0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5433资料下载内容包括：MAX5433引脚功能MAX5433功能和特性MAX5433应用范围MAX5433内部方框图MAX5433极限参数MAX5433典型应用电路
2021-04-02 07:32:20
DS1243, DS1243Y资料介绍,64k NV SRAM，带有隐含时钟DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
存储实时时钟/日历的 31 字节的静态 RAM，可通过简单的串行接口与微处理器通讯，将当前的是时钟存于RAM。DS1302芯片对于少于 31 天的月份月末会自动调整,并会自动对闰年进行校正。由于有一个...
2022-01-17 07:37:39
DS1302电子时钟DS1302如上图所示，它是由美国DALLAS公司推出的具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片， DS1302是一种高性能、低功耗的实时时钟芯片，附加31字节静态RAM，采用
2022-01-17 06:44:35
RES 复位2 I/O 数据线3 SCLK串行时钟时钟/RAM 的读/写数据以一个字节或多达31 个字节的字符组方式通信DS1302 工作时功耗很低保持数据和时钟信息时功率小于1mW.
2009-12-12 16:36:36
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
特征➤集成NV SRAM、实时时钟（RTC）、晶体、电源故障控制电路和锂能源➤时钟寄存器与静态RAM访问相同；这些寄存器位于16个顶级RAM位置➤世纪字节寄存器（即符合Y2K）➤完全不易挥发，在断电
2020-09-16 17:17:42
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
电路,周期中断/方波选择电路,14字节时钟和控制单元,114字节用户非易失RAM,十进制/二进制累加器,总线接口电路,电源开关写保护单元和内部锂电池等部分组成。DS12887引脚分配如图1：Vcc
2008-10-08 11:18:25
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
等待区（ZW）使用，96K划给用户使用作为RAM使用256K的非零等待区里可以通过软件配置将其中的128K划出来给用户作为RAM使用，那么此时用户就有96+128K RAM可以使用，这224KB
2020-11-20 21:25:08
AT87F51是一个低功耗，高性能CMOS 8位微控制器，带有4K字节的快速闪存可编程只读存储器。该设备是采用Atmel的高密度非易失性内存技术和行业标准MCS - 51（TM）的指令集和引脚兼容
2013-09-03 11:39:03
）， 器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-51指令系统，片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元，功能强大AT89C2051单片机可为您提供许多高性价比的应用场合。
2020-07-20 17:23:01
特征➤符合ACPI的每月一日警报➤千年虫世纪比特➤直接时钟/日历替换IBM®AT兼容计算机和其他应用程序➤2个索引阴影寄存器➤2.7–5.5V操作➤240字节的一般非易失性存储器➤专用
2020-09-16 17:18:59
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
Dallas Semiconductor推出DS3501 7位非易失数字电位器(digipot)，器件具有高达15.5V的输出电压。该器件是第一款内置温度传感器、ADC以及查找表(LUT)的高度
2018-11-19 17:09:27
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在继承了GW1N-1/2/4的众多优点的基础上，加入了多项创新的特性，使得高云半导体在非易失性FPGA领域逐步建立了领先优势
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出带有非易失存储器(EEPROM)的±0.5℃精度数字温度传感器和温度调节器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上电时能够运行用户设定的配置和温度调节门限，而其他类似的器件
2018-10-29 10:51:29
Maxim推出带有非易失存储器(EEPROM)的±0.5°C精度数字温度传感器和温度调节器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上电时能够运行用户设定的配置和温度调节门限。 DS
2018-10-30 15:56:34
低功耗，具有56字节非失性RAM的全BCD码时钟日历实时时钟芯片，地址和数据通过两线双向的串行总线的传输，芯片可以提供秒，分，小时等信息，每一个月的天数能自动调整。并且有闰年补偿功能。AM/PM 标志
2014-10-24 11:13:08
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
闰年补偿等多种功能。工作电压为2.0V～5.5V。采用三线接口与CPU进行同步通信，并可采用突发方式一次传送多个字节的时钟信号或RAM数据。DS1302内部有一个31×8的用于临时性存放数据的RAM寄...
2021-12-08 08:15:37
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
（RTC）是低功耗、全二-十进制码（BCD码）、带56字节非易失SRAM的时钟/日历芯片。地址与数据通过2线双向总线串行传送。时钟/日历可以提供秒、分、时、日、星期、月、年信息。对于少于31天的月份
2013-07-30 17:35:35
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
如何使用多余的代码内存来释放一些Ram。什么是只读存储器？微控制器存储器被分为对应于电气特性（例如，易失性与非易失性）和结构因素的类别，例如8051在内部数据存储器和“外部”数据存储器之间的区别（外部...
2021-12-20 06:42:35
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
配置AM/PM来决定采用24小时格式还是12小时格式。（2）内部含有31个字节静态数据存储RAM。（3）串行I/O通信方式，使得管脚少，简单SPI仅3线接口。（4）工作电压范围教宽：2.0～5.5V。（5）工作电流小，功耗低：工作电压为2.0V时，小于300nA。（6）时钟或RAM数据的读
2021-12-10 08:01:29
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位计数器模式中使用Time1。下面的函数在代码中定期调用。每次调用上述函数后，Timer1应该重置为零。有时它不是这样发生的，但有时它像预期的那样工作。我必须将“T1Value”声明为易失性变量还是其他可能出现的问题？任何帮助都是值得赞赏的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
`涓流充电,带31个字节RAM,时钟芯片GM1302,兼容DS1302，数据手册和参考源代码`
2018-12-10 14:03:03
RAM。我做到了，但最后剩下两个9K Block RAM，我在设计中找不到它们。我怎么知道设计中那些2 9K Block RAM在哪里？以上来自于谷歌翻译以下为原文Hi,I wanted
2019-06-06 07:23:18
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-21 10:49:57
概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)数字电位器，具有高达15.5V的输出电压范围。该器件可通过I²C兼容接口对其进行程序设计，接口工作速度可高达400kHz。电位器的最低和最高输出电压可通过
2021-05-17 07:50:20
) and128k x 8 nonvolatile static RAM. User access to all registers within the DS1746 is accomplished with abyte-wide interface a
2008-08-10 10:39:53
16 具有 CPU 监控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，5V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行
2023-07-21 17:11:57
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
DS1643, DS1643P 非易失时钟RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:45
1037 
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字
2010-09-28 09:05:42974 
DS1554是一个全功能的，2000年兼容(Y2KC)，实时时钟RTC的闹钟，看门狗定时器/日历(RTC)上电复位，电池监控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081395 
DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091236 
DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55:09955 
DS1346/DS1347的SPI™兼容的实时时钟(RTC)含有一个实时时钟/日历和31 × 8位静态随机存取存储器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15:391685 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50905 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181184 
DS1746是一个全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，实时时钟/日历(RTC)和128K×8非易失性静态RAM
2012-03-19 16:28:12822 
, and Lithium Energy Source Clock Registers are Accessed Identically to the Static RAM. These Registers are Resident in the Eight Top RAM Locations Centu
2012-03-19 17:01:1615 DS1308串行实时时钟(RTC)是一种低功耗，全二进制编码的十进制(BCD)时钟/日历，加上56字节NV RAM
2012-06-08 14:03:382456 
DS1302 是DALLAS 公司推出的涓流充电时钟芯片，内含有一个实
时时钟/日历和 31 字节静态 RAM ，通过简单的串行接口与单片机进
行通信。实时时钟/日历电路提供秒、分、时、日、周、月、年的信
息，每月的天数和闰年的天数可自动调整。
2015-11-24 17:02:108 存储实时时钟/日历的 31 字节的静态 RAM，可通过简单的串行接口与微处理器通讯，将当前的是时钟存于RAM。DS1302芯片对于少于 31 天的月份月末会自动调整,并会自动对闰年进行校正。由于有一个...
2022-01-17 13:03:5927 DS1302时钟芯片的使用带你写一个小时钟DS1302地址字节控制字节逻辑有效位必须是逻辑1，若为0，则数据就写不进去1302中。位6如果是0，则表示存取日历时钟数据位6如果是0，则表示存取RAM
2022-01-18 09:01:003 DS1302电子时钟DS1302如上图所示，它是由美国DALLAS公司推出的具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片， DS1302是一种高性能、低功耗的实时时钟芯片，附加31字节静态RAM，采用
2022-01-18 09:02:016 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1557WP-120+相关产品参数、数据手册，更有DS1557WP-120+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1557WP-120+真值表，DS1557WP-120+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-18 20:54:32
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1557P-70相关产品参数、数据手册，更有DS1557P-70的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1557P-70真值表，DS1557P-70管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-18 22:11:03
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2022-11-18 22:11:31
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2022-11-21 22:05:15
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2022-11-21 22:07:57
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2022-11-24 20:14:33
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1557WP-120IND+相关产品参数、数据手册，更有DS1557WP-120IND+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1557WP-120IND+真值表，DS1557WP-120IND+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-24 20:19:26
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1557P-70IND+相关产品参数、数据手册，更有DS1557P-70IND+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1557P-70IND+真值表，DS1557P-70IND+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-24 20:20:12
ISL1557 数据表
2023-06-26 19:47:480
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