瞻芯电子推出全新碳化硅半桥功率模块IV1B12009HA2L

近日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。

这款模块产品(IV1B12009HA2L) 尺寸与标准的Easy1B封装相同，其壳体紧凑，高度仅12mm。该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（DCB）上，具有内绝缘功能，可直接紧贴散热器，无需外加陶瓷绝缘垫片，安全可靠，散热更好；同时，模块采用弹簧安装座，组装方便，集成的安装夹使安装牢固。

图1，模块外观

模块电路拓扑

该模块产品内置1200V 9mΩ SiC MOSFET组成半桥电路，具有较低的杂散电感，简化了应用电路的设计，相对于分立器件方案，提升了功率密度。同时集成热敏电阻(NTC)以监测温度。

该产品具有开尔文源极引脚，能在SiC MOSFET高速开关时，抑制驱动电压尖峰，保障高频开关应用安全和可靠。

图2，模块拓扑

SiC MOSFET芯片

这款模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表现，支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压，额定电流100A。

应用场景

该产品适用于高频、高效率功率变换系统，具有安全可靠、尺寸紧凑、安装方便等特点，典型应用场景如下：

高频开关应用

高压直流变换器（DC-DC）

直流充电桩

不间断电源（UPS）

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关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率半导体和芯片产品，围绕碳化硅(SiC)应用，为客户提供一站式芯片解决方案。

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品以及工艺平台的公司，拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂，标志着瞻芯电子进入中国领先的碳化硅(SiC)功率半导体IDM公司行列。 瞻芯电子将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。