DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
- 无外部电源时最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存
- 没有写次数限制
- 低功耗CMOS操作
- 70ns的读写存取时间
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- ±10% VCC工作范围(DS1250Y)
- 可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)
- 可选的工业级温度范围：-40°C至+85°C，指定为IND
- JEDEC标准的32引脚DIP封装
- PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1249AB
DS1249Y
DS1265AB
DS1265Y
DS1270AB
DS1270Y
DS1330AB
DS1330Y
DS1345Y
DS1220AB
DS1220AD
DS1225AB
DS1225AD
DS1230AB
DS1230W
DS1230Y
DS1245AB
DS1245W
DS1245Y
DS1250AB
DS1250W
DS1250Y
DS1330W
DS1350W
DS9034PC
DS9034PCI
