模拟技术
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如何防止推挽式转换器中的变压器饱和
本期，为大家带来的是《优化放大器电路中的输入和输出瞬态稳定时间》，将讨论如何利用死区时间内的磁通量衰减效应，来有效防止推挽式转换器中的变压器饱和问题。...
2025-12-04 1195
首家大基金三期A+H基石投资企业，多核心赛道冠军！纳芯微正式发布港股招股书
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2025年11月28日，高性能高可靠性模拟及混合信号芯片设计公司纳芯微正式发布港股招股书。纳芯微不仅成为国家集成电路产业投资基金（简称“国家大基金”）三...
2025-11-29 3727
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表性材料，下图1展示了SiC的材料优势，相较于 Si，SiC 具有更高的禁带宽度，使 SiC 器件的工作温度可达 300℃以上(传统 Si 器件为150 ℃)，适用于高温环境...
2025-12-05 205
今日看点：黑芝麻智能拟4-5.5亿元收购亿智电子控股权；理想发布首款 AI 眼镜
黑芝麻智能拟4-5.5亿元收购亿智电子控股权 近日，黑芝麻智能国际控股有限公司（2533.HK，简称“黑芝麻智能”）发布内幕消息公告，更新此前披露的可能收购事项。根据公告，公司拟通过收...
2025-12-04 705
领慧立芯LHA7530系列高精度ADC国产替代CS5530系列
作为曾广泛应用于工业控制、称重传感、温度监测等领域的经典 24 位 Σ-Δ 型 ADC 芯片，Cirrus Logic 旗下 CS5530 系列已即将步入停产流程 ——2026 年 9 月 12 日将迎来最终停产（EOL）节点，供应链端...
2025-12-04 314
安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能...
2025-12-04 299
中科银河芯全新推出GXC400 RTD至数字输出转换器
RTD(热阻式温度检测器)基于材料电阻随温度“灵敏变化”的特性实现对温度的测量。其中应用最广泛的铂电阻RTD(PT-RTD)，测温范围最高可超过800℃，并具备良好的精度、可重复性与线性表现，因...
2025-12-03 1087
合科泰MOS管在现代电源控制系统中的应用
在现代电源控制系统中，MOS管已成为不可或缺的核心器件。其最基础且核心的作用，是作为高速开关元件，如通过栅极电压的高低变化，快速切换源极与漏极之间的导通和截止状态，进而实现对...
2025-12-03 761
过采样技术如何提高ADC的动态性能
你是否也遇到过分辨率不足、噪声过高的问题？在高速、高精度的信号采集场景中，ADC的动态性能往往成为系统瓶颈。其实，解决方案可能比你想象的简单——过采样技术，正在悄悄改变游戏规...
2025-12-03 2389
意法半导体TSB18系列运算放大器的应用示例
意法半导体TSB18系列运算放大器完美融合了高精度、多功能性、高效能和可靠性优势。无论您正在设计工业控制系统、汽车电子、医疗设备还是仪器仪表，TSB181和TSB182高精度运算放大器都能满足...
2025-12-03 404
意法半导体高压MOSFET明星产品深度解析
高压MOSFET作为功率半导体领域的核心器件，凭借高耐压、低损耗、高速开关的核心优势，已成为工业电源、新能源储能、汽车电动化等场景实现高效能量转换的“关键引擎”。意法半导体深耕高...
2025-12-03 651
三菱电机即将发布两款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模块
三菱电机集团今日（2025年12月2日）宣布，将于12月9日发布两款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模块，包括标准绝缘（6.0kVrms）封装和高绝缘（10.0kVrms）封装。这些大容量功率模块专为轨道交通车辆等大型工...
2025-12-02 555
三菱电机SiC MOSFET在工业电源中的应用
SiC器件具有低开关损耗，可以使用更小的散热器，同时可以在更高开关频率下运行，减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业电源，可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业...
2025-12-02 2430
首家大基金三期A+H基石投资企业，多核心赛道冠军！纳芯微正式发布港股招股书
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2025年11月28日，高性能高可靠性模拟及混合信号芯片设计公司纳芯微正式发布港股招股书。纳芯微不仅成为国家集成电路产业投资基金（简称“国家大基金”）三...
2025-12-02 4534
Power Integrations荣获2025全球电子成就奖之年度电源管理奖
2025国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）正于11月25日至26日在深圳大中华喜来登酒店举办。在此次展会上，Power Integrations（简称：PI）旗下的InnoMux-2 1700V氮化镓IC 荣获2025 ASPENCORE全球电子成...
2025-12-01 697
FS-IGBT短路耐受能力提升方法
随着能源效率成为全球关注的焦点，半导体行业迎来了技术革新的浪潮。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)便是这一背景下的产物，其通过电场效应调控导电通道，显著降低了驱动所需的能...
2025-11-30 3779
5W超低功耗 + 14.4GB/s吞吐量！慧荣推出新一代PCIe 5.0 SSD主控SM8388
电子发烧友网综合报道 在数字化发展的当下，数据存储领域正经历变革。SSD主控芯片作为固态硬盘核心部件，掌控数据读写、存储与传输等关键操作，决定SSD性能，影响存储系统稳定性与可靠...
2025-12-01 834
技术资讯 I 共模信号与差模信号解析
本文重点传导噪声分为共模信号和差模信号两种类型。无论是共模信号还是差模信号，都需要两根导线进行传输。电路中产生共模噪声的主要原因是电路器件之间、器件与地之间存在寄生电容。...
2025-11-28 889
飞虹IGBT单管FHA40T65A在逆变器电路设计中的应用
FHA40T65A作为一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT单管，采用TO-3PN封装，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的...
2025-11-28 2238
东芝新型功率MOSFET助力高效电源系统设计
数据中心机房内，数十台服务器电源正发出沉闷的嗡鸣——这并非设备平稳运行的正常律动，而是散热风扇因器件高温被迫“超负荷加班”的抗议；工业车间的变频器旁，工程师紧盯着测温仪眉...
2025-11-28 3013
圣邦微电子SGM51613R4A/SGM51613R8A：高性能16位ADC的深度剖析
SGM51613R4A/SGM51613R8A：高性能16位ADC的深度剖析 在电子工程师的日常设计中，模拟 - 数字转换器（ADC）是一个关键组件，它直接影响着系统的性能和精度。今天，我们就来详细探讨一下SG Micro Cor...
2025-11-27 893
安森美荣获2025全球电子成就奖之年度功率半导体/驱动器产品奖
11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计，荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动...
2025-11-27 811
基于安森美产品的在线式不间断电源解决方案
20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪...
2025-11-27 3778
圣邦微电子模数转换器SGM58201荣获2025全球电子成就奖之年度创新产品奖
在由全球电子技术领域知名媒体机构AspenCore主办的“2025全球电子成就奖”评选中，圣邦微电子高精度、低噪声模数转换器SGM58201，凭借其卓越的性能与创新设计，荣获“年度创新产品奖”。...
2025-11-27 911
电流转电压模块电路原理图解析
工业传感器常使用电流大小来传输数据，那么作为传感器数据的接收方，比如单片机，有内部AD的单片机可以检测电压的大小，那么首先必须将电流信号转换为电压信号，然后进行电压幅值变换...
2025-11-26 2403
今日看点：联想 CFO：正囤积 PC 内存，避免转嫁成本到消费者；OpenAI 原型AI 硬件
联想 CFO：正囤积 PC 内存，避免转嫁成本到消费者 业内媒体报道，联想集团正在加大内存芯片库存，以应对人工智能产业带来的供应紧张与价格上涨。联想 CFO 郑孝明在采访中表示，公司当前零...
2025-11-25 999
ADI芯品ADF4382 超低相噪与高同步精度的22GHz频率综合器
在当今的高频通信与精密测量领域，如何在高频率输出、低相位噪声以及系统小型化之间找到完美的平衡，一直是射频工程师面临的重大挑战。ADI最新推出的22GHz频率综合器，正是为了解决这些...
2025-11-25 18935
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