Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

该产品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能，在电源转换系统中实现超快切换

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。这些产品在应用电力电子会议（APEC 2018）的Littelfuse展位亮相。

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。其还兼具高工作电压和超高切换速度，这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。

这些新型碳化硅MOSFET的典型应用包括：

电动汽车
工业机械
可再生能源（如太阳能逆变器）
医疗设备
开关式电源
不间断电源（UPS）
电机驱动器
高压DC/DC转换器
感应加热

“这些新型碳化硅MOSFET为电源转换器设计师提供了传统硅基晶体管的先进替代选择。”Littelfuse电源半导体产品营销经理Michael Ketterer表示， “其固有的材料特性和超快速切换能力提供了各种优化设计的机会，包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。”

新型1200V碳化硅MOSFET具有以下关键优势：

从系统层面减少的无源滤波器组件数量有助于提高功率密度，为高频高效应用打造优化设计。

极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散，提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。