STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作,也可以像ROM/Flash一样非挥发性,保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
STT-MRAM的优点
•足够快,可以作为工作记忆→更换psRAM和SRAM
•非易失性,无需电源即可维护数据→替换nvSRAM、NOR
•无电容器,无需电池→更换nvSRAM+Super Cap。和SRAM+电池
MRAM产品应用
•工业、汽车、航空电子和航天应用
-宽温度范围,低软错误率,比Flash更可靠
•物联网和关键任务系统
-断电时立即备份
-无需从Flash启动
-无需复制到DRAM或SRAM
•医疗系统
-快速数据记录
•企业数据存储
-写入缓冲区、元数据存储、索引存储器
•更换LP SRAM、NOR闪存、EEPROM
•丰富的嵌入式应用程序
-在高性能多处理器系统中替换大缓存
-用于AI系统的分布式持久存储器
-更换eFlash、eSRAM和eDRAM
审核编辑:汤梓红
-
存储器
+关注
关注
39文章
7714浏览量
170799 -
MRAM
+关注
关注
1文章
244浏览量
32823 -
非易失性存储器
+关注
关注
0文章
115浏览量
24014
发布评论请先 登录
串行接口MRAM存储芯片面向工业物联网和嵌入式系统的应用
MRAM存储器EMD4E001G-1Gb的优势介绍
Everspin存储器8位并行总线MRAM概述
Everspin串口MRAM存储芯片有哪些型号
半导体存储芯片核心解析
DS4510 CPU监控电路,具有非易失存储器和可编程输入/输出技术手册
DS4550 I²C和JTAG、非易失、9位、输入/输出扩展器与存储器技术手册
STT-MRAM新型非易失性磁随机存储器
揭秘非易失性存储器:从原理到应用的深入探索

STT-MRAM非易失存储器特点及应用
评论