0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Netsol并口STT-MRAM非易失存储S3R8016

samsun2016 来源:samsun2016 作者:samsun2016 2023-05-12 16:31 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Netsol在STT-MRAM领域,处于领先地位。基于在内存相关领域的丰富开发经验以及低成本、超小型和低功耗内存解决方案设计的专业知识、为工业自动化、网络系统、医疗、游戏、企业数据中心物联网设备等广泛领域的各种应用程序,提供最优化的定制内存解决方案。

我司英尚微官方代理供应商提供的Netsol型号S3R8016并口STT-MRAM是一个容量8Mbit,具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8 I/O模式。采用工业标准44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封装。

其数据始终是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性,它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。

审核编辑黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7714

    浏览量

    170798
  • 非易失存储
    +关注

    关注

    0

    文章

    2

    浏览量

    5596
  • MRAM
    +关注

    关注

    1

    文章

    244

    浏览量

    32823
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    stt-marm存储芯片的结构原理

    存储技术快速演进的今天,一种名为STT-MRAM(自旋转移矩磁阻随机存取存储器)的新型
    的头像 发表于 11-20 14:04 119次阅读

    Everspin串口MRAM芯片常见问题

    在嵌入式存储应用中,串口MRAM芯片凭借其性、高速度及高耐用性受到广泛关注。作为磁性随机存储
    的头像 发表于 11-19 11:51 62次阅读

    串行接口MRAM存储芯片面向工业物联网和嵌入式系统的应用

    英尚微电子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存储芯片,基于最新的JEDEC xSPI标准与独有的STT-MRAM技术构建,这款串行接口MRAM
    的头像 发表于 11-05 15:31 197次阅读

    MRAM存储器EMD4E001G-1Gb的优势介绍

    在当今对数据持久性与系统可靠性要求极高的企业基础设施和数据中心中,Everspin推出的自旋转移扭矩MRAMSTT-MRAM存储器——EMD4E001G-1Gb,凭借其卓越的性能与独特的技术优势,成为众多高性能
    的头像 发表于 11-05 14:34 158次阅读

    Everspin存储器8位并行总线MRAM概述

    在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储MRAM与SRAM引脚兼容的存储
    的头像 发表于 10-24 16:36 438次阅读

    Everspin串口MRAM存储芯片有哪些型号

    MRAM是一种利用电子的自旋磁性来存储信息的非易失性存储器。它完美结合了SRAM的高速读写特性与闪存(Flash)的
    的头像 发表于 10-24 15:48 306次阅读

    全球专用型存储产品市场分析

    。   半导体存储器按照断电后数据是否继续保存,可分为性(Volatile)存储
    发表于 06-29 06:43 1667次阅读
    全球专用型<b class='flag-5'>存储</b>产品市场分析

    半导体存储芯片核心解析

    /FeRAM (阻变/铁电) 等,目标是结合DRAM的速度和Flash的性(存储级内存),部分已在特定领域应用(如MRAM做缓存),是
    发表于 06-24 09:09

    DS4520 9位、I²C、、输入/输出扩展器与存储器技术手册

    DS4520是9位(NV) I/O扩展器,具有通过I²C兼容的串行接口控制的64字节NV用户存贮器。与用来控制数字逻辑节点的硬件跳线和机械开关相比,DS4520为用户提供了数字可编程的替代方案
    的头像 发表于 05-26 15:41 381次阅读
    DS4520 9位、I²C、<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b>、输入/输出扩展器与<b class='flag-5'>存储</b>器技术手册

    DS4510 CPU监控电路,具有存储器和可编程输入/输出技术手册

    DS4510是CPU监控电路,具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口,使用快速模式(400kbps)或标准模式(
    的头像 发表于 05-26 10:13 628次阅读
    DS4510 CPU监控电路,具有<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b><b class='flag-5'>存储</b>器和可编程输入/输出技术手册

    DS4550 I²C和JTAG、、9位、输入/输出扩展器与存储器技术手册

    DS4550是9位,(NV) I/O扩展器,具有I²C兼容串行接口或IEEE® 1149.1 JTAG端口控制的64字节NV用户存储器。DS4550采用数字编程替代硬件跳线和机械
    的头像 发表于 05-26 09:50 581次阅读
    DS4550 I²C和JTAG、<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b>、9位、输入/输出扩展器与<b class='flag-5'>存储</b>器技术手册

    MXD1210RAM控制器技术手册

    MXD1210性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路,可将标准(性)CMOS RAM转换为非易失性
    的头像 发表于 02-28 10:48 757次阅读
    MXD1210<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b>RAM控制器技术手册

    DS1265AB 8MSRAM技术手册

    DS1265 8MSRAM为8,388,608位、全静态SRAM,按照8位、1,04
    的头像 发表于 02-27 09:19 716次阅读
    DS1265AB 8M<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b>SRAM技术手册

    DS1249AB 2048kSRAM技术手册

    DS1249 2048k(NV) SRAM为2,097,152位、全静态SRAM,按
    的头像 发表于 02-27 09:09 857次阅读
    DS1249AB 2048k<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b>SRAM技术手册

    STT-MRAM新型性磁随机存储

    发表于 02-14 13:49