0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

碳化硅MOS/超结MOS在直流充电桩上的应用

瑞森半导体 2023-12-08 11:50 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

一、前言

直流充电桩新能源汽车直流充电桩的简称,一般也被叫做“快充”。直流充电桩一般与交流电网连接,可作为非车载电动汽车的动力补充,是一种直流工作电源的电源控制装置,可以提供充足的电量,输出电压和电流可以连续调节,可有效实现快速充电的要求。

据中国充电联盟发布的《2021 中国电动汽车用户充电行为白皮书》,直流充电桩已成为 99.3%用户的首选,因此直流充电桩面临较大的需求缺口,未来有望提速发展。

二、产品组成及应用场所

直流充电桩通常由充电机主机、电源部分、充电接口、显示屏、辅助设备这五部分组成。一般来说,直流充电桩可分为分体式一体式两种类型。

直流充电桩是直接输出直流电给车载电池进行充电,充电效率高、时间短、功率较大( 60kW、120kW、200kW 甚至更高),故一般安装在公共充电站、停车场等公共场所。

三、典型应用拓扑图

wKgaomVykf-AXkbCAAehUMtnvYM979.png

四、应用线路及选型

如上图所示:通过Vienna线路(三相PFC功率校正)对工频三相交流电进行整流(输出:400-800V),推荐使用瑞森半导体600V/650V的超结MOS系列:采用多层外延工艺,优化了元胞结构,可靠性高,一致性好,对标英飞凌C3、 P6、 P7系列产品,产品选型如下:

wKgZomVykgeAJUYrAAsuFqh3s7g707.png

PFC功率校正整流后再通过DC/DC线路(三电平全桥)LLC谐振变换器(输出400-750V)对电池进行充电,推荐使用瑞森半导体650V/1200V的碳化硅(SiC) MOS系列:极低的门电荷(QG)、极低反向恢复的快速本征体二极管、可最大限度减少传导损失,提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力;器件参数一致性好;高频率的运行、能让被动元器件做得更小,产品选型如下:

wKgaomVykguAClGKAA8IZzYgGaU210.png
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOS
    MOS
    +关注

    关注

    32

    文章

    1616

    浏览量

    99762
  • 超结器件
    +关注

    关注

    0

    文章

    12

    浏览量

    5795
  • 直流充电桩
    +关注

    关注

    5

    文章

    124

    浏览量

    7439
  • 碳化硅MOSFET
    +关注

    关注

    0

    文章

    51

    浏览量

    4871
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    合科泰MOS管与碳化硅MOS管的区别

    电力电子领域,高压功率器件的选择直接影响系统的效率、成本与可靠性。对于工程师来说,MOS管与碳化硅
    的头像 发表于 11-26 09:50 306次阅读

    碳化硅电机驱动中的应用

    今天碳化硅器件已经多种应用中取得商业的成功。碳化硅MOSFET已被证明是硅IGBT太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的商业
    的头像 发表于 08-29 14:38 6495次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>在</b>电机驱动中的应用

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技术应用打造
    发表于 06-25 09:13

    碳化硅MOS驱动电压如何选择

    碳化硅MOS驱动电压选择15V还是18V,是电力电子设计中的关键权衡问题。这两种电压对器件的导通损耗、开关特性、热管理和系统可靠性有显著影响。
    的头像 发表于 06-04 09:22 1311次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOS</b>驱动电压如何选择

    伯恩半导体新品推荐 | MOSTV电视的应用

    推荐MOSTV电视的应用
    的头像 发表于 05-07 14:36 629次阅读
    伯恩半导体新品推荐 | <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOS</b>管<b class='flag-5'>在</b>TV电视<b class='flag-5'>上</b>的应用

    国产碳化硅MOSFETOBC+DCDC及壁挂小直流中的应用

    国产碳化硅MOSFETOBC+DCDC及壁挂小直流中的应用
    发表于 04-02 11:40 0次下载

    MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析

    随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代
    的头像 发表于 03-01 08:53 975次阅读
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET升级至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的根本驱动力分析

    桥式电路中碳化硅MOSFET替换MOSFET技术注意事项

    桥式电路中,国产碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替换(SJ)MOSFET具有显著优势,但也需注意技术细节。倾佳电子杨茜从性能优势和技术注意事项两方面进行深度分
    的头像 发表于 02-11 22:27 714次阅读
    桥式电路中<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET替换<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET技术注意事项

    5G电源应用碳化硅B3M040065Z替代MOSFET

    倾佳电子杨茜以48V 3000W 5G电源应用为例分析BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET B3M040065Z替代MOSFET的优势,并做损耗仿真计算: 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC
    的头像 发表于 02-10 09:37 689次阅读
    5G电源应用<b class='flag-5'>碳化硅</b>B3M040065Z替代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET

    碳化硅半导体中的作用

    碳化硅(SiC)半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅半导体中的主要作用及优势: 一、
    的头像 发表于 01-23 17:09 2423次阅读

    为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET和高压GaN氮化镓器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET和高压GaN氮化镓器件
    的头像 发表于 01-23 16:27 1649次阅读
    为什么650V SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET全面取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET和高压GaN氮化镓器件?

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅M
    发表于 01-22 10:43

    产SiC碳化硅MOSFET功率模块工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    为何基本碳化硅MOSFET充电电源单级拓扑实测效率高于进口器件

    基本碳化硅MOSFET充电电源单级拓扑实测效率高于进口器件
    的头像 发表于 01-13 09:58 1380次阅读
    为何基本<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>充电</b><b class='flag-5'>桩</b>电源单级拓扑实测效率高于进口器件

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37