美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块
2015-10-14 09:52:22
2462 安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。
2024-03-26 09:57:19
3707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。
2024-03-28 10:01:09
2465 
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺,结合元胞镇流电阻设计,开发出了短路耐受时间长,导通电阻小,阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:03
10726 
东芝电子宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:21
4540 
中国上海, 2023 年 8 月 29 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55
1734 
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
每个桥臂需要4个MOSFET以及各自的驱动,增加了系统复杂度,再比如每个桥臂需要各自的钳位二极管,增加了系统成本。 本文中,将介绍我们8KW LLC变换器的设计方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
具有明显的优势。UnitedSiC的1200V和650V器件除了导通电阻低,还利用了低内感和热阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的导通电阻值比较 Anup Bhalla说,碳化硅的优点
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
200V,但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
泛的宽禁带半导体材料之一,凭借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身优异的半导体性能,在各个现代工业领域发挥重要革新作用。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管主要技术参数如下: 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二极管电流范围从2-40A,封装涵盖TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封装,产品列表见下:原作者:基本半导体
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品,具有极高的工作效率,性能优越达到国际先进水平,可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表:
2021-11-10 09:10:42
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工业级全碳化硅(SiC)半桥功率模块,专为高功率密度、极端高温环境
2025-03-17 09:59:21
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技术应用打造
2025-06-25 09:13:14
基本半导体推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET两种封装的典型产品B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)为例,从理论上来解释TO-247-4中辅助源
2023-02-27 16:14:19
XM3半桥电源模块系列是 Wolfspeed(原CREE)推出的高功率碳化硅(SiC)电源模块平台,专为电动汽车、工业电源和牵引驱动等高要求应用设计。XM3半桥电源模块系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
的材料特性,各自都有各自的优点和不成熟处,因此在应用方面有区别 。一般的业界共识是:SiC适合高于1200V的高电压大功率应用;GaN器件更适合于40-1200V的高频应用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
能动力碳化硅二极管ACD06PS065G已经在倍思120W氮化镓快充中商用,与纳微GaNFast高频优势组合,高频开关减小磁性元件体积,提高适配器功率密度。创能动力是香港华智科技有限公司孵化出来的公司
2023-02-22 15:27:51
90A 的 6 件拓扑结构,适用于 1200V,以及 50A、100A 和 150A 的混合碳化硅芯片组。 半顶 E2 模块 SEMITOP E2是允许全面优化的无底板模块。凭借其位于外壳顶部的引脚
2023-02-20 16:29:54
并联二极管的特性参数对比 如图13所示,混合碳化硅分立器件的反向恢复时间Trr,反向恢复电流Irr和反向恢复损耗Err明显降低。 05 总结 基本半导体主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一块 DBC 板上,使半桥模块面积仅为 TO-247 单管大小,极大地减小了驱动回路和功率回路的寄生电感参数。阿肯色大学则针对碳化硅芯片开发了相关的 SiC CMOS 驱动
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
MOSFET 的单通道驱动核,可以驱动目前市面上大部分 1700V 以内的单管碳化硅 MOSFET, 该驱动核设计紧凑,通用性强。 3、电源模块 Q15P2XXYYD 是青铜剑科技自主研发的单通道
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
EPW4-1200-S020A是1200V第 4 代汽车认证裸片碳化硅肖特基二极管 - E 系列。E 系列二极管经过专门设计,可在最恶劣的环境中保持稳健和可靠。因此; E 系列二极管是业界首款通过
2022-06-08 19:23:46
CAB400M12XM3是XM3 半桥电源模块系列。1200 V 半桥电源模块,专为碳化硅而设计,可实现高功率密度.借我们的首款汽车认证 1200 V、450 A、全碳化硅传导优化半桥 XM3
2022-06-08 19:48:51
CAB425M12XM3是XM3 半桥电源模块系列。1200 V 半桥电源模块,专为碳化硅而设计,可实现高功率密度.凭借我们的首款汽车认证 1200 V、450 A、全碳化硅传导优化半桥 XM3
2022-06-08 19:54:48
EAB450M12XM3是XM3 半桥电源模块系列。1200 V 半桥电源模块,专为碳化硅而设计,可实现高功率密度.凭借我们的首款汽车认证 1200 V、450 A、全碳化硅传导优化半桥 XM3
2022-06-09 19:32:13
科锐公司(Nasdaq: CREE)将继续引领高效率电子电力模组变革,宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:16
2139 中国,北京,2017年5月25日讯 -Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管,以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。
2017-05-26 14:43:59
1503 Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略
2018-03-18 09:19:00
4275 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型
2018-03-19 09:55:27
6573 的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
2018-10-23 11:34:37
6278 支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:41
5483 Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元用于扩大SiC(碳化硅)产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化
2019-05-14 10:24:44
4139 14日,Cree宣布成为大众汽车集团(Volkswagen Group)FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴。
2019-05-16 08:51:51
4799 日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半桥模块CAB450M12XM3,该产品可最大限度地提高功率密度,同时最大限度地降低环路电感并实现简单的功率总线。XM3适用于电动车充电器,牵引驱动器和不间断电源(UPS)等应用。
2019-09-14 10:54:00
2905 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:56
4450 )今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流和封装选项。 Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证,对于需要在提高系统效率的同时保持高质
2020-11-05 10:20:35
2091 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:51
4444 )和氮化镓(GaN)等第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场潜力,成为全球半导体市场的焦点。借此契机,东芝推出了新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW070J120B”。 01特征属性分析 TW070J120B采用第2代内置碳化硅SBD芯片设计,TO-3P(N)封装,具有高
2021-06-04 18:21:23
4508 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”;额定电压为1700V、额定漏极
2022-02-01 20:22:02
5818 2022年5月11日 –移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。
2022-05-12 11:22:57
2457 
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系
2022-05-25 10:46:53
2203 、900V、1200V、1700V,当然还有超高压3300V,目前正在研发中,主要应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控,电源、工控、空调等、电动工具、储能等。碳化硅 (SiC
2023-02-21 09:59:54
2465 
汽车碳化硅模块是一种用于汽车电力传动系统的电子器件,由多个碳化硅芯片、散热器、绝缘材料和连接件等组成。碳化硅芯片作为模块的核心部件,采用现代半导体技术制造而成,可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关,适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。
2023-02-25 15:03:22
4048 逆变器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未来十年的复合年增长率为27%。
2023-07-17 11:33:24
797 
点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出业界首款 [1] 2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07
1150 
MOS管在直流充电桩上的应用,推荐瑞森半导650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超结MOS系列
2023-12-08 11:50:15
1700 
材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩散。因此,在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:14
1646 
近日,芯联集成与蔚来汽车签署了碳化硅模块产品的生产供货协议。根据协议条款,芯联集成将成为蔚来首款自研1200V碳化硅模块的独家生产供应商。
2024-01-31 10:29:51
1038 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35
1504 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19
1402 近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。
2024-04-07 11:37:32
3562 
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块,
2024-04-11 09:22:27
1998 
在成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后,先导中心再度展现了其技术实力,推出了全新的1200V 100A 三电平全碳化硅模块。
2024-05-09 14:25:26
1354 Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司现推出业界领先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供选择。
2024-05-22 10:38:31
2066 Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:58
1695 具备行业领先的温控性能,全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关,为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。 加利福尼亚州托伦斯2024年6月6日讯 —GaNFast
2024-06-11 15:46:17
1561 纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者,近日正式推出了其最新研发的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs产品系列,包括650V和1200V两大规格。
2024-06-11 16:24:44
1716 全球领先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一项重大技术创新,成功推出了一款专为可再生能源、储能系统以及高容量快速充电领域设计的碳化硅模块。这款模块以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片为核心,实现了前所未有的性能飞跃。
2024-09-12 17:13:32
1309 随着电力电力电子技术逐渐向高压大电流方向发展,传统的 Si 基器件由于损耗大、开关速度慢、耐压低等缺点逐渐被 SiC(碳化硅)器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件应用最为广泛,小电流器件主要
2024-10-17 13:44:09
1 近日,蔚来旗下全新品牌乐道推出了其首款车型——乐道L60。作为同级别车型中的佼佼者,乐道L60采用了全域900V高压平台架构,并搭载了蔚来自研的1200V SiC碳化硅功率模块。
2024-12-02 11:07:44
1158 近日,瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景,提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。
2025-03-11 15:22:52
1253 
安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM31智能功率模块(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:28
1108 近日,知名半导体公司恩智浦(NXP)宣布推出两款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二极管。这些新产品的推出旨在满足日益增长的工业电源应用需求,特别是在超低功率损耗整流方面。这一创新不仅将
2025-07-15 09:58:39
918 
近期,华为旗下海思技术有限公司正式进军碳化硅功率器件领域,推出了两款1200V工规SiC单管产品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4,专门面向工业高温、高压场景场景。图片
2025-07-29 06:21:51
682 
基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块,该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术,在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:14
1294 
基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块,产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术,在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上,通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感,使碳化硅MOSFET的高频性能得到更充分发挥。
2025-09-15 16:53:03
983 
在电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET凭借其卓越的性能,正逐渐成为众多应用的首选功率器件。今天,我们就来深入探讨安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05
416 
作为碳化硅 (SiC) 行业全球引领者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技术平台与 1200V 工业级、1200V 车规级产品系列,重新定义功率半导体器件的性能和耐久性,旨在为高功率应用在实际应用中带来突破性的性能表现。
2025-12-22 17:32:00
409
评论