扬杰科技荣膺2025行家极光奖年度中国SiC器件IDM十强企业

这个十二月，捷报连连！扬杰科技先于12月4日获颁“中国SiC器件IDM十强企业”，彰显其在碳化硅全产业链的垂直整合实力；随后在12月6日，又凭借过硬的产品与技术，一举夺得“国产功率器件行业-车规级-卓越奖”与“功率器件-IGBT行业-卓越奖”。

中国SiC器件IDM十强企业奖项

12月4日，2025年行家说三代半年会—碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼在深圳举行，本次大会由行家说主办，聚焦SiC创新应用，SiC&GaN终端应用，技术、市场及未来走势，通过技术演讲、数据报告、高端对话、行业评选和产品展示，进一步探讨SiC 和 GaN 全球市场规模及未来发展空间和挑战。

会上，行家说为扬州扬杰电子科技股份有限公司颁发“中国SiC器件IDM十强企业奖项”。

SiC MOSFET

光伏储能、OBC领域“优质之选”

扬杰科技近日推出了杰冠微自产SiC MOSFET产品。卓越的电性性能，高效率，高可靠性与鲁棒性；工艺稳定，品质把控严格；摆脱外部限制，供货稳定，交期可控；更提供全方位的技术支持，为客户投资保驾护航！

产品特点：

1.耐高温特性，工作温度（175°C)，出色的散热性能，有着优异的温升表现，提高了产品的可靠性；

2.自研工艺，栅氧层质量高，寿命长，阈值电压稳定；

2.击穿电压和耐压能力高，通流能力优秀；

3.动态性能良好，SiC MOSFET 在开关过程中具有较小的开关损耗和快速恢复时间。

国产功率器件行业-车规级-卓越奖

功率器件-IGBT行业-卓越奖

紧随其后，在12月6日举行的亚洲电源技术发展论坛暨颁奖典礼上，扬杰科技再次凭借在功率半导体领域的出色表现，荣获世纪电源网评选的《国产功率器件行业-车规级-卓越奖》与《功率器件-IGBT行业-卓越奖》。

这两项荣誉进一步印证了公司在车规级功率器件及IGBT产品领域的技术领先性与市场认可度，体现了其在多元化功率半导体产品布局上的协同发展与综合竞争力。

车规IGBT单管：TO-247-3L

给空调压缩机控制器装上“短路防护盾”

新一代TO-247-3L封装1200V车规级IGBT单管，产品采用新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通损耗，具有较强的短路能力，产品参数一致性好，可靠性优良，适用于压缩机控制器等各类中低频应用领域。

产品特点：

1. 精细微沟槽工艺平台，极具性价比的芯片方案；

2. 电压等级为1200V，电流等级为40A@Tc=100℃ ；

3. 低导通损耗，适用于中低频应用领域；

4. 具有极强的短路能力(器件在20V的高驱动电压条件下依旧保证10us以上的短路能力)

展望未来

未来，扬杰科技将继续依托IDM模式优势，加速SiC、IGBT等新产品研发与产业化进程，协同上下游伙伴共建健康生态，以更高效、更可靠的功率半导体解决方案，赋能能源变革与产业升级，持续为我国半导体产业的高质量发展注入强劲动能。

关于扬杰

扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。公司产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域。

公司于2014年1月23日在深交所上市，证券代码300373，相信在您的关怀支持下，我们一定能够成为世界信赖的功率半导体伙伴。