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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>Mouser推出Cree公司的业界首款1200V高频碳化硅半电桥模块

Mouser推出Cree公司的业界首款1200V高频碳化硅半电桥模块

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2023-12-08 11:50:151700

碳化硅特色工艺模块简介

材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩散。因此,在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:141646

芯联集成与蔚来汽车签署碳化硅生产供货协议

近日,芯联集成与蔚来汽车签署了碳化硅模块产品的生产供货协议。根据协议条款,芯联集成将成为蔚来首自研1200V碳化硅模块的独家生产供应商。
2024-01-31 10:29:511038

Qorvo发布紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块

全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两桥配置和两全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:351504

Qorvo发布1200V碳化硅模块

全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两桥配置和两全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:191402

瞻芯电子推出车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯电子正式推出车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。
2024-04-07 11:37:323562

基本半导体推出1200V 240A大功率碳化硅MOSFET模块

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一1200V 240A大功率碳化硅MOSFET模块
2024-04-11 09:22:271998

先导中心推出1200V 100A三电平全碳化硅模块新品

在成功发布首1200V 100A H桥全碳化硅模块后,先导中心再度展现了其技术实力,推出了全新的1200V 100A 三电平全碳化硅模块
2024-05-09 14:25:261354

安世半导体宣布推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出业界领先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供选择。
2024-05-22 10:38:312066

Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695

纳微正式发布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs产品系列

  具备行业领先的温控性能,全新650V1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关,为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。 加利福尼亚州托伦斯2024年6月6日讯 —GaNFast
2024-06-11 15:46:171561

纳微半导体发布第三代快速碳化硅MOSFETs

纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者,近日正式推出了其最新研发的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs产品系列,包括650V1200V两大规格。
2024-06-11 16:24:441716

Wolfspeed推出创新碳化硅模块

全球领先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一项重大技术创新,成功推出了一专为可再生能源、储能系统以及高容量快速充电领域设计的碳化硅模块。这款模块以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片为核心,实现了前所未有的性能飞跃。
2024-09-12 17:13:321309

1200V碳化硅sic功率器件测试及建模

随着电力电力电子技术逐渐向高压大电流方向发展,传统的 Si 基器件由于损耗大、开关速度慢、耐压低等缺点逐渐被 SiC(碳化硅)器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件应用最为广泛,小电流器件主要
2024-10-17 13:44:091

芯联集成为蔚来乐道L60供应碳化硅模块

近日,蔚来旗下全新品牌乐道推出了其首车型——乐道L60。作为同级别车型中的佼佼者,乐道L60采用了全域900V高压平台架构,并搭载了蔚来自研的1200V SiC碳化硅功率模块
2024-12-02 11:07:441158

瞻芯电子推出全新碳化硅桥功率模块IV1B12009HA2L

近日,瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景,提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。
2025-03-11 15:22:521253

​安森美推出基于碳化硅的智能功率模块

安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM31智能功率模块(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281108

恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二极管,助力工业电源应用高效能量转换

近日,知名半导体公司恩智浦(NXP)宣布推出新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二极管。这些新产品的推出旨在满足日益增长的工业电源应用需求,特别是在超低功率损耗整流方面。这一创新不仅将
2025-07-15 09:58:39918

如何选择 1200V SiC(碳化硅)TO-247 单管的耐高温绝缘导热垫片?

近期,华为旗下海思技术有限公司正式进军碳化硅功率器件领域,推出了两1200V工规SiC单管产品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4,专门面向工业高温、高压场景场景。图片
2025-07-29 06:21:51682

基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET模块

基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET模块,该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术,在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:141294

基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET模块Pcore 2系列介绍

基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET模块,产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术,在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上,通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感,使碳化硅MOSFET的高频性能得到更充分发挥。
2025-09-15 16:53:03983

安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性与应用分析

在电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET凭借其卓越的性能,正逐渐成为众多应用的首选功率器件。今天,我们就来深入探讨安森美(onsemi)推出的一1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05416

Wolfspeed荣获2025年度功率器件碳化硅行业卓越奖

作为碳化硅 (SiC) 行业全球引领者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技术平台与 1200V 工业级、1200V 车规级产品系列,重新定义功率半导体器件的性能和耐久性,旨在为高功率应用在实际应用中带来突破性的性能表现。
2025-12-22 17:32:00409

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