的最大闪光64K？帕斯卡 以上来自于百度翻译 以下为原文 Hi, Does any
2019-03-01 06:22:12
任何人都可以帮助我面对像 lpc4337 闪存中的 sector13 一样无法将超过 8K 的数据写入 64k 的问题吗？即使是 64K 容量的扇区在闪存写入期间也只允许 8k 数据。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
哪位哥们用个64K 8位、3.3v供电的RAM 帮提供两个型号呗！
2019-01-14 06:36:13
，我没有在微控制器中提供SRAM。在空隙应用开始（空隙）开始时，可用的SRAM接近32 K字节。所以我有三个问题：1）“192K字节SRAM包括64K字节的CCM数据RAM”是否意味着最大SRAM
2019-01-02 16:33:26
STM32F4中的192K SRAM与64K DATA RAM有何不同？
2018-08-27 09:27:43
区SRAM部分分为高64K程序区，其中的RAM区为0x3F8000~0x3FC000（L0~L3）；和低64K数据区，其中的RAM区为0x008000~0x00C000（L0~L3）。我想咨询的是上述高低64K的L0~L3是公用的还是单独的？DMA部分的RAM（L4~L7）算在34K范围内吗？谢谢！
2018-08-22 10:19:01
在document/arm64/memory.txt下只看到了对于4K以及64K页表的描述，也确实调通了64K，但是16K没有调通；请问各位大神，linux 4.14.y是否支持ARM64架构16K页表功能，谢谢。
2022-09-29 14:47:59
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款为非易失(NV) SRAM提供的锂电池电源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面贴装PowerCap模块封装。PowerCap模块焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
DS3600 安全监控电路，带有64B电池备份、加密SRAM
DS3600是具有64B加密SRAM的安全监控电路，为需要加密存储的应用设计，包括POS终端等。DS3600支持最高级别的
2009-03-31 09:55:42
597 DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1243Y 64K非易失SRAM，带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:261255 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 电子发烧友网站提供《达拉斯DS1225Y FRAM适配器开源.zip》资料免费下载
2023-06-09 14:24:310 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-150IND+相关产品参数、数据手册，更有DS1225AD-150IND+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1225AD-150IND+真值表，DS1225AD-150IND+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:36:56
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1225AB-200+相关产品参数、数据手册，更有DS1225AB-200+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1225AB-200+真值表，DS1225AB-200+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:44:23
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-85+相关产品参数、数据手册，更有DS1225AD-85+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1225AD-85+真值表，DS1225AD-85+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:44:38
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-150+相关产品参数、数据手册，更有DS1225AD-150+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1225AD-150+真值表，DS1225AD-150+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:45:00
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-200+相关产品参数、数据手册，更有DS1225AD-200+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1225AD-200+真值表，DS1225AD-200+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:45:28
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-70IND+相关产品参数、数据手册，更有DS1225AD-70IND+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1225AD-70IND+真值表，DS1225AD-70IND+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:45:43
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-200IND+相关产品参数、数据手册，更有DS1225AD-200IND+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1225AD-200IND+真值表，DS1225AD-200IND+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:47:50
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
评论