DS1243, DS1243Y资料介绍,64k NV SRAM,带有隐含时钟DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
非易失性SRAM(nv SRAM)结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下,nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级,您可以放心,因为在室温下,它的数据保留时间为 150 年,无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
DESCRIPTIONThe DS1746 is a full-function, year-2000-compliant (Y2KC), real-time clock/calendar (RTC
2008-08-10 10:39:53
16 GENERAL DESCRIPTIONThe DS1501/DS1511 are full-function, year 2000-compliant real-time clock
2008-08-10 10:40:49
24 具有 CPU 监控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC,3V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
具有 CPU 监控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC,5V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC),具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行
2023-07-21 17:11:57
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列),内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰(ML)可充电电池。介绍了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:46
22 DS1643, DS1643P 非易失时钟RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:45
1248 
The DS1642 is a 2k x 8 nonvolatile static RAM and a full-function real-time clock (RTC), both
2010-05-29 08:26:57
1161 
该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警,看门狗定时器,上电复位,电池监控),以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:32
1001 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:30
1444 
DS1554是一个全功能的,2000年兼容(Y2KC),实时时钟RTC的闹钟,看门狗定时器/日历(RTC)上电复位,电池监控,和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:08
1867 
DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路
2010-10-20 09:04:42
1402 该DS9034PCX PowerCap的设计是一个在达拉斯半导体非易失时钟RAM的锂动力源的直接表面贴装PowerCap模块(PCM)封装。经过PowerCap模块板焊接已经到位并清洗,DS9034PCX PowerCap是放置在PCM
2010-10-21 08:58:12
1494 
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM,
2010-10-21 09:01:27
1211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59
1214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控
2010-10-21 09:06:32
1445 DS1647为512k x 8非易失性静态RAM,包括一个完备的实时时钟,两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:09
1601 
DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟,都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55:09
1169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,
2010-10-22 08:58:38
1165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:58
1904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制
2010-10-22 09:04:04
1281 
MXIM推出DS3065WP,一个1米x 8非易失(NV)与一个嵌入式实时时钟(RTC)和电池包在一个PowerCap
2010-10-28 08:46:50
900 DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM,按照
2010-11-03 09:26:23
2299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按
2010-11-07 09:37:51
992 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控
2010-11-10 09:31:52
1000 
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM,按照
2010-11-10 09:36:27
1689 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控
2010-11-24 09:43:53
1078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路
2010-11-24 09:47:28
1161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路,控
2010-11-24 09:53:31
2113 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:01
1741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控
2010-12-07 10:21:02
1215 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、实时时钟(RTC)、CPU监控电路和温度传感器,可以为加密交易终端和其它安全敏感应用提供篡改保护
2011-04-27 10:23:37
1201 DS1346/DS1347的SPI™兼容的实时时钟(RTC)含有一个实时时钟/日历和31 × 8位静态随机存取存储器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:33
1944 
DS1500为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC),具有报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节内置非易失(NV) SRAM、为备份外围SRAM提供NV控制以及一个32.768kHz频率的输出
2011-12-19 11:08:18
2147 
DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),内置实时时钟
2011-12-19 11:15:39
2071 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列),内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50
1101 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列),内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:18
1560 
DS1243Y 64K非易失SRAM,带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:26
1584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:28
35 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:52
18 DS1746是一个全功能的,2000年的兼容(Y2KC),实时时钟/日历(RTC)和128K×8非易失性静态RAM
2012-03-19 16:28:12
2688 
FEATURES Integrated NV SRAM, Real-Time Clock (RTC), Crystal, Power-Fail Control Circuit
2012-03-19 17:01:16
15 DS3232M是成本低,非常准确,,I²C实时时钟(RTC),具有236字节电池供电的SRAM。该器件集成了一个电池输入和设备的主电源中断时保持精确的计时。
2012-03-23 11:09:29
4825 DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器,采用CMOS电路设计,用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。
2012-04-16 12:11:02
2667 DS1312电池监视器非易失控制器是CMOS电路,解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:26:37
1109 
DS1218非易失控制器芯片供应电路要求提供标准CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:14
1883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS电路,解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:30:07
4121 
使用赛道存储单元的近阈值非易失SRAM_孙忆南
2017-01-07 21:45:57
1 SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM带实时时钟
2017-10-10 08:56:32
5 SRAM 1-Mbit (128 K × 8) 串行 SPI nvSRAM,带实时时钟
2017-10-10 09:07:05
16 一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器:非易失性SRAM(NVSRAM)。 为解决SRAM的数据保存问题,国外著名半导体公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列产品,国内也有同类产品相继问世。面对众多的NVSRAM产品,广大用户如何选择质优价廉的产品呢?建议用户根据以
2021-01-11 16:44:20
2306 电子发烧友网站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM适配器.zip》资料免费下载
2022-07-12 10:20:41
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2022-11-18 20:02:58

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2022-11-21 22:57:21

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2022-11-21 22:57:37

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2022-11-22 19:04:53

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09
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DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围
2025-02-27 09:19:54
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DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行
2025-02-27 09:31:07
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具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC
2025-02-27 10:10:50
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具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列),内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围,一旦超出容差,锂电池便自动切换至供电状态,写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:38:41
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具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列),内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围,一旦超出容差,锂电池便自动切换至供电状态,写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:44:58
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DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2025-02-27 15:51:09
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DS1554是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC),具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和32k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1554内所有
2025-02-27 16:54:35
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DS1557是一款全功能、符合-2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC),具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和512k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1557内所有
2025-02-27 17:11:32
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DS1746是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1746内所有寄存器的访问都通过字节宽接口实现,如图1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04
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带幻象时钟的DS1243Y 64K NV SRAM是一款内置实时时钟、完全静态的非易失性RAM(结构为8192个字x 8位)。DS1243Y具有独立的锂能源和控制电路,可持续监控VCC是否发生超出容
2025-02-28 10:31:43
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